低導(dǎo)通電阻、低功耗、高開關(guān)頻率的SiC MOSFET器件正逐漸成為工業(yè)和汽車領(lǐng)域電力電子系統(tǒng)中的核心元器件，其成本和可靠性是制約其大幅度市場化的關(guān)鍵因素。提高SiC MOSFET器件的可靠性一定程度可以降低應(yīng)用成本，而過流短路錯誤將直接影響器件的可靠性，而且該過流短路發(fā)生速度快、將快速燒毀器件。 

4 月26-28日，“2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2024）”將于成都召開。期間，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員程新紅受邀將出席會議，并做《SiC MOSFET 過流保護(hù)技術(shù)分析與研發(fā)》的主題報(bào)告，將分享最新研究成果。其研究圍繞SiC MOSFET柵極驅(qū)動和錯誤保護(hù)電路開展研究工作，解決過流保護(hù)方案在快速反應(yīng)、消隱時(shí)間自適應(yīng)、以及實(shí)時(shí)監(jiān)控等方面的挑戰(zhàn)。針對傳統(tǒng)去飽和短路保護(hù)電路短路檢測消隱時(shí)間固定的問題，提出了一種自適應(yīng)消隱時(shí)間的短路保護(hù)電路，該電路可以根據(jù)不同工況自適應(yīng)調(diào)節(jié)短路檢測電路的消隱時(shí)間。針對需要實(shí)時(shí)檢測SiC MOSFET漏極電流及過流情況的應(yīng)用場景，提出了一種基于源極寄生參數(shù)的漏極電流檢測技術(shù)，漏極電流檢測精度大于90%、與結(jié)溫?zé)o關(guān)。

程新紅研究員長期從事微電子學(xué)與固體電子學(xué)領(lǐng)域研究工作，主要研究方向?yàn)椋簩捊麕О雽?dǎo)體功率器件、功率器件柵極驅(qū)動芯片及保護(hù)電路、DC/DC電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。主持承擔(dān)了國家02重大專項(xiàng)課題、國家自然基金項(xiàng)目、中科院國際合作項(xiàng)目、上海市科技創(chuàng)新行動計(jì)劃等多項(xiàng)重大科研任務(wù)，取得多項(xiàng)創(chuàng)新性成果，在功率器件等領(lǐng)域中得到了實(shí)際應(yīng)用。在IEEE Transactions on Industrial Electronics等期刊上發(fā)表SCI論文100余篇，申請專利30余件。2020年獲得上海市科學(xué)進(jìn)步二等獎。

會議信息

“2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2024）是在電子科技大學(xué)和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)下，極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)聯(lián)合電子薄膜與集成器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、成都信息工程大學(xué)、電子科技大學(xué)集成電路研究中心、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于2024年4月26-28日共同主辦”，論壇會議內(nèi)容將涵蓋寬禁帶碳化硅和氮化鎵為代表的高壓及低壓等電力電子器件、功率集成電路、封裝等幾大主題，將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計(jì)、芯片加工、模塊封裝、測試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機(jī)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。

會議時(shí)間：2024年4月26-28日

會議地點(diǎn)：四川·成都·成都金韻酒店六層

組織機(jī)構(gòu)：

指導(dǎo)單位：

電子科技大學(xué)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

主辦單位：

電子薄膜與集成器件全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

成都信息工程大學(xué)

電子科技大學(xué)集成電路研究中心

極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（m.ybx365.cn）

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

承辦單位

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

協(xié)辦支持：

成都氮矽科技有限公司

程序委員會：

大會主席：張波

程序委員會主席：羅小蓉

副主席：趙璐冰 周琦

程序委員會：鄧小川 龍世兵 王來利 明鑫 楊樹 劉斯揚(yáng) 郭清 魏進(jìn) 金銳 周春華 劉成 蔣其夢 高巍 包琦龍 潘嶺峰 葉懷宇 劉雯 張召富 李虞鋒 魏杰等

二、主題方向

主題方向：

1.硅基功率器件與集成技術(shù)

高壓硅基功率器件（>200 V）、器件仿真與設(shè)計(jì)技術(shù)、器件測試表征技術(shù)、器件可靠性、器件制造技術(shù)、低壓硅基功率器件（≤200 V）、可集成功率器件

2.氮化鎵、III/V族化合物半導(dǎo)體功率器件與功率集成

氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導(dǎo)體功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

3.碳化硅、氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術(shù)

碳化硅功率器件、氧化鎵/金剛石功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

4.模組與封裝技術(shù)

功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進(jìn)封裝技術(shù)與封裝可靠性

5.功率集成電路設(shè)計(jì)

功率集成IC設(shè)計(jì)、寬禁帶功率器件驅(qū)動IC、功率集成電路測試技術(shù)、功率集成工藝平臺與制造技術(shù)

6.面向功率器件及集成電路的核心材料及裝備

核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料、退火、刻蝕、離子注入、封裝、檢測及測試設(shè)備等

三、會議日程（擬定）   

時(shí)間：2024年4月26-28日    

地點(diǎn)：成都金韻酒店六樓   四川省成都市金牛區(qū)金府路668號

 擬參與單位：

電子科技大學(xué)、成都信息工程大學(xué)、中芯國際、三安半導(dǎo)體、浙江大學(xué)、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、東南大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、西安交通大學(xué)、清華大學(xué)、西安理工大學(xué)、山東天岳、科友半導(dǎo)體、國星光電、ULVAC、華虹半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)體、蓉矽半導(dǎo)體、陽光電源、揚(yáng)杰科技、英飛凌、北京大學(xué)、廈門大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所、南京大學(xué)、中科院微電子所、長飛半導(dǎo)體、華為、海思半導(dǎo)體、鍇威特、基本半導(dǎo)體、中電科四十六所、中電科五十五所、天津大學(xué)、華大九天、西門子、博世、三環(huán)集團(tuán)、中科院微電子所、中鎵半導(dǎo)體、日立、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、國家電網(wǎng)、華大半導(dǎo)體、意法半導(dǎo)體、中博芯、西安愛科賽博 、小鵬汽車、復(fù)旦大學(xué)、東莞天域、比亞迪半導(dǎo)體、西安西馳電氣、理想汽車、英諾賽科、士蘭微、芯邁半導(dǎo)體、中國科學(xué)院電工所、立昂微電子、長川科技、眾硅電子、萊普科技、海威華芯、麥科信、安徽大學(xué)、云鎵半導(dǎo)體、高芯（河南）半導(dǎo)體……

活動參與：

注冊費(fèi)2800元，4月18日前注冊報(bào)名2500元（含會議資料袋，27日歡迎晚宴、28日自助午餐、晚餐）。

2、繳費(fèi)方式

①銀行匯款

開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

②移動支付

備注：通過銀行匯款/移動支付，請務(wù)必備注：單位簡稱+姓名+成都，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報(bào)名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。

③現(xiàn)場繳費(fèi)（接受現(xiàn)金和刷卡）

報(bào)告及論文投稿聯(lián)系：

賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com

白女士18888840079，bailu@casmita.com

參會及商務(wù)合作：

賈先生 18310277858，jiaxl@casmita.com

張女士 13681329411，zhangww@casmita.com

段先生 13717922543，duanpf@casmita.com

協(xié)議酒店：

酒店名稱：成都金韻酒店（成都金府路668號）

聯(lián)系人 何經(jīng)理 13548180263，2569807009@qq.com

協(xié)議價(jià)格：400  元/每晚（含早）