第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門國際會議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，廈門市工業(yè)和信息化局、廈門市科學(xué)技術(shù)局、廈門火炬高新區(qū)管委會、惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。

本屆論壇除了重量級開、閉幕大會，設(shè)有七大主題技術(shù)分會，以及多場產(chǎn)業(yè)峰會，將匯聚全球頂級精英，全面聚焦半導(dǎo)體照明及第三代半導(dǎo)體熱門領(lǐng)域技術(shù)前沿及應(yīng)用進展。目前，“氮化物襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會”最新報告日程正式出爐，將著力聚焦最新技術(shù)發(fā)展與前沿趨勢。

本屆分會得到了三安光電股份有限公司、 納微朗科技(深圳)有限公司、 中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司、馬爾文帕納科公司的協(xié)辦支持。屆時，該分會將有北京大學(xué)教授于彤軍、 深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副院長武洪磊、北京化工大學(xué)教授張紀(jì)才、馬爾文岶納科 亞太區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)理鐘明光 、鄭州大學(xué)魯正乾、南京大學(xué)教授修向前、 中微公司MOCVD工藝總監(jiān)陳耀、 中國科學(xué)院蘇州納米所助理研究員司志偉、蘇州大學(xué)周繼宗、深圳大學(xué)曹緣、中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所方俊等科研院校知名專家及實力派企業(yè)代表共同參與，將圍繞氮化物襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)的發(fā)展分享主題報告。

分會日程詳情如下：

技術(shù)分論壇：氮化物襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù) Technical Sub-Forum: Technologies for Nitride Substrate, Epitaxy Growth and Equipment
時間：2023年11月29日08:30-12:00 地點：廈門國際會議中心酒店 • 大同廳 Time: Nov 29, 08:30-12:00 Location: Xiamen International Conference Center • Datong Hall
協(xié)辦支持/Co-organizer: 三光光電股份有限公司       San’an Co.,ltd 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司      Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China（AMEC） 賽邁科先進材料股份有限公司 SIAMC Advanced Material Corporation
屏幕尺寸 / Slides Size：16:9
主持人 Moderator	沈  波 / SHEN Bo 北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授 Deputy Director and Professor of School of Physics, Peking University 徐  科 / XU Ke 江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長、中國科學(xué)院蘇州納米所副所長、研究員 Associate Director of Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS; President of Suzhou Nanowin Co. Ltd.
08:25-08:30	嘉賓致辭 / Opening Address
08:30-08:50	大尺寸AlN單晶生長研究 The PVT growth of large AlN bulk crystals 于彤軍--北京大學(xué)教授 YU Tongjun--Professor of Peking university
08:50-09:10	PVT法同質(zhì)擴徑制備大尺寸氮化鋁晶體 Preparation of Large Size AlN Crystals by PVT Homogeneous Enlargement 武洪磊--深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副院長 WU Honglei--Vice Dean，School of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University
09:10-09:30	半極性AlN材料及二極管制備研究 The grwoth of semipolar AlN and its diodes 張紀(jì)才--北京化工大學(xué)教授 ZHANG Jicai--Professor of Beijing University of Chemical Technology
09:30-09:50	高分辨率X射線衍射技術(shù)在半導(dǎo)體材料分析中的應(yīng)用   Application of high-resolution X-ray diffraction technology in semiconductor material analysis 鐘明光--馬爾文岶納科 亞太區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)理 Eddy ZHONG--Asia Pacific Semiconductor Industry Manager, Malvern Panalytical
09:50-10:05	Study on nucleation of AlN Thin Films Grown by MOCVD 魯正乾--鄭州大學(xué) LU Zhengqian--Zhengzhou University
10:05-10:20	茶歇 / Coffee Break
10:20-10:40	基于HVPE的氮化鎵單晶設(shè)備與工藝技術(shù) GaN single crystal equipment and process technology based on HVPE 修向前--南京大學(xué)教授 XIU Xiangqian--Professor of Nanjing University
10:40-11:00	High Quality GaN-based HEMTs Grown on 8” Si Substrate Using Single Wafer MOCVD Platform 陳耀--中微公司MOCVD工藝總監(jiān)   CHEN Yao--Director of MOCVD Process Technology，Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China（AMEC）
11:00-11:20	氮化鎵同質(zhì)外延中的雪崩擊穿特性Avalanche breakdown characteristics in homogeneous epitaxy of GaN 冀 東--香港中文大學(xué)（深圳）助理教授 JI Dong--Assistant Professor of The Chinese University of HONGKONG, Shenzhen
11:20-11:35	助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進展 Research progress of GaN growth by Na Flux 司志偉--中國科學(xué)院蘇州納米所助理研究員 SI Zhiwei--Assistant Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences
11:35-11:50	基于雙層石墨烯的高質(zhì)量GaN薄膜的外延生長 Epitaxial growth of high-quality GaN films based on Bilayer graphene 周繼宗--蘇州大學(xué) ZHOU Jizong--Soochow University
11:50-12:05	GaN:Mg薄膜金屬調(diào)制外延中周期占空比的影響 The Effect of Periodic Duty Cyclings in metal-Modulated Epitaxy on GaN:Mg Film 方俊--中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 FANG Jun--Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences

 （備注：本場會議日程仍在調(diào)整中，僅供參考，最終以現(xiàn)場為準(zhǔn)?。?/span>

部分嘉賓簡介

沈波

北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授，，分會程序委員會專家

沈波，北京大學(xué)教授、北京大學(xué)理學(xué)部副主任。曾任國家973計劃項目首席科學(xué)家、863計劃“第三代半導(dǎo)體”重點專項總體專家組組長?，F(xiàn)為國家十四五計劃 “新型顯示和戰(zhàn)略性先進電子材料” 重點專項專家組副組長兼第三代半導(dǎo)體方向?qū)＜医M組長，并擔(dān)任國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長。1995年迄今一直從事GaN基第三代半導(dǎo)體材料、物理和器件研究，在GaN基薄膜和量子結(jié)構(gòu)的MOCVD外延生長、強極化/高能帶階躍半導(dǎo)體二維電子氣輸運性質(zhì)、 GaN基射頻和功率電子器件、AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件等方面取得了在國內(nèi)外同行中有一定影響的研究成果。先后與華為、京東方、彩虹集團、北方華創(chuàng)、廣東光大集團等開展技術(shù)合作, 部分成果實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。先后獲國家技術(shù)發(fā)明二等獎、國家自然科學(xué)二等獎、江蘇省科技進步一等獎和教育部科技進步一等獎。

徐科

中國科學(xué)院蘇州納米所副所長、研究員，，分會程序委員會專家

徐科，中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所副所長、研究員，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長。一直圍繞高質(zhì)量氮化物半導(dǎo)體材料生長、相關(guān)材料與器件物理開展研究。開展了多種與GaN晶格匹配的單晶體生長，在LiAlO2(100)襯底上用MOCVD方法首次外延生長出非極性m面GaN；系統(tǒng)研究了GaN的MOCVD和MBE生長機理，氮化物的極性選擇、極性控制，闡明了極性對氮化銦(InN)生長的特殊影響，是國際上最早發(fā)現(xiàn)InN窄帶隙的研究者之一；近年來重點開展氮化物的氫化物氣相外延(HVPE)生長研究、極低缺陷密度氮化物材料的物性研究，研發(fā)出可以連續(xù)穩(wěn)定生產(chǎn)GaN單晶襯底的HVPE系統(tǒng)，開發(fā)出高質(zhì)量完整2英寸單晶氮化鎵襯底，并實現(xiàn)批量生產(chǎn)；組織開展納米尺度空間分辨的綜合光電測試技術(shù)與裝備研制、微納尺度原位加工與測試技術(shù)的融合，并用于半導(dǎo)體中單個缺陷和低維結(jié)構(gòu)的新奇物性研究。承擔(dān)了國家自然科學(xué)基金、973重大研究計劃、863項目、科技部國際合作項目、中科院裝備研制項目、江蘇省重大科技成果轉(zhuǎn)化專項、發(fā)改委戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)化示范項目等。

