2024年4月9-11日,一年一度化合物半導(dǎo)體行業(yè)盛會(huì)——2024九峰山論壇暨中國(guó)國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(簡(jiǎn)稱(chēng)“JFSC&CSE”)將于武漢光谷科技會(huì)展中心舉辦。杭州富加鎵業(yè)科技有限公司作為參展商將攜新品亮相本屆盛會(huì),誠(chéng)邀業(yè)界同仁蒞臨1T45展臺(tái)參觀(guān)、交流合作。
本屆CSE博覽會(huì)由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、九峰山實(shí)驗(yàn)室共同主辦,以“聚勢(shì)賦能 共赴未來(lái)”為主題,將匯集全球頂尖的化合物半導(dǎo)體制造技術(shù)專(zhuān)家、行業(yè)領(lǐng)袖和創(chuàng)新者,采用“示范展示+前沿論壇+技術(shù)與商貿(mào)交流”的形式,為產(chǎn)業(yè)鏈的升階發(fā)展搭建供需精準(zhǔn)對(duì)接平臺(tái),助力企業(yè)高效、強(qiáng)力拓展目標(biāo)客戶(hù)資源,加速驅(qū)動(dòng)中國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的完善和升級(jí)。
CSE作為2024年首場(chǎng)國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)得到了多方力量的大力支持,三大主題展區(qū),六大領(lǐng)域,將集中展示各鏈條關(guān)鍵環(huán)節(jié)的新技術(shù)、新產(chǎn)品、新服務(wù),將打造化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的標(biāo)桿性展會(huì)。助力打造全球化合物半導(dǎo)體平臺(tái)、技術(shù)、產(chǎn)業(yè)的燈塔級(jí)盛會(huì),集中展示化合物半導(dǎo)體上下游全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品,搭建企業(yè)發(fā)布年度新產(chǎn)品新技術(shù)的首選平臺(tái),支撐產(chǎn)業(yè)鏈及中部地區(qū)建設(shè)具有全球影響力的萬(wàn)億級(jí)光電子信息產(chǎn)業(yè)集群。
杭州富加鎵業(yè)科技有限公司成立于2019年12月31日,是杭州光學(xué)精密機(jī)械研究所注冊(cè)成立的第一家“硬科技”企業(yè),并于2023年獲得國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定。主要從事氧化鎵單晶材料生長(zhǎng)、氧化鎵襯底及外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售工作,產(chǎn)品可應(yīng)用于微波電子、電力電子等各領(lǐng)域內(nèi)。目前公司共獲得35項(xiàng)國(guó)內(nèi)授權(quán)專(zhuān)利,其中發(fā)明專(zhuān)利已授權(quán)10項(xiàng),實(shí)用新型專(zhuān)利已授權(quán)25項(xiàng);軟件著作已授權(quán)2項(xiàng),商標(biāo)已授權(quán)1項(xiàng)。
產(chǎn)品介紹
2寸/4寸氧化鎵晶圓
利用導(dǎo)模法(EFG)生長(zhǎng)的 UID 及錫摻雜 Ga2O3晶體(100),加工得到 2 英寸 /4 英寸氧化鎵晶圓。
氧化鎵外延片(MBE)
基于分子束外延(MBE),在半絕緣的Fe 摻雜 Ga2O3 (010)襯底上生長(zhǎng) Sn 摻 Ga2O3同質(zhì)外延薄膜。
氧化鎵外延片(MOCVD)
基于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD),在導(dǎo)電型 Sn 摻雜 Ga203 襯底上生長(zhǎng)Ga2O3同質(zhì)外延膜。
值此之際,我們誠(chéng)邀業(yè)界同仁共聚本屆盛會(huì),蒞臨展位現(xiàn)場(chǎng)參觀(guān)交流、洽談合作。
關(guān)于JFSC&CSE 2024