2024年4月8-11日,一年一度化合物半導體行業(yè)盛會——2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會(簡稱“JFSC&CSE”)將于武漢光谷科技會展中心舉辦。江蘇魯汶儀器股份有限公司誠邀業(yè)界同仁蒞臨參觀、交流合作。
本屆CSE博覽會由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、九峰山實驗室共同主辦,以“聚勢賦能 共赴未來”為主題,將匯集全球頂尖的化合物半導體制造技術(shù)專家、行業(yè)領(lǐng)袖和創(chuàng)新者,采用“示范展示+前沿論壇+技術(shù)與商貿(mào)交流”的形式,為產(chǎn)業(yè)鏈的升階發(fā)展搭建供需精準對接平臺,助力企業(yè)高效、強力拓展目標客戶資源,加速驅(qū)動中國化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈的完善和升級。
CSE作為2024年首場國際化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會得到了多方力量的大力支持,三大主題展區(qū),六大領(lǐng)域,將集中展示各鏈條關(guān)鍵環(huán)節(jié)的新技術(shù)、新產(chǎn)品、新服務(wù),將打造化合物半導體領(lǐng)域的標桿性展會。助力打造全球化合物半導體平臺、技術(shù)、產(chǎn)業(yè)的燈塔級盛會,集中展示化合物半導體上下游全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品,搭建企業(yè)發(fā)布年度新產(chǎn)品新技術(shù)的首選平臺,支撐產(chǎn)業(yè)鏈及中部地區(qū)建設(shè)具有全球影響力的萬億級光電子信息產(chǎn)業(yè)集群。
江蘇魯汶儀器股份有限公司于2015年9月,由比利時魯汶儀器、中國科學院微電子研究所等共同注資成立??偛课挥诮K省徐州市,在北京、上海設(shè)有全資子公司。
魯汶儀器致力于為集成電路制造產(chǎn)業(yè)提供先進的裝備和工藝解決方案。針對邏輯、存儲、功率器件、光學、微顯示等領(lǐng)域的關(guān)鍵工藝道次,魯汶儀器研發(fā)了業(yè)界領(lǐng)先的離子束塑形設(shè)備(IBS)、離子束沉積設(shè)備(IBD)等,為客戶推動技術(shù)創(chuàng)新、提升產(chǎn)能、優(yōu)化工藝提供穩(wěn)定可靠的設(shè)備與完善的技術(shù)支持。
魯汶儀器也提供電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備(ICP)、薄膜沉積設(shè)備(CVD),以及氣相分解金屬沾污收集設(shè)備(VPD)等晶圓工藝制造設(shè)備與檢測設(shè)備。
產(chǎn)品介紹
Pangea® 系列
12英寸離子束塑形設(shè)備(IBS)
Pangea® 系列IBS設(shè)備由離子源柵極引出正離子并加速,中性束流撞擊樣品表面,濺射形成圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠離晶圓空間,起輝不受非揮發(fā)性副產(chǎn)物的影響。這種物理方案,幾乎可以用來處理任何固體材料,包括金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導體、絕緣體等。柵網(wǎng)拉出的離子束的能量和密度可以獨立控制,提升了工藝可控性;載片臺的角度可調(diào)整,實現(xiàn)離子束傾斜入射,可用于形成特殊圖案,也適用于側(cè)壁清洗等工藝。
Ganister™ 系列
8英寸離子束沉積設(shè)備(IBD)
