近日，陜西省人民政府發(fā)布《陜西省人民政府關于2023年度陜西省科學技術獎勵的決定》，西電集成電路學部張玉明教授牽頭項目獲得技術發(fā)明一等獎。

項目四：高壓低功耗碳化硅功率器件關鍵技術及應用

張玉明教授

該項目成果針對SiC功率器件擊穿效率低、功率密度小、可靠性差的問題，攻克了高擊穿電壓電場調制與芯片終端保護技術，發(fā)明了凹槽輔助場限制環(huán)場調制技術、新型“高頻刻蝕”工藝和多層掩模多步刻蝕技術，研制了終端擊穿效率達到90%、具有高穩(wěn)健性的SiC超高壓功率器件；攻克了高功率密度SiC芯片設計與工藝技術，實現特征導通電阻低至4mΩ?cm2的SiC MOSFET器件及高效率SiC超級結功率器件，有效提升了器件功率密度；攻克了長壽命、高可靠性SiC芯片關鍵技術，建立了L型圍柵場調制、雙區(qū)浮動結調制技術及終端電場區(qū)域陷阱電荷俘獲和發(fā)射機制模型，有效解決了器件氧化層失效問題，為實現高穩(wěn)定擊穿特性奠定了理論基礎。

 （來源：西安電子科技大學）