以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導(dǎo)體材料，相比第一代單質(zhì)半導(dǎo)體，在高頻性能、高溫性能方面優(yōu)異很多，發(fā)展前景廣闊。封裝對(duì)于化合物半導(dǎo)體器件的性能和可靠性至關(guān)重要。隨著化合物半導(dǎo)體器件的日益普及和廣泛應(yīng)用，先進(jìn)封裝材料、可靠性技術(shù)都在不斷的發(fā)展提升。

10月12-13日，NEPCON ASIA 2023 期間“2023化合物半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)論壇”于深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）如期舉行。論壇由極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 、中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)電子信息行業(yè)分會(huì)、勵(lì)展博覽集團(tuán)聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦，江蘇博睿光電有限公司、ULVAC株式會(huì)社、托托科技（蘇州）有限公司等單位支持協(xié)辦。論壇依托強(qiáng)大背景及產(chǎn)業(yè)資源，致力于先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)推廣、創(chuàng)新應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)鏈間的合作，為科研機(jī)構(gòu)、高校院所、芯片面板及終端制造，上游及材料設(shè)備搭建交流協(xié)作的橋梁。

大連理工大學(xué)教授王德君，寧波錸微半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng) 江南大學(xué)教授敖金平，安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司首席科學(xué)家劉紅超，南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院蔣洋，安徽工程大學(xué)副院長(zhǎng)、教授林信南，西安電子科技大學(xué)教授劉志宏，邁銳斯自動(dòng)化（深圳）有限公司/MRSI Systems總經(jīng)理/戰(zhàn)略營(yíng)銷(xiāo)高級(jí)總監(jiān)周利民，南方科技大學(xué)副教授葉懷宇，深圳大學(xué)研究員劉新科，江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理梁超博士，工業(yè)和信息化部電子第五研究所功率器件團(tuán)隊(duì)總師賀致遠(yuǎn)，ULVAC株式會(huì)社市場(chǎng)戰(zhàn)略中心長(zhǎng)王禹，香港中文大學(xué)（深圳）副研究員冀東，托托科技（蘇州）有限公司董事長(zhǎng)吳陽(yáng)博士，安徽芯塔電子科技有限公司高級(jí)產(chǎn)品經(jīng)理張陽(yáng)明，山東華光光電子股份有限公司戰(zhàn)略產(chǎn)品部總經(jīng)理李沛旭，茂碩電源科技股份有限公司總監(jiān)陸文杭，北京聚睿眾邦科技有限公司（米格實(shí)驗(yàn)室）副總經(jīng)理朱震等知名企業(yè)領(lǐng)袖、專(zhuān)家代表出席論壇，聚焦前沿技術(shù)進(jìn)步與產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新應(yīng)用，探討最新進(jìn)展，促進(jìn)化合物導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)發(fā)展。

應(yīng)用需求推動(dòng)，封裝技術(shù)不斷演化提升  

當(dāng)前，化合物半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)仍面臨著一些挑戰(zhàn)，主要涉及到器件本身的高性能特性以及封裝技術(shù)的應(yīng)對(duì)能力。封裝技術(shù)也正在不斷演進(jìn)。一些新型散熱材料和結(jié)構(gòu)被設(shè)計(jì)用于更好地滿(mǎn)足高功率器件的散熱需求，而高頻封裝技術(shù)的不斷改進(jìn)使得射頻應(yīng)用更加可行。此外，可靠性測(cè)試和可靠性建模等方法有助于確保高性能化合物半導(dǎo)體器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。應(yīng)用需求繼續(xù)推動(dòng)化合物半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)的進(jìn)步和發(fā)展。

大連理工大學(xué)教授王德君

南方科技大學(xué)副教授葉懷宇

論壇主題報(bào)告環(huán)節(jié)，嘉賓們圍繞著化合物半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)等最新進(jìn)展與發(fā)展趨勢(shì)分享主題報(bào)告，從產(chǎn)業(yè)、工藝、應(yīng)用、趨勢(shì)等不同角度展開(kāi)務(wù)實(shí)的深入探討交流。大連理工大學(xué)教授王德君、南方科技大學(xué)副教授葉懷宇共同主持了論壇報(bào)告環(huán)節(jié)。

邁銳斯自動(dòng)化（深圳）有限公司總經(jīng)理、MRSI Systems戰(zhàn)略營(yíng)銷(xiāo)高級(jí)總監(jiān)周利民博士

《化合物半導(dǎo)體芯片封裝需求分析與技術(shù)探討》

化合物半導(dǎo)體芯片的封裝需求會(huì)根據(jù)特定的應(yīng)用和性能要求而有所不同。封裝是將芯片保護(hù)、連接和集成到電路系統(tǒng)中的關(guān)鍵步驟。邁銳斯自動(dòng)化（深圳）有限公司總經(jīng)理、MRSI Systems戰(zhàn)略營(yíng)銷(xiāo)高級(jí)總監(jiān)周利民博士帶來(lái)了“化合物半導(dǎo)體芯片封裝需求分析與技術(shù)探討”的主題報(bào)告，分享了化合物半導(dǎo)體芯片組裝挑戰(zhàn)、技術(shù)解決方案及應(yīng)用與市場(chǎng)趨勢(shì)，包括化合物半導(dǎo)體芯片/管芯組件，芯片、基板、模具連接材料，工藝與設(shè)備多種技術(shù)。報(bào)告指出，化合物半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，高可靠性、高精度、高速度和高靈活性是裝配趨勢(shì)。

