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中科大龍世兵課題組 | 基于交變柵壓調(diào)制的Ga2O3光電探測(cè)器

日期:2023-12-04 閱讀:305
核心提示:近日,中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世兵課題組提出了一種Ga2O3光電探測(cè)器的交變柵壓調(diào)制方案,為光電探測(cè)器的研究提供了新的思路。日盲光

近日,中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世兵課題組提出了一種Ga2O3光電探測(cè)器的交變柵壓調(diào)制方案,為光電探測(cè)器的研究提供了新的思路。日盲光電探測(cè)器在現(xiàn)今世界的光電系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用,然而幾乎所有基于光電導(dǎo)效應(yīng)的日盲光電探u測(cè)器都面臨著響應(yīng)速度和速度兩難困境(Responsivity & Speed dilemma,以下簡(jiǎn)寫(xiě)為RS困境)的問(wèn)題,即高的響應(yīng)度會(huì)導(dǎo)致相對(duì)長(zhǎng)的衰減時(shí)間。材料中的陷阱中心延長(zhǎng)了載流子壽命,光照下較高濃度的移動(dòng)載流子有利于更高的響應(yīng)度,但陷阱的作用延長(zhǎng)了光照消失后陷阱中心的捕獲和去捕獲過(guò)程,從而導(dǎo)致器件的高響應(yīng)度是以犧牲響應(yīng)速度為代價(jià),這就是光電探測(cè)器典型的RS困境問(wèn)題 (圖1a)。RS困境在基于氧化鎵的光電探測(cè)器中尤為突出,即使在高質(zhì)量晶體材料中,也存在固有的捕獲中心導(dǎo)致該現(xiàn)象的產(chǎn)生。

 

在該工作中,研究者們基于非晶氧化鎵(Amorphous GaOx,簡(jiǎn)稱a-GaOx)薄膜日盲光電探測(cè)器,定制了交變柵壓調(diào)制(Alternating Gate Modulation, AGM)方案(圖1b,c)。與通過(guò)恒定柵極偏置對(duì)光敏溝道狀態(tài)的傳統(tǒng)控制方法不同,在單個(gè)探測(cè)周期中,AGM方案通過(guò)動(dòng)態(tài)模式切換分別促進(jìn)了高響應(yīng)度和快衰減速度,從而一定程度上突破了光電探測(cè)器典型的RS困境問(wèn)題(圖1d)。
此外,隨著上述AGM調(diào)控效果的證明,進(jìn)行了5×5 規(guī)模a-GaOx陣列的紫外線成像的功能模擬,如圖1e所示。在四種不同的操作條件下,即Vgs=-10 V、0 V、10 V和AGM模式,執(zhí)行相同的光電探測(cè)任務(wù)并產(chǎn)生成像幀序列。每隔5秒,將字母“U”、“S”、“T”和“C”的圖像(5×5像素)按順序投影到陣列上?;诿總€(gè)方案的所有成像幀的比較,可以看出,由于R和衰減速度的同步增強(qiáng),AGM既能夠?qū)崿F(xiàn)最高的對(duì)比度,又不會(huì)因?yàn)樗绤^(qū)過(guò)大而產(chǎn)生重影,因此,動(dòng)態(tài)的AGM方案具有較好的成像應(yīng)用潛力。
該AGM方案為基于低成本或低質(zhì)量材料的光電探測(cè)器提供了躋身高性能器件的機(jī)會(huì),有利于緩解高性能探測(cè)器對(duì)高質(zhì)量材料的苛刻要求,從而降低產(chǎn)業(yè)化成本。

圖1  (a) RS困境、(b,c) AGM偏置方案、(d) AGM方案下的響應(yīng)特性改善、(e) 成像應(yīng)用示范

 

該研究成果以“Breaking the responsivity-speed dilemma of a-GaOx photodetector by alternating gate modulation”為題發(fā)表在 Science China Information Sciences 2023年第66卷第12期。本文第一作者為中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)博士畢業(yè)生張中方(現(xiàn)西湖大學(xué)博士后),通訊作者為中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院龍世兵教授、趙曉龍副研究員。該研究得到了國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目以及中科大微納研究與制造中心的支持。

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