功率半導體器件廣泛應(yīng)用于我國電力裝備、航空航天等戰(zhàn)略性科技領(lǐng)域，成為關(guān)系國家安全、國計民生與產(chǎn)業(yè)命脈的關(guān)鍵基礎(chǔ)支撐。過去幾十年里，半導體技術(shù)快速發(fā)展，芯片特性顯著提升。大功率半導體器件是由多顆半導體裸芯片通過封裝集成而形成，面臨著封裝特性提升較慢，無法匹配芯片特性等挑戰(zhàn)。

近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開。期間，“碳化功率器件及其封裝技術(shù)”分會上，西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院院長、教授王來利做了“碳化硅功率半導體多芯片封裝技術(shù)”的主題報告，分享了最新研究進展。

研究提出了磁耦合精確調(diào)控多芯片并聯(lián)電熱均衡方法，提出了控制磁場耦合度的多芯片電熱應(yīng)力調(diào)控方法，解決了多芯片不均衡性電熱應(yīng)力調(diào)控難題，為提高寬禁帶器件容量與可靠性建立了基礎(chǔ)。首次獲得了碳化硅半導體在550℃高溫的動靜態(tài)特性，掌握了碳化硅極寬溫度范圍內(nèi)關(guān)鍵特征參數(shù)變化規(guī)律，并基于高溫器件實現(xiàn)了環(huán)境溫度265℃的高溫變換器。

嘉賓簡介

王來利，教授、博導，西安交通大學工業(yè)自動化系黨支部書記、主任，西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院院長，國家杰出青年科學基金獲得者，入選國家高層次人才引進計劃青年項目，陜西省高層次人才引進計劃創(chuàng)新人才長期項目，陜西科技創(chuàng)新團隊（帶頭人），小米青年學者，主要研究寬禁帶半導體芯片、封裝集成與電力電子變換器，承擔國家級項目8項，其中重點項目3項，在重要期刊與國際會議上發(fā)表論文240余篇，獲得本領(lǐng)域權(quán)威期刊與重要國際會議最佳/優(yōu)秀論文獎10項，獲得中國電工技術(shù)學會技術(shù)發(fā)明一等獎（第1完成人）、中國電源學會科技進步一等獎（第1完成人）、日內(nèi)瓦國際發(fā)明金獎（第1完成人）、 陜西自然科學二等獎（第1完成人）、陜西省高等學校科學技術(shù)一等獎（第1完成人）、中國電源學會杰出青年獎、中國電工技術(shù)學會青年科技獎、中國電力優(yōu)秀青年科技人才獎、陜西省青年科技獎、陜西省三秦青年科技創(chuàng)新之星等獎項，成果入選了2022年中國科協(xié)“科創(chuàng)中國”先導技術(shù)榜-電子信息領(lǐng)域。在8個國際國內(nèi)學術(shù)組織分支機構(gòu)擔任主席（主任）、副主席（副主任）職務(wù)，在3個電力電子領(lǐng)域權(quán)威期刊擔任副主編；組織國際國內(nèi)重要會議10次，受邀在會議中做報告18次。