安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司首席科學(xué)家劉紅超

《生態(tài)共攜手，同享碳化硅輝煌未來(lái)》

SiC是新能源領(lǐng)域關(guān)鍵材料與器件，在新能源車(chē)、風(fēng)光儲(chǔ)等新能源領(lǐng)域都有著 巨大的市場(chǎng)應(yīng)用前景。中國(guó)、歐美日等國(guó)家無(wú)論是政府還是企業(yè)都投入了巨大的人力物力進(jìn)行研究和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司首席科學(xué)家劉紅超帶來(lái)了“生態(tài)共攜手，同享碳化硅輝煌未來(lái)”的主題報(bào)告，結(jié)合當(dāng)前供應(yīng)、競(jìng)爭(zhēng)與投資格局，分享了SiC產(chǎn)業(yè)面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)，涉及SiC材料、Mobility遷移率等。報(bào)告指出，SiC襯底和外延存在各種晶格和形貌曲線(xiàn)，目前的光學(xué)檢測(cè)手段主要是記錄表面缺陷；各種檢測(cè)方法因?yàn)槌上裨硪约八惴ǖ牟町悾瑢?dǎo)致各種方法間沒(méi)有完全可比性。同時(shí)如何降低來(lái)自襯底和外延中缺陷的技術(shù)和設(shè)備正備受關(guān)注。缺陷帶來(lái)良率損失，成熟的AOI設(shè)備主要用于檢測(cè)晶圓表面缺陷，包括線(xiàn)條形貌、掉落顆粒物等。但SiC晶圓生產(chǎn)過(guò)程中，特別是離子注入會(huì)產(chǎn)生引起電性能參數(shù)以及可靠性問(wèn)題的晶體 缺陷，目前還缺乏有效檢測(cè)手段。 

寧波錸微半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)、江南大學(xué)教授敖金平

《氮化鎵微波功率器件的研究與應(yīng)用》

氮化鎵（GaN）微波功率器件具有高功率密度、高頻率工作、高溫度性能和快速開(kāi)關(guān)速度等諸多優(yōu)勢(shì)，有望在通信、軍事、航空航天和科學(xué)研究領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。寧波錸微半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)、江南大學(xué)教授敖金平帶來(lái)了“氮化鎵微波功率器件的研究與應(yīng)用”的主題報(bào)告，分享了相關(guān)技術(shù)研究進(jìn)展，報(bào)告指出在射頻器件領(lǐng)域，氮化鎵有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。射頻功率放大器以外，射頻肖特基二極管呈現(xiàn)綜合性能優(yōu)勢(shì)?；贕aN SBD的RF/DC轉(zhuǎn)換效率達(dá)到80-90%。

安徽工程大學(xué)副院長(zhǎng)、教授林信南

《650V硅基氮化鎵器件結(jié)構(gòu)與工藝研發(fā)》

作為高電壓功率半導(dǎo)體器件，650V硅基氮化鎵（SiGaN）器件結(jié)合了硅（Si）和氮化鎵（GaN）材料的特性，具有多種特性和優(yōu)勢(shì)，使其成為高電壓、高功率和高頻率應(yīng)用的理想選擇，有望推動(dòng)電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新和發(fā)展。安徽工程大學(xué)副院長(zhǎng)、教授林信南帶來(lái)了“650V硅基氮化鎵器件結(jié)構(gòu)與工藝研發(fā)”的主題報(bào)告，分析了當(dāng)前器件制造中的問(wèn)題，從設(shè)計(jì)、工藝角度分享了解決方案，并提出了器件性能優(yōu)化的研究成果。其中，提出并優(yōu)化了一種GFDM AlGaN/GaN器件的制備工藝。通過(guò)優(yōu)化的歐姆接觸步長(zhǎng)，不僅獲得了1.07 Ω·mm的極低歐姆接觸電阻值，而且在150mm晶圓上獲得了良好的均勻性。提出了一種新型的柵極和鈍化介質(zhì)堆疊，由原位生長(zhǎng)在in-situ的Si3N4(3 nm)的薄的MOCVD和生長(zhǎng) Si3N4 (30nm)的厚的(LPCVD)組成。

