碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有諸多優(yōu)勢(shì)，碳化硅電力電子器件優(yōu)異的高效、高壓、高溫和高頻特性，使其在家用電器、電機(jī)節(jié)能、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、航天航空、石油勘探、自動(dòng)化、雷達(dá)與通信等領(lǐng)域有很大應(yīng)用潛力。隨著碳化硅電力電子器件技術(shù)的進(jìn)步及產(chǎn)業(yè)化，將在高壓電力系統(tǒng)等領(lǐng)域開辟全新應(yīng)用，迎來新的發(fā)展機(jī)遇。

第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門國(guó)際會(huì)議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，廈門市工業(yè)和信息化局、廈門市科學(xué)技術(shù)局、廈門火炬高新區(qū)管委會(huì)、惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。本屆論壇除了重量級(jí)開、閉幕大會(huì)，設(shè)有七大主題技術(shù)分會(huì)，以及多場(chǎng)產(chǎn)業(yè)峰會(huì)，將匯聚全球頂級(jí)精英，全面聚焦半導(dǎo)體照明及第三代半導(dǎo)體熱門領(lǐng)域技術(shù)前沿及應(yīng)用進(jìn)展。

目前，作為IFWS的重要分會(huì)之一的“碳化功率器件及其封裝技術(shù)分會(huì)“日程出爐，本屆分會(huì)得到了三安光電股份有限公司、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司、 清軟微視（杭州）科技有限公司、九峰山實(shí)驗(yàn)室、德國(guó)愛思強(qiáng)股份有限公司、河北普興電子科技股份有限公司、江蘇博睿光電股份有限公司、哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司、上海瞻芯電子科技有限公司、清純半導(dǎo)體(寧波)有限公司的協(xié)辦支持。分會(huì)上，來自北卡羅來納州立大學(xué)、日本大阪大學(xué)、西安交通大學(xué)、浙江大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、山東大學(xué)、湖南大學(xué)、廈門大學(xué)、天津工業(yè)大學(xué)、桂林電子科技大學(xué)、中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十五所、湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室、、中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所、北京智慧能源研究院懷柔實(shí)驗(yàn)室、三安光電、上海瞻芯電子、德國(guó)賀利氏電子、北方華創(chuàng)、華為數(shù)字能源、博睿光電等國(guó)內(nèi)外實(shí)力派科研院所及企業(yè)代表性力量齊聚，共同探討碳化功率器件及其封裝技術(shù)前沿發(fā)展趨勢(shì)及最新動(dòng)向。

