華泰證券發(fā)布研究報(bào)告稱(chēng)，SiC和GaN作為新型功率半導(dǎo)體材料，已進(jìn)入快速發(fā)展階段。2018年特斯拉的功率器件應(yīng)用加速了SiC應(yīng)用于新能源車(chē)的進(jìn)程。SiC相較GaN有三年的商業(yè)化領(lǐng)先，全球市場(chǎng)由Wolfspeed、Coherent、安森美等公司壟斷。在小米推出手機(jī)快充后，GaN產(chǎn)業(yè)規(guī)模迅速擴(kuò)大，產(chǎn)業(yè)龍頭有住友化學(xué)、英飛凌、三安光電（600703）等。

▍華泰證券主要觀點(diǎn)如下：

SiC商業(yè)化進(jìn)程領(lǐng)先GaN三年，預(yù)計(jì)2026年投資擴(kuò)產(chǎn)或轉(zhuǎn)向GaN SiC和GaN作為新型功率半導(dǎo)體材料，已進(jìn)入快速發(fā)展階段。2018年特斯拉的功率器件應(yīng)用加速了SiC應(yīng)用于新能源車(chē)的進(jìn)程。SiC相較GaN有三年的商業(yè)化領(lǐng)先，全球市場(chǎng)由Wolfspeed、Coherent、安森美等公司壟斷。在小米推出手機(jī)快充后，GaN產(chǎn)業(yè)規(guī)模迅速擴(kuò)大，產(chǎn)業(yè)龍頭有住友化學(xué)、英飛凌、三安光電等。

GaN相較SiC長(zhǎng)晶速度快、成本更低，GaN可以利用現(xiàn)有的硅(Si)工藝和設(shè)備，在普通的硅襯底上生長(zhǎng)。而SiC則需要采用高純度的SiC襯底，大幅提高了材料成本。GaN未來(lái)的增長(zhǎng)動(dòng)能取決于能否在工業(yè)、汽車(chē)領(lǐng)域應(yīng)用，但GaN上車(chē)仍處于送樣測(cè)試階段，車(chē)規(guī)級(jí)器件放量預(yù)計(jì)會(huì)在2028年左右。

展望未來(lái)，SiC和GaN或?qū)⑿纬筛髯缘氖袌?chǎng)格局，預(yù)計(jì)2026年隨著SiC產(chǎn)能飽和，大型公司可能將目光轉(zhuǎn)向GaN領(lǐng)域投資擴(kuò)產(chǎn)。

SiC領(lǐng)域M&A活躍，Coherent通過(guò)合資子公司提前鎖定日本市場(chǎng)

在SiC領(lǐng)域，融資并購(gòu)活動(dòng)主要是公司為了掌握核心技術(shù)提升良率，從而實(shí)現(xiàn)規(guī)模效應(yīng)來(lái)降本增效，或是為了鎖定產(chǎn)能確保襯底供應(yīng)的穩(wěn)定性。2008年羅姆公司收購(gòu)SiCrystal，2019年意法半導(dǎo)體收購(gòu)Norstel，以及2021年安森美收購(gòu)了GT Advanced，在后續(xù)業(yè)務(wù)實(shí)踐中都實(shí)現(xiàn)了雙贏。2022年II-VI收購(gòu)Coherent后，新公司命名為Coherent，并加速SiC業(yè)務(wù)布局。

今年10月11日，三菱電機(jī)和Denso分別投資5億美元在Coherent 子公司Silicon Carbide LLC各占股12.5%，簽署6英寸和8英寸SiC晶圓的長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，提前鎖定日本市場(chǎng)。

國(guó)內(nèi)SiC龍頭在質(zhì)量和工藝取得突破，降本增效取決于多方面因素

國(guó)內(nèi)SiC襯底龍頭在質(zhì)量方面實(shí)現(xiàn)較大突破，但在工藝上仍有差距。

1)技術(shù)來(lái)源：國(guó)內(nèi)60余家SiC襯底企業(yè)，主要的技術(shù)和人才來(lái)源于天科合達(dá)和天岳先進(jìn);

2)質(zhì)量：國(guó)內(nèi)SiC襯底質(zhì)量能與國(guó)外巨頭相媲美，具備競(jìng)爭(zhēng)力;

3)工藝：海外內(nèi)龍頭企業(yè)在長(zhǎng)晶速度上距離也縮小;4)長(zhǎng)晶設(shè)備：國(guó)內(nèi)PVT設(shè)備國(guó)產(chǎn)率高，性?xún)r(jià)比較高;5)能源：由于長(zhǎng)晶爐內(nèi)溫度高達(dá)2400攝氏度，能耗大。而國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能、風(fēng)電水電充足，有潛在降本可能性;6)技術(shù)人才：國(guó)外龍頭企業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)更加穩(wěn)定。

長(zhǎng)晶技術(shù)為大尺寸SiC襯底研發(fā)核心挑戰(zhàn)，激光切割或?yàn)橄乱淮夹g(shù)主流

國(guó)內(nèi)晶圓尺寸在從4到6英寸過(guò)渡，6英寸去年開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)，8英寸全球只有Wolfspeed在紐約的莫霍克谷工廠有小批量試產(chǎn)，良率為公司核心機(jī)密未披露。8英寸晶圓性?xún)r(jià)比較低，面積約為6英寸晶圓的1.8倍，但價(jià)格高達(dá)2000美元為6英寸片價(jià)格的2.5倍。

長(zhǎng)晶技術(shù)是研發(fā)8英寸SiC襯底的核心挑戰(zhàn)，由于長(zhǎng)晶過(guò)程類(lèi)似“黑匣子”，在高成品率和拉晶長(zhǎng)度之間取合適平衡需要大量的工藝經(jīng)驗(yàn)積累，還需要對(duì)材料、坩堝、熱場(chǎng)、SiC粉末等不斷進(jìn)行優(yōu)化和升級(jí)。后續(xù)切磨拋過(guò)程中，8英寸由于其更大尺寸，在切割過(guò)程中出現(xiàn)的應(yīng)力、翹曲等問(wèn)題亟需技術(shù)迭代，激光切割技術(shù)或?yàn)橄乱淮髁鞣桨浮?/span>

（來(lái)源： 智通財(cái)經(jīng)）