韓國政府周一公布了一項計劃，計劃到 2047 年在首爾南部建立一個所謂的 " 半導(dǎo)體巨型集群 "，該計劃將推動和 SK 海力士公司的總投資達(dá)到 622 萬億韓元（約合 4720 億美元）。
根據(jù)韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部和科學(xué)部的聯(lián)合聲明，該產(chǎn)業(yè)群將包括京畿道南部的多個工業(yè)園區(qū)，總面積將達(dá)到 2100 萬平方米，到 2030 年將達(dá)到每月 770 萬片晶圓的生產(chǎn)能力。
具體來說，韓國政府計劃在板橋建立無晶圓廠產(chǎn)業(yè)專屬區(qū)，并在華城、龍仁、利川、平澤等地建立晶圓廠和存儲芯片生產(chǎn)設(shè)施。
韓國還決定在安城建設(shè)材料、零部件、設(shè)備產(chǎn)業(yè)園區(qū)，在基興和水原建設(shè)研發(fā)設(shè)施。根據(jù)該計劃，該地區(qū)目前擁有 21 家制造工廠，到 2047 年將新增 16 家工廠，其中包括 3 家研究設(shè)施。
韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部長官安德根表示：" 早日完成半導(dǎo)體超級集群的建設(shè)，將在芯片領(lǐng)域獲得世界領(lǐng)先的競爭力，并為年輕一代提供優(yōu)質(zhì)的就業(yè)機(jī)會。"
具體而言，三星電子計劃投資 500 萬億韓元，其中包括：投資 360 萬億韓元在首爾以南 33 公里的龍仁新建 6 個晶圓廠；投資 120 萬億韓元在首爾以南 54 公里的平澤新建 3 個晶圓廠；投資 20 萬億韓元在器興新建 3 個研究設(shè)施。
SK 海力士將投資 122 萬億韓元，在龍仁新建 4 個晶圓廠。韓國政府計劃以民間投資為基礎(chǔ)，以 2 納米制程芯片和高帶寬存儲器等尖端產(chǎn)品為中心，打造世界級的生產(chǎn)能力。
韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部還表示，這一規(guī)模達(dá) 622 萬億韓元的項目將創(chuàng)造 346 萬個工作崗位。韓國政府預(yù)計，到 2030 年，韓國在全球非存儲芯片市場的占有率將從目前的 3% 大幅上升到 10%。
隨著大型產(chǎn)業(yè)集群的建設(shè)，韓國政府承諾通過將關(guān)鍵材料、零部件和設(shè)備供應(yīng)鏈的自給率從目前的 30% 提高到 2030 年的 50% 來支持這一生態(tài)系統(tǒng)。
韓國總統(tǒng)尹錫悅強(qiáng)調(diào)，為尋求半導(dǎo)體超級集群的商機(jī)，外資企業(yè)接踵而至。得益于此，在各國外商投資紛紛腰斬的情況下，只有韓國去年在吸引外商直接投資方面創(chuàng)新高。
尹錫悅還表示，一座晶圓代工廠就需要一臺 1.3 千兆瓦功率的核電機(jī)組，芯片產(chǎn)業(yè)需要高品質(zhì)且穩(wěn)定的電力供應(yīng)，因此核電站必不可少。若走 " 脫核電 " 之路，不只是半導(dǎo)體，其他高新產(chǎn)業(yè)也得放棄。為了發(fā)展民生，應(yīng)持續(xù)發(fā)展核電產(chǎn)業(yè)。
就今年即將到期的半導(dǎo)體投資減稅政策，尹錫悅表示，政府將延長相關(guān)法律的有效期，今后會繼續(xù)實施投資減稅政策。該政策將進(jìn)一步刺激半導(dǎo)體企業(yè)投資，增加相關(guān)生態(tài)鏈及全體企業(yè)的收益，同時創(chuàng)造就業(yè)崗位，增加國家稅收。