分會(huì)日程詳情如下

技術(shù)分論壇：碳化功率器件及其封裝技術(shù) Technical Sub-Forum: Technologies for SiC Power Electronics Devices and Packaging
時(shí)間：2023年11月29日13:30-17:30、11月30日08:30-12:00 地點(diǎn)：廈門國(guó)際會(huì)議中心酒店 • 白鷺廳 Time: Nov 29, 13:30-17:30 & Nov 29th, 08:25-12:00 Location: Xiamen International Conference Center • Egret Hall
協(xié)辦支持/Co-organizer: 三安半導(dǎo)體 San'an Co.,ltd 廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司  NAURA Technology Group Co., Ltd.  賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司 SIAMC Advanced Material Corporation 清軟微視（杭州）科技有限公司    T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd.  九峰山實(shí)驗(yàn)室  JFS Laboratory 德國(guó)愛思強(qiáng)股份有限公司  AIXTRON 河北普興電子科技股份有限公司  HEBEIPOSHINGELECTRONICSTECHNOLOGYCO,LTD. 江蘇博睿光電股份有限公司  Jiangsu Bree Optronics Co.,Ltd. 哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司 KY Semiconductor, Inc 上海瞻芯電子科技有限公司 InventChip Technology Co., Ltd. 清純半導(dǎo)體(寧波)有限公司 SiChain Semiconductor (Ningbo) Co., Ltd
主持人 Moderator	盛況 / SHENG Kuang 浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授 Professor & Dean College of Electrical Engineering, Zhejiang University 張清純 / Jon ZHANG 復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任、特聘教授 Director and Distinguished Professor Center for Shanghai Silicon Carbide POWER Devices Engineering & Technology Research, Fudan University
13:25-13:30	嘉賓致辭/VIP Address
13:30-13:55	SiC chip cost, impact of defects, and the case of price parity with Si at the system level Victor Valiads--Power Amarica 首席技術(shù)官、北卡羅來納州立大學(xué)教授 Victor Veliadis--Executive Director & CTO, PowerAmerica Professor of North Carolina State University
13:55-14:15	提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑 Surface Optimization Approaches for Improving the Reliability of SiC MOS Devices 王德君--大連理工大學(xué)教授 Wang Dejun--Professor of Dalian University of Technology
14:15-14:35	產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合如何為SiC功率器件工廠賦能 How vertical integration empower the SiC power device foundry? 葉念慈--三安半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)  Nien-Tze Yeh--Director of Technology Development ,Sanan Semiconductor
14:35-14:55	碳化硅車載功率轉(zhuǎn)換解決方案 SiC Power Conversion Solutions in xEV 曹峻--上海瞻芯電子科技有限公司副總經(jīng)理   CAO JUN--Vice President of InventChip Technology Co., Ltd.
14:55-15:10	750V SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)對(duì)器件特性的影響研究 Research of Cell Topology on Characteristics of 750V SiC MOSFETs 黃潤(rùn)華--中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十五所研究所副主任設(shè)計(jì)師 HUANG Runhua--Nanjing elctronics institute
15:10-15:25	茶歇 / Coffee Break
15:25-15:45	SiC功率模塊中微米級(jí)Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展 Progress of micron-sized Ag sinter joining technology in SiC power modules 陳傳彤--日本大阪大學(xué)副教授 Chuantong CHEN--Associate professor of Osaka University, Japan
15:45-16:05	碳化硅功率半導(dǎo)體多芯片封裝技術(shù)Packaging Technology for Multichip SiC Devices 王來利 西安交通大學(xué)紹興市通越寬禁帶半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)、教授 WANG Laili  Professor of Xi'an Jiaotong University
16:05-16:25	先進(jìn)燒結(jié)解決方案 Advanced Sinter Solutions from Heraeus Electronics 董 侃--德國(guó)賀利氏電子功率市場(chǎng)經(jīng)理 Derek DONG--Power Electronics Market Manager of Heraeus Electronics
16:25-16:45	新型碳化硅溝槽器件技術(shù)研究進(jìn)展 Progress on the Research of next Generation Silicon Carbide Trench Power device 袁俊—湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室功率器件負(fù)責(zé)人 YUAN Jun--Head of Power Device of Hubei Jiufengshan Laboratory
16:45-17:05	面向SiC功率器件的裝備與工藝解決方案 Equipment and Process Solutions for SiC Power Devices 張軼銘--北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 ZHANG Yiming --R&D Manager of NAURA Technology Group Co., Ltd.
17:05-17:20	具有分離保護(hù)溝槽柵的超低導(dǎo)通電阻SiC LDMOS和Trench RESURF技術(shù) Ultra-Low On-Resistance SiC LDMOS With Separated-Protected Trench Gates and Trench RESURF Technology 張鑾喜--浙江大學(xué) Zhang Jianxi--Zhejiang University
