上交所12月22日舉辦科創(chuàng)板新質(zhì)生產(chǎn)力行業(yè)沙龍第二期“換道超車-第三代半導(dǎo)體”，聚焦第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。在現(xiàn)場(chǎng)，華潤(rùn)微、芯聯(lián)集成、天岳先進(jìn)3家第三代半導(dǎo)體頭部企業(yè)與多家證券公司、基金管理公司、QFII等機(jī)構(gòu)深入交流第三代半導(dǎo)體的性能優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用場(chǎng)景、產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程、發(fā)展趨勢(shì)等話題，探討“換道超車”的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。

與會(huì)嘉賓普遍認(rèn)為，目前全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)處于起步階段，并正在加速發(fā)展。我國(guó)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行了全產(chǎn)業(yè)鏈布局，各環(huán)節(jié)均涌現(xiàn)出具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的企業(yè)。相比硅基半導(dǎo)體而言，中國(guó)企業(yè)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域和國(guó)際處于同一起跑線，有望實(shí)現(xiàn)“換道超車”。

第三代半導(dǎo)體龍頭涌現(xiàn)

中央經(jīng)濟(jì)工作會(huì)議提出，要以科技創(chuàng)新推動(dòng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新，特別是以顛覆性技術(shù)和前沿技術(shù)催生新產(chǎn)業(yè)、新模式、新動(dòng)能，發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力。

第三代半導(dǎo)體被稱為“未來電子產(chǎn)業(yè)基石”，指的是以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。

天岳先進(jìn)董事長(zhǎng)宗艷民表示，“相較于傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。”

第三代半導(dǎo)體以此特有的性能優(yōu)勢(shì)，在半導(dǎo)體照明、新能源汽車、新一代移動(dòng)通信、新能源并網(wǎng)、高速軌道交通等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。2020年9月，第三代半導(dǎo)體寫入“十四五”規(guī)劃，在技術(shù)、市場(chǎng)與政策的三力驅(qū)動(dòng)下，近年來國(guó)內(nèi)涌現(xiàn)出多家第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的龍頭公司。

華潤(rùn)微作為專注于功率半導(dǎo)體的IDM公司，在多年前就布局了第三代半導(dǎo)體，基于自身硅基器件設(shè)計(jì)、制造和銷售優(yōu)勢(shì)，建設(shè)了6英寸碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)線，覆蓋從晶圓制造到成品封裝全產(chǎn)業(yè)鏈。

芯聯(lián)集成同樣積極布局第三代半導(dǎo)體，從2021年起開始投入碳化硅MOSFET芯片、模組封裝技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)能建設(shè)，并在兩年時(shí)間里完成了3輪技術(shù)迭代，碳化硅MOSFET的器件性能已經(jīng)與國(guó)際先進(jìn)水平同步，實(shí)現(xiàn)了6英寸5000片/月碳化硅MOSFET芯片的大批量生產(chǎn)。

從進(jìn)口替代到加速出海

目前，全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)整體處于起步階段，并正在加速發(fā)展。與會(huì)嘉賓均表示，我國(guó)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行了全產(chǎn)業(yè)鏈布局，各環(huán)節(jié)均涌現(xiàn)出具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的企業(yè)。相比硅基半導(dǎo)體而言，中國(guó)企業(yè)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域和國(guó)際處于同一起跑線，有望實(shí)現(xiàn)“換道超車”。

華潤(rùn)微總裁李虹表示，“從事碳化硅襯底和外延的國(guó)內(nèi)頭部廠家從產(chǎn)量、質(zhì)量上已經(jīng)接近國(guó)際先進(jìn)水平，未來基于規(guī)?；?、良率提升等成本進(jìn)一步下降，將非常具有競(jìng)爭(zhēng)力。”

“在器件領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)企業(yè)碳化硅二極管、氮化稼器件也都已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。”芯聯(lián)集成總經(jīng)理趙奇表示。

從材料端來看，天岳公司在半絕緣襯底、車規(guī)級(jí)襯底應(yīng)用已經(jīng)走在國(guó)際前列。宗艷民表示，“目前碳化硅襯底不僅能夠滿足國(guó)內(nèi)需求，而且還實(shí)現(xiàn)了向海外輸出，公司已成為包括英飛凌、博世等海外頭部企業(yè)的主要供貨商。”

第三代半導(dǎo)體或超預(yù)期增長(zhǎng)

對(duì)于未來市場(chǎng)需求和增長(zhǎng)空間，與會(huì)嘉賓均認(rèn)為，第三代半導(dǎo)體屬于藍(lán)海市場(chǎng)。

Yole數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)2028年全球碳化硅市場(chǎng)規(guī)模將高達(dá)89.06億美元，氮化鎵市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)47億美元。對(duì)此，與會(huì)嘉賓均認(rèn)為，這一判斷符合預(yù)期，實(shí)際增長(zhǎng)也可能超預(yù)期。

李虹表示，碳化硅市場(chǎng)目前正處于成長(zhǎng)期，主要基于以下幾個(gè)因素：首先，碳化硅主要的應(yīng)用市場(chǎng)如新能源汽車、充電樁、光伏、儲(chǔ)能等行業(yè)正處于快速發(fā)展期；其次，碳化硅、氮化稼由于其高壓高溫高頻特性，在很多應(yīng)用領(lǐng)域逐步替代硅基產(chǎn)品的市場(chǎng)份額，比如空壓機(jī)、不間斷電源、射頻電源等。

“越來越多有一定技術(shù)能力的公司正在圍繞碳化硅功率器件特性設(shè)計(jì)下一代新產(chǎn)品?？梢灶A(yù)見的是，未來一、兩年碳化硅功率器件市場(chǎng)將有質(zhì)的變化。”李虹表示。

趙奇表示，“調(diào)研機(jī)構(gòu)預(yù)估接下來幾年全球第三代半導(dǎo)體年復(fù)合增長(zhǎng)率在30%至40%。對(duì)于中國(guó)企業(yè)而言，由于我們?cè)谛履茉雌?、光伏等主要終端應(yīng)用市場(chǎng)占據(jù)了領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)高于全球平均的增長(zhǎng)曲線。”

趙奇進(jìn)一步分析了未來碳化硅器件四個(gè)主要的應(yīng)用場(chǎng)景，分別是新能源車的主驅(qū)逆變器、車載充電機(jī)、光伏/風(fēng)力電站和儲(chǔ)能的逆變器、大于萬伏的超高壓輸配電。其中，電動(dòng)車800V超充技術(shù)升級(jí)后，2024年會(huì)是碳化硅器件大量使用到車載主驅(qū)逆變器的一年。

來源：證券時(shí)報(bào)