碳化功率器件因其在高溫、高頻率和高電壓環(huán)境下表現(xiàn)出色的特性而受到廣泛關(guān)注，發(fā)展?jié)摿κ志薮?，尤其在高溫、高頻率、高電壓以及對輻射抗性要求較高的特殊環(huán)境中具有明顯的優(yōu)勢。未來隨著制造技術(shù)的進(jìn)步、成本的降低以及對高性能功率器件的不斷需求，碳化功率器件有望在多個(gè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更廣泛的商業(yè)應(yīng)用。與此同時(shí)，碳化功率器件封裝技術(shù)呈現(xiàn)高度集成化，芯片級(jí)封裝技術(shù)，先進(jìn)散熱設(shè)計(jì)，多層、三維封裝，智能化封裝等多種趨勢。封裝技術(shù)不斷演進(jìn)在適應(yīng)更高性能、更高集成度和更為復(fù)雜應(yīng)用需求的發(fā)展方向。隨著技術(shù)的不斷創(chuàng)新和市場的發(fā)展，碳化功率器件封裝技術(shù)將繼續(xù)迎來新的突破和提升。
2023年11月27-30日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會(huì)議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，廈門市工業(yè)和信息化局、廈門市科學(xué)技術(shù)局、廈門火炬高新區(qū)管委會(huì)、惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。
期間，“碳化功率器件及其封裝技術(shù)分會(huì)“如期召開，本屆分會(huì)得到了三安光電股份有限公司、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司、清軟微視（杭州）科技有限公司、九峰山實(shí)驗(yàn)室、德國愛思強(qiáng)股份有限公司、河北普興電子科技股份有限公司、江蘇博睿光電股份有限公司、哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司、上海瞻芯電子科技有限公司、清純半導(dǎo)體(寧波)有限公司的協(xié)辦支持。
分會(huì)上，來自北卡羅來納州立大學(xué)、日本大阪大學(xué)、西安交通大學(xué)、浙江大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、山東大學(xué)、湖南大學(xué)、廈門大學(xué)、天津工業(yè)大學(xué)、桂林電子科技大學(xué)、中國電子科技集團(tuán)第五十五所、湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室、、中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所、北京智慧能源研究院懷柔實(shí)驗(yàn)室、三安光電、上海瞻芯電子、德國賀利氏電子、北方華創(chuàng)、華為數(shù)字能源、博睿光電等國內(nèi)外實(shí)力派科研院所及企業(yè)代表性力量齊聚，共同探討碳化功率器件及其封裝技術(shù)前沿發(fā)展趨勢及最新動(dòng)向。浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、教授盛況主持了本屆分會(huì)。
浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、教授盛況
Victor Valiads--Power Amarica 首席技術(shù)官、北卡羅來納州立大學(xué)教授 視頻報(bào)告
SiC chip cost, impact of defects, and the case of price parity with Si at the system level
王德君--大連理工大學(xué)教授
《提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑》
葉念慈--三安半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)
《產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合如何為SiC功率器件工廠賦能》
張軼銘--北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
《面向SiC功率器件的裝備與工藝解決方案 》
曹峻--上海瞻芯電子科技有限公司副總經(jīng)理
《碳化硅車載功率轉(zhuǎn)換解決方案 》
陳傳彤--日本大阪大學(xué)副教授
《SiC功率模塊中微米級(jí)Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展》
王來利-西安交通大學(xué)紹興市通越寬禁帶半導(dǎo)體研究院院長、教授
《碳化硅功率半導(dǎo)體多芯片封裝技術(shù)》
董侃--德國賀利氏電子功率市場經(jīng)理
《先進(jìn)燒結(jié)解決方案》
袁俊—湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室功率器件負(fù)責(zé)人
《新型碳化硅溝槽器件技術(shù)研究進(jìn)展》
黃潤華--中國電子科技集團(tuán)第五十五所研究所副主任設(shè)計(jì)師
《750V SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)對器件特性的影響研究》
張鑾喜--浙江大學(xué)
《具有分離保護(hù)溝槽柵的超低導(dǎo)通電阻SiC LDMOS和Trench RESURF技術(shù)》
張園覽--復(fù)旦大學(xué)
《1200-V SiC MOSFET在不同總電離劑量下的退化與恢復(fù)》
陳家祺--湖南大學(xué)
《總電離劑量輻射對1200V溝道型SiC功率MOSFET雪崩穩(wěn)定性的影響》
張國良--廈門大學(xué)
《一種新型短超結(jié)碳化硅絕緣柵雙極晶體管》
（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn)，僅供參考?。?/p>
