10月12-13日，NEPCON ASIA 2023期間“2023化合物半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)論壇”于深圳國際會展中心（寶安新館）如期舉行。論壇由極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 、中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會電子信息行業(yè)分會、勵展博覽集團聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦，江蘇博睿光電有限公司、ULVAC株式會社、托托科技（蘇州）有限公司、全國半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團等等單位支持協(xié)辦。

論壇聚焦化合物半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)最新進(jìn)展，針對SiC功率器件先進(jìn)封裝材料及可靠性、硅基氮化鎵功率器件、VCSEL器件及封裝、車用GaAs激光雷達(dá)，化合物半導(dǎo)體可靠性測試及方法等等，邀請產(chǎn)學(xué)研用資多領(lǐng)域優(yōu)勢力量，探討最新進(jìn)展，促進(jìn)化合物導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)發(fā)展。

論壇首日，來自邁銳斯、長飛先進(jìn)、寧波錸微半導(dǎo)體、安徽工程大學(xué)、大連理工大學(xué)、ULVAC株式會社、博睿光電、工業(yè)和信息化部電子第五研究所等的實力派專家?guī)砭手黝}分享，互動熱烈，干貨滿滿，現(xiàn)場反響熱烈。

香港中文大學(xué)（深圳）副研究員冀東

西安電子科技大學(xué)教授劉志宏

13日，論壇火熱繼續(xù)，延續(xù)首日人氣，來芯塔電子、托托科技、山東華光、南方科技大學(xué)、茂碩電源、聚睿眾邦、南方科技大學(xué)、深圳大學(xué)等嘉賓代表帶來分享，現(xiàn)場交流互動。香港中文大學(xué)（深圳）副研究員冀東和西安電子科技大學(xué)教授劉志宏先后主持了論壇。

葉懷宇

南方科技大學(xué)副教授

《碳化硅器件封裝工藝研發(fā)》

碳化硅（SiC）具備大禁帶寬度、大漂移速率、大熱導(dǎo)率、大擊穿場強等優(yōu)勢，從而能夠開發(fā)出更適應(yīng)高功率、高頻、高溫、高電壓等惡劣條件的功率半導(dǎo)體器件。與硅基模塊相比，碳化硅二極管及MOS管組成的模塊，不僅具有碳化硅材料本征特性優(yōu)勢，在應(yīng)用時還可以縮小模塊體積50%以上、消減電子轉(zhuǎn)換損耗80%以上，從而降低綜合成本。

南方科技大學(xué)副教授葉懷宇博士帶來了“碳化硅器件封裝工藝研發(fā)進(jìn)展”的主題報告，分享了相關(guān)技術(shù)進(jìn)展及趨勢。報告指出，在滿足器件性能的條件下，兼顧器件的堅固性、易用性及可靠性是半導(dǎo)體產(chǎn)商追求并不斷探索的最完整的SiC功率芯片技術(shù)。SiC功率器件開關(guān)速度快，開關(guān)過程中的 dv/dt 和 di/dt 均極高，因而其開關(guān)過程極易受到器件封裝中雜散參數(shù)的影響，限制其電學(xué)性能發(fā)揮。故而，低寄生電感封裝技術(shù)成為主要SiC功率器件封裝技術(shù)之一。理論上，SiC功率器件的工作溫度可達(dá)到300℃以上，現(xiàn)有適用于硅器件的傳統(tǒng)封裝材料及結(jié)構(gòu)一般工作在 150℃ 以下，在更高溫度時可靠性急劇下降，甚至無法正常運行。解決這一問題的關(guān)鍵在于找出適宜高溫工作的連接材料，匹配封裝中不同材料的熱性能?；赟iC功率器件全銅互連技術(shù)，其團隊長期進(jìn)行納米銅燒結(jié)機理研究，同時開發(fā)優(yōu)化了納米銅膏體/膜及匹配的燒結(jié)工藝，并制定了納米銅燒結(jié)工藝技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。全銅互連工藝優(yōu)化仍是關(guān)鍵，SiC器件全銅互連技術(shù)開發(fā)過程中一定要注意芯片應(yīng)力，材料界面結(jié)合強度及長期可靠性的評估。