17:20-17:35	1200-V SiC MOSFET在不同總電離劑量下的退化與恢復(fù)The Degradation and Recovery of 1200-V SiC MOSFET with Different Total Ionizing Doses 張園覽--復(fù)旦大學(xué) ZHANG Yuanlan--Fudan University
17:35-17:50	總電離劑量輻射對(duì)1200V溝道型SiC功率MOSFET雪崩穩(wěn)定性的影響Total Ionizing Dose Radiation Effect on Avalanche Robustness of 1200V Trench-type SiC power MOSFETs 陳家祺--湖南大學(xué) CHEN Jiaqi--Hunan University
17:50-18:05	一種新型短超結(jié)碳化硅絕緣柵雙極晶體管A Novel Silicon Carbide Insulated Gate Bipolar Transistor with Short Super Junction 張國(guó)良--廈門大學(xué) ZHANG Guoliang--Xiamen University
30日 / Nov 30
協(xié)辦支持/Co-organizer: 三安半導(dǎo)體 San'an Co.,ltd 廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司  NAURA Technology Group Co., Ltd.  賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司 SIAMC Advanced Material Corporation 清軟微視（杭州）科技有限公司    T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd.  九峰山實(shí)驗(yàn)室  JFS Laboratory 德國(guó)愛思強(qiáng)股份有限公司  AIXTRON 河北普興電子科技股份有限公司  HEBEIPOSHINGELECTRONICSTECHNOLOGYCO,LTD. 江蘇博睿光電股份有限公司  Jiangsu Bree Optronics Co.,Ltd. 哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司 KY Semiconductor, Inc 上海瞻芯電子科技有限公司 InventChip Technology Co., Ltd. 清純半導(dǎo)體(寧波)有限公司 SiChain Semiconductor (Ningbo) Co., Ltd
主持人 Moderator	盛況 / SHENG Kuang 浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授 Professor & Dean College of Electrical Engineering, Zhejiang University 張清純 / Jon ZHANG 復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任、特聘教授 Director and Distinguished Professor Center for Shanghai Silicon Carbide POWER Devices Engineering & Technology Research, Fudan University 王德君/WAND Dejun 大連理工大學(xué)教授 Professor of Dalian University of Technology
08:25-08:30	嘉賓致辭/VIP Address
08:30-08:50	新型溝槽SiC基MOSFET器件研究 Research on Novel SiC trench MOSFETs 張峰--廈門大學(xué)教授 ZHANG Feng--Professor of Xiamen University
08:50-09:10	一種用于SiC功率器件的高效復(fù)合結(jié)終端 A High Efficiency Composite Junction Termination for SiC Power Devices 金銳--北京智慧能源研究院懷柔實(shí)驗(yàn)室功率半導(dǎo)體部負(fù)責(zé)人 JIN Rui-- Head of Power Semiconductor Department, Beijing Institute of Smart Energy, Huairou Laboratory
09:10-09:30	4H-SiC高質(zhì)量柵氧氮化退火研究 Study of high-quality gate oxidation on 4H-SiC by nitride annealing 徐明升--山東大學(xué)教授 XU Mingsheng—Professor of Shandong University
09:30-09:45	一種用于SiC功率MOSFET的自調(diào)整消隱時(shí)間短路保護(hù)電路 A Self-Adjustable Blanking Time Short Circuit Protection Circuit for SiC Power MOSFETs 劉天天--中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 LIU Tiantian--Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology
09:50-10:05	1200V平面SiC MOSFET短路魯棒性的結(jié)構(gòu)分析Structure Analysis on the Short-circuit Robustness for 1200V Planar SiC MOSFETs   常一飛  復(fù)旦大學(xué) CHANG Yifei  Fudan university
10:05-10:20	茶歇 / Coffee Break
10:20-10:40	TBD 徐菊  華為數(shù)字能源電子裝聯(lián)Lab主任 XU Ju  Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.
10:40-11:00	SiC功率器件板級(jí)封裝的熱和熱-機(jī)械可靠性協(xié)同設(shè)計(jì) Thermal and Thermal-Mechanical Oriented Reliability Co-design of SiC Power Device Panel-level Packaging 樊嘉杰--復(fù)旦大學(xué)青年研究員 Jiajie FAN--Youth Researcher of Fudan University
11:00-11:20	面向功率器件封裝的高性能AlN陶瓷材料研究 Development of high performance AlN ceramic for multiply appliation 梁超--江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理 LIANG Chao-- Deputy General Manager of Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd
11:20-11:40	基于納米銀焊膏的碳化硅器件高散熱封裝互連方法研究 Development nano-silver paste for high heat dissipation packaging of SiC devices 張博雯 天津工業(yè)大學(xué)副教授 ZHANG Bowen  Associate Professor of Tiangong University
11:40:11:55	基于頻域阻抗分析的碳化硅及氮化鎵功率器件失效檢測(cè)方法研究 Research on Failure Detection Method for SiC and GaN Power Devices based on Frequency Domain Impedance Analysis 贠明輝--桂林電子科技大學(xué)   YUN Minghui--Guilin University of Electronic Technology
	午休

