2024年4月8-11日，一年一度化合物半導體行業(yè)盛會——2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會（簡稱“JFSC＆CSE”）將于武漢光谷科技會展中心舉辦。蘇州德龍激光股份有限公司將攜新品亮相本屆盛會，誠邀業(yè)界同仁蒞臨A301展臺參觀、交流合作。
本屆CSE博覽會由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、九峰山實驗室共同主辦，以“聚勢賦能 共赴未來”為主題，將匯集全球頂尖的化合物半導體制造技術專家、行業(yè)領袖和創(chuàng)新者，采用“示范展示+前沿論壇+技術與商貿(mào)交流”的形式，為產(chǎn)業(yè)鏈的升階發(fā)展搭建供需精準對接平臺，助力企業(yè)高效、強力拓展目標客戶資源，加速驅(qū)動中國化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈的完善和升級。
CSE作為2024年首場國際化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會得到了多方力量的大力支持，三大主題展區(qū)，六大領域，將集中展示各鏈條關鍵環(huán)節(jié)的新技術、新產(chǎn)品、新服務，將打造化合物半導體領域的標桿性展會。助力打造全球化合物半導體平臺、技術、產(chǎn)業(yè)的燈塔級盛會，集中展示化合物半導體上下游全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品，搭建企業(yè)發(fā)布年度新產(chǎn)品新技術的首選平臺，支撐產(chǎn)業(yè)鏈及中部地區(qū)建設具有全球影響力的萬億級光電子信息產(chǎn)業(yè)集群。
德龍激光（688170.SH）2005年由趙裕興博士創(chuàng)辦，位于蘇州工業(yè)園區(qū)，2022年4月29日科創(chuàng)板上市。公司是一家技術驅(qū)動型企業(yè)，自成立以來，一直致力于新產(chǎn)品、新技術、新工藝的前沿研究和開發(fā)。公司專注于激光精細微加工領域，憑借先進的激光器技術、高精度運動控制技術以及深厚的激光精細微加工工藝積淀，聚焦于泛半導體、新型電子及新能源等應用領域，為各種超薄、超硬、脆性、柔性及各種復合材料提供激光加工解決方案。同時，公司通過自主研發(fā)，目前已擁有納秒、超快（皮秒、飛秒）及可調(diào)脈寬系列固體激光器的核心技術和工業(yè)級量產(chǎn)的成熟產(chǎn)品。德龍激光肩負著“用激光開創(chuàng)微納世界”的使命，致力于成為在精細微加工領域具備全球影響力的激光公司。
產(chǎn)品介紹
碳化硅晶錠切片設備
設備說明
本設備用于碳化硅晶錠/片的激光切片加工，激光切割后，配合輔助裝置完成晶片的分片。
設備型號
DLDS-8680
設備參數(shù)
最大切割晶錠厚度：50mm
上下料方式：全自動上下料
切割軸速度：0-1000mm/s
激光加工損耗：110-150μm（6寸，380μm厚度）
加工效率：≤25min/pcs（6寸，380μm厚度）
設備優(yōu)勢
材料損耗小，加工效率高，設備運行無需耗材，加工成本低。
應用領域
應用于碳化硅晶錠（片）的晶圓切片加工領域。
碳化硅激光退火設備
設備說明
該設備用于碳化硅的歐姆退火工藝，具備裸片自動上下料、晶圓自動校準等功能。
設備型號
LAN-6281
設備參數(shù)
退火晶圓材質(zhì)：碳化硅
加工產(chǎn)能：150mm圓片≥7wph（以20片圓片全自動傳片進行計算）
加工產(chǎn)品尺寸：6-8寸
退火方式：厚度100-200nm以碳化硅為襯底的晶圓上Ni金屬歐姆退火
設備優(yōu)勢
加工工藝效果優(yōu)異，加工效率高，設備運行無需耗材，加工成本較低。
應用領域
應用于碳化硅晶圓片的背金激光退火（以碳化硅材料為基板的晶圓）。
化合物晶圓激光切割設備
設備說明
本設備是利用超短脈沖激光實現(xiàn)化合物晶圓高質(zhì)量、高效率切割。切割速度快，切割效果好，良率高；提供整套的切割&裂片&擴片設備，完整解決方案；工藝成熟，可針對不同類型晶圓進行切割。
設備型號
Inducer-5560（SiC）
Inducer-5360（GaAs/InP）
設備參數(shù)
最大切割厚度：500μm
切割軸最大速度值：500mm/s
加工尺寸：6寸（可升級至8寸）
設備優(yōu)勢
切割速度快，切割效果好，良率高
提供整套的裂片&擴片設備，完整的解決方案
工藝成熟，可針對不同類型的碳化硅晶圓進行切割
應用領域
可針對碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、鉭酸鋰/鈮酸鋰晶圓提供專用的激光隱形切割設備。
值此之際，我們誠邀業(yè)界同仁共聚本屆盛會，蒞臨展位現(xiàn)場參觀交流、洽談合作。
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