為更好的推動國內功率半導體及集成電路學術及產業(yè)交流，在電子科技大學和第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導下，極智半導體產業(yè)網 聯(lián)合電子薄膜與集成器件國家重點實驗室 、成都信息工程大學、電子科技大學集成電路研究中心、第三代半導體產業(yè) 于 2024年4月26-28日 共同主辦“2024功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2024）”，論壇會議內容將涵蓋寬禁帶碳化硅和氮化鎵為代表的高壓及低壓等電力電子器件、功率集成電路、封裝等幾大主題，將覆蓋晶圓造、芯片設計、芯片加工、模塊封裝、測試分析、軟件工具、設備制造、整機應用等產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。
會議時間：2024年4月26-28日
會議地點：四川·成都·成都金韻酒店六層
組織機構：
指導單位：
電子科技大學
第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
主辦單位：
電子薄膜與集成器件全國重點實驗室
成都信息工程大學
電子科技大學集成電路研究中心
極智半導體產業(yè)網（m.ybx365.cn）
第三代半導體產業(yè)
承辦單位
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
協(xié)辦支持：
成都氮矽科技有限公司
程序委員會：
大會主席：張波
程序委員會主席：羅小蓉
副主席：趙璐冰 周琦
程序委員會：鄧小川 龍世兵 王來利 明鑫 楊樹 劉斯揚 郭清 魏進 金銳 周春華 劉成 蔣其夢 高巍 包琦龍 潘嶺峰 葉懷宇 劉雯 張召富 李虞鋒 魏杰等
二、主題方向
1.硅基功率器件與集成技術
高壓硅基功率器件（>200 V）、器件仿真與設計技術、器件測試表征技術、器件可靠性、器件制造技術、低壓硅基功率器件（≤200 V）、可集成功率器件
2.氮化鎵、III/V族化合物半導體功率器件與功率集成
氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導體功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術
3.碳化硅、氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術
碳化硅功率器件、氧化鎵/金剛石功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術
4.模組與封裝技術
功率器件、模組與封裝技術、先進封裝技術與封裝可靠性
5.功率集成電路設計
功率集成IC設計、寬禁帶功率器件驅動IC、功率集成電路測試技術、功率集成工藝平臺與制造技術
6.面向功率器件及集成電路的核心材料及裝備
核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料、退火、刻蝕、離子注入、封裝、檢測及測試設備等
三、會議日程（擬定）
時間：2024年4月26-28日
地點：成都金韻酒店六樓 四川省成都市金牛區(qū)金府路668號
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時間 |
主要安排 |
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4月26日 |
注冊 報到 |
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4月27日 |
09:00-17:00 |
報到&資料領取 |
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13:30-17:30 |
開幕大會及主旨報告 |
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18:00-21:00 |
歡迎晚宴 |
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4月28日 |
08:30-12:00 |
分論壇1：高壓功率與集成（TBD） |
分論壇2：器件仿真設計與制造（TBD） |
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12:00-13:30 |
午餐&交流 |