黎大兵

中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所研究員，分會程序委員會專家

黎大兵，中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所研究員。主要研究領(lǐng)域為GaN半導(dǎo)體材料與器件。作為項目負責(zé)人承擔(dān)國家重點研發(fā)計劃課題、國家自然科學(xué)基金、中國科學(xué)院科研項目10余項。曾獲中國科學(xué)院優(yōu)秀導(dǎo)師、吉林省青年領(lǐng)軍人才、吉林省第5批拔尖創(chuàng)新人才、中國科學(xué)院青年創(chuàng)新促進會優(yōu)秀會員、中國科學(xué)院盧嘉錫青年人才獎、吉林省自然科學(xué)學(xué)術(shù)成果獎一等獎（排名第一）、吉林省優(yōu)秀海外歸國人才優(yōu)秀獎等獎項和榮譽。擔(dān)任《Scientific Reports》、《半導(dǎo)體學(xué)報》、《發(fā)光學(xué)報》編委，中國金屬學(xué)會寬禁帶委員會委員，OSA高級會員。在Physical Review Letters、Advanced Materials,Light：Science & Applications，Applied Physics Letters等國際期刊上等發(fā)表SCI論文50余篇，申請發(fā)明專利十多項。

畢文剛

江蘇第三代半導(dǎo)體研究院副院長，分會程序委員會專家

畢文剛，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院副院長。美國加州大學(xué)圣地亞哥分校電氣與計算機工程系博士。曾先后在美國惠普(HP)實驗室、安捷倫(Agilent)實驗室、飛利浦Lumileds 公司擔(dān)任資深科學(xué)家，NNCrystal US Corporation/納晶科技股份有限公司擔(dān)任副總經(jīng)理及董事會董事等職務(wù)，主持前沿技術(shù)研發(fā)及成果轉(zhuǎn)化。長期從事半導(dǎo)體材料，量子點超晶格光電器件，固態(tài)照明和量子點顯示領(lǐng)域的前沿科技研究及成果轉(zhuǎn)化。以實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化為終極目標(biāo)，領(lǐng)導(dǎo)和參與過多項大型科研項目, 并組建和培養(yǎng)了一批科技中堅力量。

張源濤

吉林大學(xué)教授，分會程序委員會專家

張源濤，吉林大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師，教育部重大人才工程特聘教授，教育部新世紀(jì)人才，中國有色金屬學(xué)會寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會委員。曾長期在德國和日本從事寬禁帶半導(dǎo)體科學(xué)研究工作。2006年2月至2007年2月，德國德累斯頓工業(yè)大學(xué)應(yīng)用物理研究所洪堡學(xué)者（Humboldt fellow）。2008年8月至2010年3月日本東北大學(xué)金屬材料研究所JST-CREST研究員。2010年4月至2012年5月日本東北大學(xué)金屬材料研究所日本學(xué)術(shù)振興會外國人特別研究員(JSPS fellow)。主要研究方向涉及氮化物半導(dǎo)體材料的外延生長、物理特性及相關(guān)器件研究。氧化物材料的外延生長、物理特性及應(yīng)用研究。新型光電子器件研究。該方面工作主要是開展石墨烯和無機鈣鈦礦等新穎材料與寬帶半導(dǎo)體材料結(jié)合研究，構(gòu)筑新型光電子器件等。承擔(dān)國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項、國家自然科學(xué)基金重點項目、國家自然科學(xué)基金面上項目、國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃（973項目）、吉林省重大科技攻關(guān)項目、國家自然科學(xué)基金青年項目等多個項目。

楊敏

江蘇南大光電材料股份有限公司首席技術(shù)官，分會程序委員會專家

楊敏，江蘇南大光電材料股份有限公司首席科學(xué)家。博士畢業(yè)于英國哈德斯菲爾德大學(xué)，博士畢業(yè)后先后在牛津大學(xué)和劍橋大學(xué)化學(xué)系任博士后研究員?；貒霸吐氂谟鳸CL大學(xué)，任終身副教授、博導(dǎo)。2018年加入江蘇南大光電材料股份有限公司。

于彤軍

北京大學(xué)教授

于彤軍，北京大學(xué)物理學(xué)院教授。長期從事 GaN 基寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)光材料、物理和器件研究，在氮化物納米異質(zhì)外延生長機理研究、缺陷和應(yīng)力控制、AlGaN 深紫外發(fā)光偏振光學(xué)特性的機理和光場調(diào)控方面取得一系列成果。2016年起開展AlN單晶PVT設(shè)備建設(shè)和晶體生長研究，實現(xiàn)了PVT法2英寸AlN晶體生長。

武洪磊

深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副院長

武洪磊，深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副院長。主要從事寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備及相關(guān)器件研究，設(shè)計了國內(nèi)首臺寬禁帶半導(dǎo)體材料-氮化鋁晶體的專用生長爐，并形成了具有知識產(chǎn)權(quán)保護的氮化鋁晶體生長技術(shù)體系，同時進行了器件驗證。