大連理工大學(xué)教授王德君

《碳化硅柵氧技術(shù)及未來(lái)挑戰(zhàn)》

碳化硅（SiC）柵氧技術(shù)涉及到在SiC材料上生長(zhǎng)氧化物層，以隔離金屬柵極和SiC通道之間的電荷，并在柵極上形成電場(chǎng)以控制通道的電子流。對(duì)于制造高性能的碳化硅MOSFET和其他SiC器件至關(guān)重要。大連理工大學(xué)教授王德君帶來(lái)了“碳化硅柵氧技術(shù)及未來(lái)挑戰(zhàn)”的主題報(bào)告，介紹了SiC MOSFET器件可靠性問(wèn)題、SiC MOS界面缺陷及其物理模擬、SiC半導(dǎo)體界面缺陷測(cè)試分析技術(shù)  SiC MOS器件高溫柵氧化技術(shù)、SiC MOS器件先進(jìn)柵氧化技術(shù)等進(jìn)展。研究基于表界面缺陷研究，提升SiC MOS器件性能穩(wěn)定性可靠性，推進(jìn)測(cè)試分析診斷、柵氧/金屬工藝優(yōu)化、制造技術(shù)及裝備、測(cè)試技術(shù)及儀器等工作。

ULVAC株式會(huì)社市場(chǎng)戰(zhàn)略中心/中心長(zhǎng)王禹

《碳化硅功率器件制造工藝設(shè)備技術(shù)進(jìn)展》

碳化硅（SiC）功率器件的制造涉及一系列工藝步驟和特殊設(shè)備，以生產(chǎn)高性能、高功率密度和高溫穩(wěn)定性的SiC功率器件。ULVAC株式會(huì)社市場(chǎng)戰(zhàn)略中心/中心長(zhǎng)王禹帶來(lái)了“碳化硅功率器件制造工藝設(shè)備技術(shù)進(jìn)展”的主題報(bào)告，指出SiC市場(chǎng)快速增長(zhǎng)的兩大驅(qū)動(dòng)力，一方面是新能源汽車(chē)滲透率的加快。另一方面是風(fēng)能、光伏和儲(chǔ)能拉動(dòng)SiC器件的需求。產(chǎn)業(yè)鏈應(yīng)該更好的合作，才能共同推動(dòng)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。低成本單晶生長(zhǎng)，更好的體驗(yàn)和積累技術(shù)，將決定未來(lái)市場(chǎng)的發(fā)展空間。

江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理梁超博士

《面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AlN陶瓷基板的研制及開(kāi)發(fā)》

超高導(dǎo)熱AlN陶瓷基板具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性能和電絕緣性能，能夠有效地傳導(dǎo)和散熱熱量。在高功率電子器件、射頻（RF）和微波器件、光電子器件等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理梁超博士帶來(lái)了“面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AlN陶瓷基板的研制及開(kāi)發(fā)”的主題報(bào)告，分享了高導(dǎo)熱AlN陶瓷基板的研究進(jìn)展，報(bào)告指出AlN陶瓷基板的熱導(dǎo)率提升有利于助推其更廣闊的應(yīng)用前景，面向不同應(yīng)用場(chǎng)景的AlN基板的定向開(kāi)發(fā)，推動(dòng)下游封裝技術(shù)發(fā)展，耦合高性能AlN陶瓷基板與金屬化技術(shù)，助力發(fā)展高功率密度器件的封裝需求。

工業(yè)和信息化部電子第五研究所功率器件團(tuán)隊(duì)總師賀致遠(yuǎn)博士

《GaN功率器件動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試技術(shù)研究》

GaN功率器件動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試，有助于了解性能和可靠性，以進(jìn)一步優(yōu)化電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用。測(cè)試結(jié)果對(duì)于高頻、高功率電子應(yīng)用非常關(guān)鍵。工業(yè)和信息化部電子第五研究所功率器件團(tuán)隊(duì)總師賀致遠(yuǎn)博士帶來(lái)了“GaN功率器件動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試技術(shù)研究”的主題報(bào)告，報(bào)告認(rèn)為GaN功率器件動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻問(wèn)題仍然是限制器件推廣應(yīng)用的最重要的可靠性問(wèn)題之一。基于橫向型GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻產(chǎn)生的機(jī)理出發(fā)，團(tuán)隊(duì)制定了基于多次雙脈沖累計(jì)應(yīng)力時(shí)間的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，并得到了有效驗(yàn)證。不同器件結(jié)構(gòu)、不同工藝水平造成的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻退化問(wèn)題區(qū)別較大，相關(guān)機(jī)理仍不清晰，需要投入更多的理論及試驗(yàn)研究。 工藝提升仍是關(guān)鍵，國(guó)產(chǎn)GaN功率器件開(kāi)發(fā)過(guò)程中一定要注意相關(guān)參數(shù)的測(cè)試評(píng)估。長(zhǎng)期應(yīng)用過(guò)程中的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻退化問(wèn)題同樣值得關(guān)注。

論壇上，圍繞著“碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸”，“功率器件與封裝模塊制造”和“降本增效”，”碳化硅及氮化鎵器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)“等話(huà)題，在王德君教授的主持下，王德君教授、周利民總經(jīng)理、梁超博士、賀致遠(yuǎn)總師、葉懷宇博士、林信南教授、王禹博士與現(xiàn)場(chǎng)觀(guān)眾展開(kāi)積極務(wù)實(shí)的探討，從不同的角度分享，互動(dòng)交流碰撞，帶來(lái)不同視角的信息與啟發(fā)。

論壇為期兩天，明日精彩繼續(xù)！更多論壇信息，敬請(qǐng)關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)！

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