  （備注：本場(chǎng)會(huì)議日程仍在調(diào)整中，僅供參考，最終以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)?。?/span>  

部分嘉賓

盛況

浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授

盛況，浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授。長(zhǎng)期從事硅基和寬禁帶電力電子芯片、封裝及應(yīng)用研究，包括芯片設(shè)計(jì)與工藝、器件封裝與測(cè)試以及在智能電網(wǎng)、軌道交通、新能源汽車、工業(yè)電機(jī)、各類電源等領(lǐng)域中的應(yīng)用，2009年回國(guó)創(chuàng)建浙江大學(xué)電力電子器件實(shí)驗(yàn)室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是國(guó)內(nèi)較早開展碳化硅和氮化鎵電力電子器件研發(fā)的團(tuán)隊(duì)。?團(tuán)隊(duì)承擔(dān)了電力電子器件及應(yīng)用領(lǐng)域的多個(gè)國(guó)家級(jí)、省部級(jí)和橫向合作項(xiàng)目，包括國(guó)家重大科技專項(xiàng)、國(guó)家863主題項(xiàng)目及課題、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目及課題、自然科學(xué)基金委杰出青年基金、自然科學(xué)基金委重點(diǎn)項(xiàng)目等十余項(xiàng)，在器件理論、芯片研制、器件封測(cè)和應(yīng)用方面取得了一些成果，包括最早報(bào)道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在國(guó)內(nèi)較早自主研制出了系列SiC芯片和模塊（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出溝槽型超級(jí)結(jié)SiC肖特基二極管設(shè)計(jì)方法并報(bào)道了1300V（不包括襯底0.36 mΩ?cm2，品質(zhì)因子FOM達(dá)國(guó)際前列）SiC超級(jí)結(jié)二極管、提出新型垂直型氮化鎵晶體管結(jié)構(gòu)并報(bào)道了FOM處國(guó)際前列的芯片、基于新型單驅(qū)動(dòng)方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并聯(lián)模塊、首款10kVA基于全碳化硅器件的高壓電力電子變壓器、合作開發(fā)了高壓大容量硅基IGBT芯片等。團(tuán)隊(duì)也和國(guó)內(nèi)外著名企業(yè)開展合作推進(jìn)成果的產(chǎn)業(yè)化，合作企業(yè)包括國(guó)家電網(wǎng)、中車、中電集團(tuán)、華為、華潤(rùn)微電子、臺(tái)達(dá)、德國(guó)英飛凌、美國(guó)福特等公司，實(shí)現(xiàn)了碳化硅和硅基電力電子芯片的產(chǎn)業(yè)化。

張清純

復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任、特聘教授

張清純，復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任、特聘教授。長(zhǎng)期從事SiC器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。迄今撰寫過100余篇科技論文和SiC器件領(lǐng)域?qū)Ｖ蛔鳛榈谝缓秃献靼l(fā)明人，擁有75多項(xiàng)美國(guó)專利；多次擔(dān)任ISPSD技術(shù)委員會(huì)成員和碳化硅器件分會(huì)主席；曾任國(guó)際電力電子技術(shù)路線圖研討會(huì)聯(lián)合主席等。研究方向：半導(dǎo)體物理與器件；寬帶半導(dǎo)體器件物理、工藝、測(cè)試、產(chǎn)業(yè)化及應(yīng)用；器件模擬及仿真；電力系統(tǒng)。

