簡介

4H SiC 中晶體缺陷的準(zhǔn)確表征對于增進(jìn)對晶體生長的基本了解、改進(jìn)過程控制和實現(xiàn)成功的工業(yè)應(yīng)用至關(guān)重要。在多種應(yīng)用中，4H SiC 引起了電力電子領(lǐng)域的特別關(guān)注，因為與傳統(tǒng)硅基器件相比，4H SiC 具有固有的優(yōu)勢，例如更高的工作溫度和更低的開關(guān)損耗。另一方面，對 SiC 中各種晶體缺陷密度的有限工藝控制，包括基面位錯 (BPD) 和堆垛層錯 (BSF)，可能會嚴(yán)重影響器件良率。同步加速器 X 射線形貌 (XRT) 已應(yīng)用于 PVT 生長的 SiC 中晶體缺陷的高靈敏度表征。該技術(shù)使得能夠觀察基面滑移帶 (BPSB)，這是密集聚集的平行 BPD 陣列。BPSB 的幾何形狀與 SiC 晶圓上的棒堆垛層錯 (BSF) 相似，但它們是不同的缺陷。在此，我們報告了生產(chǎn)線計量工具的能力，用于檢測 BPSB 并將其分類為測試級晶圓上與 BSF 不同的缺陷，以及通過外延生長進(jìn)行缺陷傳播的研究。

實驗

4H n 型 SiC 晶錠通過籽晶升華生長，并使用標(biāo)準(zhǔn)晶圓和拋光工藝從晶錠制造晶圓。使用同步加速器 X 射線形貌 (XRT) 和激光掃描 (KLA Candela 8520) 技術(shù)對晶圓進(jìn)行成像。XRT 成像使用