張陽明

安徽芯塔電子科技有限公司高級產(chǎn)品經(jīng)理

《SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)挑戰(zhàn)》

寬禁帶半導(dǎo)體材料在高壓高頻應(yīng)用領(lǐng)域具備極佳性能優(yōu)勢，安徽芯塔電子科技有限公司高級產(chǎn)品經(jīng)理張陽明帶來了“SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)挑戰(zhàn)”的主題報告，結(jié)合碳化硅功率器件市場前景，分享了最新研究進(jìn)展與趨勢。報告指出，碳化硅MOSFET目前在新能源汽車主電驅(qū)，OBC，DCDC已經(jīng)在批量使用，另外在光伏儲能應(yīng)用也有大部分品牌批量在用，所以對于目前應(yīng)用遇到的各種挑戰(zhàn)都已有成功的案例可參考；國產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)的崛起，包括上游襯底外延，器件設(shè)計，封測等，國產(chǎn)碳化硅MOSFET技術(shù)日益成熟，給市場應(yīng)用帶來更好的選擇，其中主要表現(xiàn)在供貨，價格，和更接地氣的技術(shù)服務(wù)；第三代半導(dǎo)體國內(nèi)廠商起步與國外廠商相差不多，有希望實現(xiàn)技術(shù)上的追趕，完成國產(chǎn)替代，實現(xiàn)“彎道超車”。

吳陽博士

托托科技（蘇州）有限公司董事長

《第三代半導(dǎo)體裝備：從器件制造到性能表征》

第三代半導(dǎo)體裝備是推動新一代半導(dǎo)體材料和器件制造的關(guān)鍵因素，將在高性能、高效能和高頻率電子器件的發(fā)展中發(fā)揮重要作用。隨著這些新材料和器件的市場應(yīng)用不斷擴大，第三代半導(dǎo)體裝備的需求也將持續(xù)增長。托托科技（蘇州）有限公司董事長吳陽博士做了“第三代半導(dǎo)體裝備：從器件制造到性能表征”的主題報告，分享了第三代半導(dǎo)體的器件制備、形貌檢測設(shè)備，光磁·光電·光譜分析設(shè)備等的最新進(jìn)展。光刻是將掩模板上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光致抗蝕劑（或稱光刻膠）的硅片上，通過一系列生產(chǎn)步驟將硅片表面薄膜的特定部分除去的一種圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)。光刻是復(fù)制微細(xì)圖形的最有效手段之一，是制作超大規(guī)模集成電路芯片的核心技術(shù)。報告介紹了非常規(guī)光刻設(shè)備&光刻工藝、2D光刻，5D灰度光刻，3D形貌檢測，磁光檢測，光電光譜檢測等成果內(nèi)容。

開北超

山東華光光電子股份有限公司

《高功率高效率GaAs基半導(dǎo)體激光器芯片及器件》

先進(jìn)的GaAs（鎵砷化物）半導(dǎo)體激光器及封裝技術(shù)在通信、激光雷達(dá)、醫(yī)療、材料加工和光電子學(xué)等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。激光技術(shù)引領(lǐng)工業(yè)升級，是底層支撐技術(shù)，也國家安全和國防的關(guān)鍵技術(shù)之一，芯片是激光產(chǎn)業(yè)的基石和核心，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸。山東華光光電子股份有限公司開北超帶來了“高功率高效率GaAs基半導(dǎo)體激光器芯片及器件”的主題報告，報告指出，半導(dǎo)體激光器向著高功率、高亮度、高效率、低成本等方向發(fā)展，高端芯片需求迫切。激光器芯片開發(fā)，不僅需要深入的理論設(shè)計，也需求完善和復(fù)雜的工藝保證，激光器芯片和器件需要六大模塊的循環(huán)迭代共同完善形成。報告介紹了高功率半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)設(shè)計，低位錯高質(zhì)量非對稱材料外延生長，高損傷閾值、高功率輸出的芯片制作等高功率半導(dǎo)體激光器核心技術(shù)進(jìn)展，并分享了10-50W高功率激光器芯片、高功率激光器bar條芯片、光纖耦合輸出泵浦源模塊、高功率光纖耦合輸出模塊等芯片及器件測試結(jié)果。

蔣洋

南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院

《硅基氮化鎵器件及其功率和射頻系統(tǒng)應(yīng)用》

硅基氮化鎵器件在功率和射頻（RF）系統(tǒng)應(yīng)用中具有潛在的重要性，特別是在高頻率、高功率和高溫度環(huán)境下。南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院蔣洋帶來了“硅基氮化鎵器件及其功率和射頻系統(tǒng)應(yīng)用”的主題報告，目前GaN功率元件市場的發(fā)展主要由消費電子所驅(qū)動，核心在于快速充電器，其他消費電子場景還包括D類音頻、無線充電等，許多廠商已將目光轉(zhuǎn)向工業(yè)市場和汽車市場。報告分享了Si基GaN器件先進(jìn)工藝，Si基GaN功率器件及其電源系統(tǒng)，Si基GaN射頻器件及其PA模塊的研究進(jìn)展。其中，6英寸GaN-on-Si外延片上完成器件流片；通過優(yōu)化歐姆接觸工藝、場板工藝和Cascode封裝工藝，實現(xiàn)了器件導(dǎo)通電阻的降低和擊穿電壓的大幅提高，為高效率的電源模組實現(xiàn)提供了技術(shù)支撐；開發(fā)兩種再生長工藝，分別應(yīng)用原位SiN作為柵介質(zhì)（同時作為再生長掩膜）和表面鈍化材料，制備出fully-recess和partially-recess的常關(guān)型GaN HEMT器件。通過制備柵下無異質(zhì)結(jié)的全凹柵GaN MIS-FET結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了原位SiN作為柵介質(zhì)的常關(guān)型器件，并具有較低的閾值電壓遲滯。針對性的研究了半橋GaN的高效驅(qū)動和死區(qū)時間控制電路，主要解決了E-mode GaN開關(guān)的可靠性問題。針對5G基站應(yīng)用，研究的GaN射頻器件實現(xiàn)柵極長度小于200nm，截止頻率超過30GHz，可滿足5G基站毫米波功放需求。創(chuàng)新性將電磁仿真耦合效應(yīng)造成的源極阻抗Yc提取到輸入匹配網(wǎng)絡(luò)，可抑制PA性能惡化，實現(xiàn)了在不犧牲增益的前提下提高PA的穩(wěn)定性。