Victor Valiads

Power Amarica 首席技術(shù)官、北卡羅來納州立大學(xué)教授

Victor Valiads，Power Amarica 首席技術(shù)官、北卡羅來納州立大學(xué)教授。美國(guó)電力是美國(guó)能源部寬禁帶電力電子公私合營(yíng)制造機(jī)構(gòu)。Veliadis博士管理著超過3000萬美元每年的預(yù)算，他戰(zhàn)略性地分配了超過35個(gè)工業(yè)、大學(xué)和國(guó)家實(shí)驗(yàn)室項(xiàng)目，以使美國(guó)在寬禁帶電力電子制造，勞動(dòng)力發(fā)展，創(chuàng)造就業(yè)和節(jié)約能源方面處于領(lǐng)先地位。Victor VELIADIS博士在2016年被任命為Power America的副執(zhí)行董事兼首席技術(shù)官之前，Veliadis博士在半導(dǎo)體行業(yè)工作了21年，他的工作內(nèi)容包括SiC SIT、JFET、MOSFET、半導(dǎo)體閘流管、JBS、肖特基二極管、和1-12 kV范圍內(nèi)的PiN二極管的設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試。

陳傳彤

日本大阪大學(xué)副教授

陳傳彤，日本大阪大學(xué)副教授。研究興趣包括無鉛焊接、Ag燒結(jié)連接、納米連接、3D封裝和電力電子封裝。在上述領(lǐng)域發(fā)表SCI期刊論文110余篇，IEEE會(huì)議論文70余篇。陳教授獲得了一些獎(jiǎng)項(xiàng)和榮譽(yù)，包括IEEE EMPC最佳海報(bào)獎(jiǎng)、2023年IEEE ICEP杰出技術(shù)論文獎(jiǎng)和2019年IEEE CPMT日本分會(huì)青年獎(jiǎng)。他還申請(qǐng)并獲得了15項(xiàng)日本和國(guó)際專利，其中包括3項(xiàng)美國(guó)專利。陳教授自2020年起擔(dān)任IEEE ICEPT的技術(shù)委員會(huì)成員，并擔(dān)任日本電子封裝學(xué)會(huì)關(guān)西分會(huì)的委員會(huì)成員。

王德君

大連理工大學(xué)教授

王德君，大連理工大學(xué)教授。研究方向涉及三代半導(dǎo)體SiC電子器件制造測(cè)試技術(shù)及裝備； SiC半導(dǎo)體缺陷物理學(xué)；集成電路技術(shù)。技術(shù)領(lǐng)域涉及SiC MOS器件柵氧可靠性分析測(cè)試技術(shù)；SiC MOS器件柵氧可靠性制造技術(shù)及裝備；SiC半導(dǎo)體表面干法清洗技術(shù)及裝備。

黃潤(rùn)華

中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十五所研究所副主任設(shè)計(jì)師

黃潤(rùn)華，中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十五所研究所副主任設(shè)計(jì)師。多年來一直從事高壓大功率碳化硅功率器件研制開發(fā)工作。承擔(dān)了多項(xiàng)科研任務(wù)，江蘇省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、預(yù)研、型譜、新品、基金等項(xiàng)目負(fù)責(zé)人。江蘇省“333”高層次人才，CASA三代半導(dǎo)體卓越新青年。獲國(guó)防科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)、電工技術(shù)學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)、北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)、電子學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)等獎(jiǎng)項(xiàng)，主要從事SiC相關(guān)的器件設(shè)計(jì)、關(guān)鍵工藝開發(fā)及工藝整合、器件測(cè)試及可靠性評(píng)估工作。開發(fā)出650V-6500V/25mΩ-1000mΩ SiC MOSFET和650V-6500V/1A-100A SiC SBD產(chǎn)品技術(shù)。