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13:30-17:30 |
分論壇3：低壓功率與集成（TBD） |
分論壇4：模塊封裝及應用（TBD） |
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18:30-20:30 |
晚餐&結束 |
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4月29日 |
08:30-12:00 |
商務考察活動&返程 |
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備注：僅供參考，以現(xiàn)場為準。 |
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報告嘉賓：
目前確認33位演講嘉賓及報告主題，詳情如下：
（介紹不分先后，僅供參考?。?/span>
羅小蓉
成都信息工程大學副校長
電子科技大學教授、博士生導師
報告主題：《氮化鎵功率器件結構、驅動和電源應用》
嘉賓簡介：羅小蓉，教授，博導，國家級人才計劃入選者，愛思唯爾中國高被引學者，獲國家科技進步二等獎、四川省科技進步一等獎、教育部自然科學二等獎等。長期從事氮化鎵、氧化鎵和硅基功率半導體器件與集成電路的研究，主持國防卓越青年科技基金、173重點項目、國家自然科學基金重點項目、國家科技重大專項和重點研發(fā)計劃以及省部級項目等40余項，發(fā)表SCI論文120余篇，其中以第一作者和通訊作者在微電子器件頂級期刊IEEE EDL和IEEE TED上發(fā)表論文40余篇，作為第一發(fā)明人申請專利150余項，其中授權美國發(fā)明專利6項、中國發(fā)明專利80余項。
王來利
西安交通大學系主任、教授
西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院院長
報告主題：《碳化硅功率半導體器件與變換器封裝集成技術研究》
嘉賓簡介：王來利，西安交通大學教授、博導，國家杰出青年科學基金獲得者，中國電源學會杰出青年獎獲得者，陜西科技創(chuàng)新團隊帶頭人，承擔國家級項目8項，發(fā)表學術論文240余篇，以第一完成人獲得中國電工技術學會技術發(fā)明一等獎、中國電源學會科技進步一等獎、陜西省自然科學二等獎各1項，擔任8個國際國內學術組織分支機構主席（主任）、副主席（副主任）職務，IEEE Transactions on Power Electronics等3個電力電子領域期刊副主編。
魏 進
北京大學集成電路學院研究員、博士生導師
報告主題：《如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡單易用？》
嘉賓簡介：魏進，北京大學集成電路學院研究員、博士生導師。長期致力于 GaN 基、 SiC 基功率電子器件的研究，在新型器件結構開發(fā)、可靠性技術、集成技術等方面取得一系列有一定國際影響力的創(chuàng)新成果。以一作/通訊作者發(fā)表學術論文70余篇，包括本領域權威學術會議IEDM 5篇，ISPSD 19篇，權威學術期刊IEEE EDL 16篇、IEEE TED 18篇。Google總引用3400 余次， H 因子 32，授權中國/英國/美國專利 10項。近五年作為項目負責人承擔了國家重點研發(fā)計劃子課題、國家自然科學基金面上項目等科研項目。
王德君
大連理工大學教授、博士生導師
報告主題：《SiC半導體表界面缺陷及MOS器件可靠性》
嘉賓簡介：王德君，大連理工大學教授，博士生導師。長期從事第三代半導體SiC器件關鍵技術及裝備研究。深耕柵氧及界面缺陷分析技術、可靠性制造技術及裝備二十余年。解決了SiC MOS器件柵氧可靠性制造中的多項理論和技術問題，為產業(yè)發(fā)展提供了重要的理論和技術支撐。
章文通
電子科技大學教授
報告主題：《硅基超結-功率半導體More silicon發(fā)展的主力器件》
嘉賓簡介：章文通，教授，國家級青年人才，研究方向為功率半導體器件與功率集成技術，主持國家自然科學基金面上項目、青年基金項目，參與國家科技重大專項、國家自然科學基金及多項橫向合作課題項目。在本領域頂級期刊IEEE EDL和IEEE TED發(fā)表論文22篇，論文3次入選IEEE EDL封面Highlight論文，授權發(fā)明專利41項，含美國專利2項；獲工信部技術發(fā)明二等獎、中國產學研合作創(chuàng)新成果二等獎，電子科技大學學術新人獎等獎項，獲中國電子學會優(yōu)秀博士論文獎，并由此入選2020年該學會首屆“電子信息前沿青年學者出版工程”，出版專著《功率超結器件》。