Ganister™ 系列離子束沉積設(shè)備,是針對低溫、高致密、高均勻性薄膜沉積工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品,在磁性存儲、光學以及超導等領(lǐng)域中被廣泛使用。該設(shè)備采用濺射成膜,靶材選擇范圍廣。而其采用的多槽旋轉(zhuǎn)靶材基座,更可快速切換多種靶材,應(yīng)對高質(zhì)量復雜膜層結(jié)構(gòu)的沉積應(yīng)用。選配的輔助離子源,可以實現(xiàn)原位預清洗、優(yōu)化膜層致密性等功能。此外,Ganister™ 的輔助離子源也可進行離子束刻蝕,一個腔室內(nèi)兼?zhèn)鋬煞N工藝,顯著提高了該設(shè)備的功能。
Chimera® 系列
12英寸ICP刻蝕設(shè)備
Chimera® 系列12英寸ICP刻蝕設(shè)備,是面向半導體晶圓制造所設(shè)計的專用設(shè)備,可實現(xiàn)硅刻蝕、介質(zhì)刻蝕、柵極刻蝕、鎢回刻、SADP、氮化鈦(TiN)金屬硬掩膜刻蝕、0.18微米以下后道高密度鋁導線互連工藝、鋁墊(Al pad)刻蝕等工藝。
Pishow® 系列
8英寸ICP刻蝕設(shè)備
Pishow® 系列8英寸ICP刻蝕設(shè)備,是面向半導體晶圓制造所設(shè)計的專用設(shè)備,可實現(xiàn)鋁互連,STI和柵極刻蝕,深硅刻蝕以及主流的化合物刻蝕工藝。
Pishow® M2 金屬刻蝕設(shè)備可用于8英寸的IC產(chǎn)線的鋁金屬互連及鋁墊刻蝕工藝。 Pishow® P硅刻蝕設(shè)備,提供AA、gate、STI、spacer、W recess等各項工藝的刻蝕解決方案。Pishow® A2刻蝕設(shè)備則擁有多種材料刻蝕解決方案,包括介質(zhì)和化合物半導體,高配可選ALE解決方案,實現(xiàn)對刻蝕速率和均勻性的高精度控制。
值得一提的是,Pishow® 系列專為8英寸生產(chǎn)線的刻蝕工藝進行了設(shè)計優(yōu)化,在保證領(lǐng)先業(yè)界的刻蝕均勻性,出色的刻蝕選擇比,以及優(yōu)良的顆??刂七@些指標的同時,達成了遠超行業(yè)水準的MTBC時數(shù),大大降低了CoC。該系列以其高性價比的解決方案和優(yōu)秀的空間利用率,為客戶投產(chǎn)、達產(chǎn)以及產(chǎn)能升級提供了細致完備的支持。
Shale® 系列
8英寸化學氣相沉積(CVD)設(shè)備
Shale® 系列的化學氣相沉積設(shè)備,是針對8英寸產(chǎn)線薄膜沉積工藝所設(shè)計的量產(chǎn)設(shè)備。
Shale® A 為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設(shè)備,可以在400℃及以下沉積均勻致密的氧化硅、TEOS、BPSG、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、非晶碳化硅等薄膜。Shale® C則是通過電感耦合(ICP)產(chǎn)生高密度等離子體的 ICP-CVD 設(shè)備,可實現(xiàn)低溫、高致密、低損傷、具備優(yōu)良填充能力的薄膜沉積工藝。
Seehund® 系列
氣相分解金屬沾污收集(VPD)設(shè)備
Seehund® 系列氣相分解金屬沾污收集設(shè)備(VPD)是專為集成電路制造、大晶圓生產(chǎn)及再生、先導工藝研發(fā)等行業(yè)提供金屬沾污控制方案的產(chǎn)品。
隨著摩爾定律的不斷發(fā)展,晶圓制造產(chǎn)業(yè)對生產(chǎn)過程中的金屬沾污控制要求也日趨嚴苛,其規(guī)格已經(jīng)遠低于TXRF和ICP-MS的測量極限,因此VPD技術(shù)應(yīng)運而生。通過VPD的預處理工序,富集晶圓表面沾污成分,以此突破檢測設(shè)備的靈敏度極限,從而滿足晶圓產(chǎn)線的需求。該系統(tǒng)采用了12英寸及8英寸產(chǎn)線設(shè)備所通用的標準零部件,符合SEMI的設(shè)計標準,并經(jīng)過了嚴苛的穩(wěn)定性和可靠性測試驗證。
江蘇魯汶儀器股份有限公司
地址:江蘇省徐州市邳州經(jīng)濟開發(fā)區(qū)遼河西路8號
網(wǎng)址:www.leuven-instruments.cn
值此之際,我們誠邀業(yè)界同仁共聚本屆盛會,蒞臨展位現(xiàn)場參觀交流、洽談合作。
關(guān)于JFSC&CSE 2024