王來利

西安交通大學(xué)紹興市通越寬禁帶半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)、教授

王來利，西安交通大學(xué)紹興市通越寬禁帶半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)、教授。主要研究電力電子集成技術(shù)；2013年7月，被皇后大學(xué)特聘為研究員；2014年1月起，進(jìn)入加拿大勝美達(dá)科技；2017年3月，全職回到西安交通大學(xué)。研究領(lǐng)域或方向包括：寬禁帶功率半導(dǎo)體器件封裝集成及其應(yīng)用；高頻高效高溫電力電子變換技術(shù)；智能化檢測(cè)器件與檢測(cè)方法；無線電能傳輸。

葉念慈

三安半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)

葉念慈，三安半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)。專長(zhǎng)于化合物半導(dǎo)體器件的制作與設(shè)計(jì), 特別是在化合物半導(dǎo)體外延包括有機(jī)金屬氣相沉積與分子束外延已有20 年以上之經(jīng)驗(yàn)。另外光電器件設(shè)計(jì)制作、半導(dǎo)體器件制造也是其專業(yè)知識(shí)技能。其在臺(tái)灣中華電信股份有限公司電信研究所擔(dān)任過研究員，并在臺(tái)灣專業(yè)氮化鎵化合物半導(dǎo)體公司及其它半導(dǎo)體單位擔(dān)任首席技術(shù)與研發(fā)管理崗位。其在臺(tái)灣中央大學(xué)任職教授級(jí)特殊技術(shù)人員期間, 負(fù)責(zé)建立和運(yùn)作先進(jìn)電力電子實(shí)驗(yàn)室。2016 年2 月1 日被授予“廈門市臺(tái)灣特聘專家”榮譽(yù)稱號(hào)。

樊嘉杰

復(fù)旦大學(xué)青年研究員

樊嘉杰，復(fù)旦大學(xué)青年研究員。博士生導(dǎo)師。香港理工大學(xué)和美國(guó)馬里蘭大學(xué)聯(lián)合培養(yǎng)博士，荷蘭代爾夫特理工大學(xué)博士后/CSC公派訪問學(xué)者/客座研究員。主要研究方向第三代半導(dǎo)體封裝及可靠性。獲全國(guó)“第三代半導(dǎo)體卓越創(chuàng)新青年”稱號(hào)、入選江蘇省科協(xié)“青年科技人才托舉工程”、江蘇省第十五批“六大人才高峰”高層次人才等。

梁超

江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理

梁超，江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理，博士，研究員高工。先后入選“江蘇省333高層次人才培養(yǎng)工程”、江蘇省六大人才高峰、“千百十”計(jì)劃高層次創(chuàng)新領(lǐng)軍人才；獲江蘇省科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎(jiǎng)1項(xiàng)、南京市科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎(jiǎng)1項(xiàng)等。主要研究方向第三代半導(dǎo)體光電材料，在發(fā)光材料方向開發(fā)出LED用高性能鋁酸鹽、硅酸鹽體系多個(gè)色系熒光粉，為高光品質(zhì)照明、全光譜照明整體解決方案提供支撐；研究并開發(fā)出具有高導(dǎo)熱系數(shù)的AlN陶瓷基板及配套關(guān)鍵技術(shù)。共申請(qǐng)發(fā)明專利68件，授權(quán)發(fā)明專利54件（3件PCT專利分別于美國(guó)、韓國(guó)獲得授權(quán)），發(fā)表SCI收錄論文7篇，EI收錄論文6篇。

董侃

德國(guó)賀利氏電子功率市場(chǎng)經(jīng)理

董侃，德國(guó)賀利氏電子功率市場(chǎng)經(jīng)理。近二十年跨國(guó)公司從業(yè)經(jīng)歷，深耕電子及半導(dǎo)體行業(yè)，多年消費(fèi)電子，汽車電子及功率電子的Marketing經(jīng)驗(yàn)，熟悉行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)。