韓國在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域競爭中的 " 弱勢 " 越加明顯
12 月底，韓媒《中央日報》發(fā)布了其與大韓商工會議所，對韓國、美國、中國、日本、歐盟等世界五大知識產(chǎn)權(quán)局（IP5）申請的半導(dǎo)體專利的分析結(jié)果，發(fā)現(xiàn)在過去 20 年里，中國申請的半導(dǎo)體專利在 IP5 中所占份額從 2003 年的 14% 猛增至 2022 年的 71.7%。同時，在全球半導(dǎo)體技術(shù)專利中，在中美申請注冊的專利比重從 45.6% 飆升至 92.9%。
韓媒認(rèn)為，隨著半導(dǎo)體領(lǐng)先地位的競爭越發(fā)激烈，" 核心技術(shù)向中美集中的現(xiàn)象也越來越明顯 "。反之，韓國半導(dǎo)體專利的急劇下降，和其作為專利注冊地的吸引力不足都令人倍感擔(dān)憂。
《中央日報》分析稱，從過去 20 年專利申請數(shù)量來看，中國 " 半導(dǎo)體崛起 " 的地位得到 " 認(rèn)證 "。據(jù)其報道，2003 年，中國在中國國家知識產(chǎn)權(quán)局申請的半導(dǎo)體專利占 IP5 的 14%，去年已經(jīng)劇增至 71.7%。
IP5 專利件數(shù)在各國中所占比，截圖自《中央日報》｜韓國（藍(lán)）美國（橘）中國（褐）日本（灰）歐盟（深灰）
此外，從 2018 年至 2022 年，中國在這 5 年間的 IP5 半導(dǎo)體專利申請數(shù)（13.5428 萬件）排名第一，遠(yuǎn)超排名第二的美國（8.7573 萬件），而這一數(shù)據(jù)是幾乎比 15 年前（2003-2007 年）翻了 5 番還多。
IP5 半導(dǎo)體專利數(shù)，截圖自《中央日報》｜韓國（藍(lán)）美國（橘）中國（褐）日本（灰）歐盟（深灰）
報道還提到，在過去 10 年，中國在不僅在半導(dǎo)體小部件領(lǐng)域（材料、零部件、設(shè)備）獲得了很多技術(shù)專利，在舊型、通用半導(dǎo)體、最尖端半導(dǎo)體等領(lǐng)域同樣成果頗豐。不過，在衡量所有專利質(zhì)量的被引用指數(shù)（CPP）上，中國為 2.89，低于美國（6.96）和韓國（5.15）。
《中央日報》總結(jié)稱，由此可見，美國在先進(jìn)半導(dǎo)體等技術(shù)專利的質(zhì)量上占據(jù)優(yōu)勢，而中國在半導(dǎo)體專利的數(shù)量上領(lǐng)先。報道援引韓國知識產(chǎn)權(quán)研究所研究員郭賢（音）分析稱，每個國家的專利申請數(shù)量是預(yù)測每個國家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長潛力和市場擴(kuò)張的重要指標(biāo)，中國正在以數(shù)量增長為基礎(chǔ)，謀求質(zhì)的巨變，CPP 較高的韓國不能掉以輕心。
將視線回到韓國，《中央日報》認(rèn)為，韓國在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域競爭中的 " 弱勢 " 越加明顯。
據(jù)報道，過去 5 年，韓國申請的半導(dǎo)體專利為 1.8911 萬件，與中美差距較大，僅略高于排名第四的日本（1.8602 萬件）。同時，去年韓國半導(dǎo)體專利的 IP5 份額也從 2003 年的 21.2% 降至 2.4%?！吨醒肴請蟆吩诹硪黄缯撝袚?dān)憂，如果韓國半導(dǎo)體行業(yè)不進(jìn)行一場 " 刻骨革新 "，未來 10 年內(nèi)甚至可能會被日本超越。