陸文杭

茂碩電源科技股份有限公司總監(jiān)

《氮化鎵在茂碩PD電源中的應(yīng)用》

氮化鎵（GaN）功率器件在高效能、高頻率和高溫度應(yīng)用中表現(xiàn)出色，在PD（功率電子）電源中具有重要應(yīng)用，為高效率、高功率密度、高頻率、高溫度操作和輕量化設(shè)計提供了解決方案。有望推動PD電源領(lǐng)域的創(chuàng)新和發(fā)展。茂碩電源科技股份有限公司總監(jiān)陸文杭帶來了“氮化鎵功率器件在茂碩PD電源中的應(yīng)用”的主題報告，相比普通的充電器PD充電器有兩大特性：一是實現(xiàn)電源管理的高效率；二是根據(jù)功率傳輸協(xié)議實現(xiàn)靈活的自適應(yīng)調(diào)節(jié)。同一個充電器，設(shè)置不同的電壓/電流方案，就是為了實現(xiàn)靈活的調(diào)節(jié)，在實現(xiàn)快速充電的同時對電源能夠進(jìn)行有效管理，并對電池進(jìn)行保護(hù)。報告分享了PD快充電源的用戶體驗及相關(guān)專利電路拓?fù)涞取?/p>

朱仁強博士

深圳大學(xué)

《基于氮化鎵單晶襯底的功率器件研究》

GaN具有許多在高功率、高頻率和高溫度應(yīng)用中表現(xiàn)出色的特性?；贕aN單晶襯底的功率器件研究持續(xù)推動著高功率、高頻率和高效率電子系統(tǒng)的發(fā)展。深圳大學(xué)朱仁強博士帶來了“基于氮化鎵單晶襯底的功率器件研究”的主題報告，分享了單晶氮化鎵垂直功率器件二極管，單晶氮化鎵垂直功率器件三極管的研究進(jìn)展。報告指出，其團隊圍繞氮化鎵功率器件耐壓、導(dǎo)通電阻、抗浪涌等關(guān)鍵問題，長期開展單晶氮化鎵功率器件的產(chǎn)學(xué)研研究工作。展望氮化鎵功率器件的應(yīng)用及其關(guān)鍵技術(shù)，未來將向車規(guī)級(10-50kW)、超級工程(>1.2MW)等方向發(fā)展，關(guān)鍵技術(shù)突破將涉及GaN器件耐高壓；氮化鎵材料缺陷低于102/cm2。

朱震

北京聚睿眾邦科技有限公司副總經(jīng)理

《寬禁帶半導(dǎo)體檢測及相關(guān)工作進(jìn)展》

當(dāng)前，半導(dǎo)體芯片成為各行各業(yè)的核心“糧食”，高端芯片國產(chǎn)化率仍然很低，卡脖子風(fēng)險嚴(yán)峻，半導(dǎo)體發(fā)展趨勢加速，需持續(xù)高強度的研發(fā)投入，半導(dǎo)體檢測是產(chǎn)業(yè)鏈中的重要一環(huán)。北京聚睿眾邦科技有限公司副總經(jīng)理朱震帶來了“寬禁帶半導(dǎo)體檢測及相關(guān)工作進(jìn)展”的主題報告，詳細(xì)分享了半導(dǎo)體檢測技術(shù)概況，涉及電鏡技術(shù)模塊、電子束雙束設(shè)備、高分辨場發(fā)射透射電鏡、球差矯正透射電鏡、二次離子質(zhì)譜 SIMS、半導(dǎo)體材料分析檢測技術(shù)矩陣以及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)等內(nèi)容。

（注：根據(jù)報告嘉賓現(xiàn)場分享整理，未經(jīng)其本人確認(rèn)，如有出入敬請諒解?。?/p>