據(jù)國家知識產權局公告，北京大學申請一項名為“一種半導體器件結構及其制備方法和應用“，公開號CN117293183A，申請日期為2023年9月。

專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種半導體結構及其制備方法和應用，屬于半導體技術領域。本發(fā)明提出的半導體器件結構中，互補溝道層材料為氧化物半導體材料，具有寬禁帶的特點，可以獲得較低的器件關態(tài)電流，且利用溝道層材料為輕摻雜或者無摻雜的半導體襯底材料，與摻雜類型相反的源區(qū)和漏區(qū)一起組成了具體低泄漏電流特性的反偏PIN結。此外，由于漏區(qū)與底層柵導電層之間存在著一定大小的橫向間距，使得靠近漏區(qū)的溝道層表面不受柵控，可以進一步降低器件的關態(tài)電流。因此，本發(fā)明提出的半導體器件結構，關態(tài)電流明顯低于相同尺寸、相同半導體襯底材料的CMOS器件。

（來源：金融界）