曹峻

上海瞻芯電子科技有限公司副總經(jīng)理

曹峻，上海瞻芯電子科技有限公司副總經(jīng)理。主要分管公司市場(chǎng)推廣，現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用支持和銷售服務(wù)。逾20年半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)、市場(chǎng)和銷售管理經(jīng)驗(yàn)，服務(wù)過多家晶圓廠和芯片設(shè)計(jì)公司。善于從半導(dǎo)體材料特性、工藝器件平臺(tái)開發(fā)、芯片設(shè)計(jì)和封裝設(shè)計(jì)，以及電力電子拓?fù)鋱D等多維度多領(lǐng)域，分析和研究碳化硅功率器件的新興市場(chǎng)與應(yīng)用。

張峰

廈門大學(xué)教授

張峰，廈門大學(xué)教授，博士生導(dǎo)師、國(guó)家青年“973”計(jì)劃首席科學(xué)家。從事寬禁帶半導(dǎo)體SiC材料與器件研究工作并取得系統(tǒng)性研究成果：率先研制10kV p溝道SiC IGBT器件，成功研制工業(yè)化1200V/60 mΩ和80 mΩ SiC MOSFET功率器件。國(guó)際上率先將1200V SiC肖特基二極管其應(yīng)用到電動(dòng)汽車充電樁中。同時(shí)，圍繞寬禁帶半導(dǎo)體光電探測(cè)器及單光子探測(cè)器的基本科學(xué)問題，研究提高探測(cè)器量子效率的物理機(jī)理與規(guī)律。先后獲中國(guó)科學(xué)院青年創(chuàng)新促進(jìn)會(huì)優(yōu)秀會(huì)員、第三代半導(dǎo)體卓越創(chuàng)新青年、福建省杰出青年科學(xué)基金等獎(jiǎng)勵(lì)和榮譽(yù)。

徐明升

山東大學(xué)教授

袁俊

湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室功率器件負(fù)責(zé)人

 

張軼銘

北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司博士

 

金銳

北京智慧能源研究院懷柔實(shí)驗(yàn)室功率半導(dǎo)體部負(fù)責(zé)人

附論壇詳細(xì)信息：

會(huì)議時(shí)間 : 2023年11月27-30日

會(huì)議地點(diǎn) :中國(guó)· 福建 ·廈門國(guó)際會(huì)議中心

主辦單位：

廈門市人民政府

廈門大學(xué)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）

承辦單位：

廈門市工業(yè)和信息化局

廈門市科學(xué)技術(shù)局

廈門火炬高新區(qū)管委會(huì)

惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

論壇主題：低碳智聯(lián)· 同芯共贏

程序委員會(huì) ：

程序委員會(huì)主席團(tuán)

主席：

張   榮--中國(guó)科學(xué)院院士，廈門大學(xué)黨委書記、教授

聯(lián)合主席：

劉   明--中國(guó)科學(xué)院院士、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所所研究員

顧   瑛--中國(guó)科學(xué)院院士、解放軍總醫(yī)院教授

江風(fēng)益--中國(guó)科學(xué)院院士、南昌大學(xué)副校長(zhǎng)、教授

李晉閩--中國(guó)科學(xué)院特聘研究員

張國(guó)義--北京大學(xué)東莞光電研究院常務(wù)副院長(zhǎng)、教授

沈   波--北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授

徐   科--江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)、中科院蘇州納米所副所長(zhǎng)、研究員

邱宇峰--廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原副院長(zhǎng)

盛   況--浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授

張   波--電子科技大學(xué)教授

陳   敬--香港科技大學(xué)教授

徐現(xiàn)剛--山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長(zhǎng)、教授

吳偉東--加拿大多倫多大學(xué)教授

張國(guó)旗--荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授

Victor Veliadis--PowerAmerica首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、美國(guó)北卡羅萊納州立大學(xué)教授