張紀(jì)才

北京化工大學(xué)教授

張紀(jì)才，北京化工大學(xué)教授。曾先后在以色列理工學(xué)院、日本名古屋工業(yè)大學(xué)、日本三重大學(xué)從科研工作，長期從事III族氮化物半導(dǎo)體材料和器件研究。

修向前

南京大學(xué)教授

修向前，南京大學(xué)教授。曾留學(xué)日本電氣通信大學(xué)，先后在香港中文大學(xué)、美國Grinnell大學(xué)等訪問研究。主要從事基于III族氮化物寬帶隙半導(dǎo)體襯底材料與設(shè)備以及III族氮化物納米結(jié)構(gòu)材料與器件等的研究和應(yīng)用。2017年，主持的國家重點研發(fā)計劃“第三代半導(dǎo)體核心關(guān)鍵裝備”獲得立項。曾主持/參與863計劃、973、國家自然科學(xué)基金、國家自然科學(xué)基金重大項目、江蘇省自然科學(xué)基金等項目。已獲得授權(quán)國家發(fā)明專利30余項（第一發(fā)明人20余項），申請國家發(fā)明專利30余項。相關(guān)研究成果“III族氮化物半導(dǎo)體極化和缺陷研究”獲得2010年度“高等學(xué)?？茖W(xué)研究優(yōu)秀成果獎（科學(xué)技術(shù)）”自然科學(xué)獎一等獎，本人排名第二。

陳耀

中微公司MOCVD工藝總監(jiān)

陳耀，中微公司MOCVD工藝技術(shù)總監(jiān)，博士期間主要從事GaN材料的生長與特性研究。2011年至2014年在上海藍光科技有限公司擔(dān)任外延經(jīng)理，主要負責(zé)LED產(chǎn)品的研發(fā)和量產(chǎn)。2014年加入中微公司，主要從事中微公司MOCVD產(chǎn)品的工藝開發(fā)， 參與開發(fā)的MOCVD產(chǎn)品包括Prismo D-BLUE®、Prismo A7®、Prismo A8®、Prismo PD5® 和 Prismo UniMax®。

鐘明光 

馬爾文岶納科 亞太區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)理

鐘明光，馬爾文岶納科 亞太區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)理。曾任臺灣明志科技大學(xué)及臺灣東海大學(xué) X-Ray專題講師。在馬爾文帕納科任職超過20年，一直從事半導(dǎo)體行業(yè)分析設(shè)備的應(yīng)用與研究，發(fā)表多篇 X-Ray 應(yīng)用于SiGe材料的分析技術(shù)文章，精通X射線衍射及X射線熒光在第一代、第二代及第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的分析技術(shù)。

司志偉    

中國科學(xué)院蘇州納米所助理研究員

更多論壇進展信息，敬請關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)！

附論壇詳細信息：

會議時間 : 2023年11月27-30日

會議地點 :中國· 福建 ·廈門國際會議中心

主辦單位：

廈門市人民政府

廈門大學(xué)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）

承辦單位：

廈門市工業(yè)和信息化局

廈門市科學(xué)技術(shù)局

廈門火炬高新區(qū)管委會

惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

論壇主題：低碳智聯(lián)· 同芯共贏

程序委員會 ：

程序委員會主席團

主席：

張   榮--中國科學(xué)院院士，廈門大學(xué)黨委書記、教授

聯(lián)合主席：

劉   明--中國科學(xué)院院士、中國科學(xué)院微電子研究所所研究員

顧   瑛--中國科學(xué)院院士、解放軍總醫(yī)院教授

江風(fēng)益--中國科學(xué)院院士、南昌大學(xué)副校長、教授

李晉閩--中國科學(xué)院特聘研究員

張國義--北京大學(xué)東莞光電研究院常務(wù)副院長、教授

沈   波--北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授

徐   科--江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員

邱宇峰--廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原副院長

盛   況--浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、教授

張   波--電子科技大學(xué)教授

陳   敬--香港科技大學(xué)教授

徐現(xiàn)剛--山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長、教授

吳偉東--加拿大多倫多大學(xué)教授

張國旗--荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授

Victor Veliadis--PowerAmerica首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、美國北卡羅萊納州立大學(xué)教授