程新紅
中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所研究員
報告主題：《SiC MOSFET 過流保護技術分析與研發(fā)》
嘉賓簡介：程新紅研究員長期從事微電子學與固體電子學領域研究工作，主要研究方向為：寬禁帶半導體功率器件、功率器件柵極驅動芯片及保護電路、DC/DC電源轉換系統(tǒng)等。主持承擔了國家02重大專項課題、國家自然基金項目、中科院國際合作項目、上海市科技創(chuàng)新行動計劃等多項重大科研任務，取得多項創(chuàng)新性成果，在功率器件等領域中得到了實際應用。在IEEE Transactions on Industrial Electronics等期刊上發(fā)表SCI論文100余篇，申請專利30余件。2020年獲得上海市科學進步二等獎。
金 銳
北京智慧能源研究院
功率半導體研究所所長，教授級高工
報告主題：《碳化硅MOSFET研究進展及面臨的挑戰(zhàn)》
嘉賓簡介：金銳，教授級高級工程師，2009年畢業(yè)于英國帝國理工大學物理學專業(yè)，獲理學博士學位?，F(xiàn)任北京智慧能源研究院功率半導體研究所所長，是北京市優(yōu)秀青年骨干計劃獲得者，“IEEE PES輸配電技術委員會”委員，“中國電機工程學會電力電子器件專委會”委員，“功率半導體技術創(chuàng)新與產業(yè)聯(lián)盟”副秘書長。主持編寫柔性輸電用IGBT器件相關企業(yè)和行業(yè)標準4項，出版專著2部，發(fā)表論文80余篇，申請專利150余項。
長期從事大功率半導體芯片和器件研發(fā)工作，作為“先進輸電技術國家重點實驗室”器件方向學術帶頭人，研發(fā)的3300V絕緣柵雙極晶體管（IGBT）芯片和器件實現(xiàn)技術突破，被收錄在2020年國資委《中央企業(yè)科技創(chuàng)新成果推薦目錄》。2021年，自研3300V/1500A IGBT在廈門柔性直流輸電工程的鷺島換流站成功掛網運行，標志著IGBT核心技術實現(xiàn)了完全自主可控。作為最年輕的首席科學家，主持2016年首批國家重點研發(fā)計劃項目，成功研制了具有自主知識產權的超大功率4500V/3000A壓接型IGBT,可以支持大規(guī)模海上風電接入和長距離大容量柔性直流輸電等新能源的戰(zhàn)略實施,并在張北柔性直流工程延慶站示范應用，在國家“十三五”科技創(chuàng)新成就展中得到高度認可。
張金平
電子科技大學研究員、博士生導師
報告主題：《IGBT的技術演進與未來發(fā)展趨勢》
嘉賓簡介：張金平，博士、電子科技大學研究員、博士生導師，美國伊利諾伊理工大學訪問學者，長期從事功率半導體器件與集成電路的相關研究工作，主持和主研了數(shù)十項國家級、省部級和企業(yè)橫向合作課題的研究，并與企業(yè)合作開展了IGBT、SiC MOS等相關器件及模塊的產業(yè)化研發(fā)工作，實現(xiàn)了產品的大批量應用。在國內外學術期刊和會議上發(fā)表學術論文數(shù)十篇；以第一發(fā)明人獲授權美國發(fā)明專利2項，中國發(fā)明專利100余項，部分專利實現(xiàn)了轉讓；獲國家工信部科技進步二等獎1項，入選山東省泰山產業(yè)領軍人才。主要研究方向：1）Si基功率半導體器件及模塊，2）寬禁帶功率半導體器件及模塊，3）功率集成器件及智能功率集成電路。
張紫輝
廣東工業(yè)大學教授、博士生導師
報告主題：《GaN功率半導體器件仿真建模與制備研究》
嘉賓簡介：張紫輝，廣東工業(yè)大學百人計劃特聘教授、博士生導師，省特聘專家、省特殊津貼專家，2006年畢業(yè)于山東大學并獲理學學士學位，2015年畢業(yè)于新加坡南洋理工大學并獲博士學位，入選2022年全球前2%頂尖科學家榜單。研究寬禁帶半導體器件、半導體器件物理、芯片設計與仿真技術；已在Applied Physics Letters、IEEE Electron Devices等期刊發(fā)表科研論文近200篇，其中以第一作者/通訊作者發(fā)表文章130余篇；參與出版學術專著5部；獲授權美國專利、中國國家專利共計40項，已經完成成果轉化5項；先后主持國家自然科學基金3項（其中重點基金項目1項）、參與科技部重點研發(fā)計劃2項、主持省部級及各類人才項目、企業(yè)橫向課題19項。
姚佳飛
南京郵電大學南通研究院 執(zhí)行副院長
報告主題：《高K介質在橫向功率器件中的應用》
嘉賓簡介：姚佳飛，南京郵電大學副教授、碩士生導師。2016年畢業(yè)于南京郵電大學微電子學與固體電子學專業(yè)，獲博士學位。入選江蘇省333工程第三層次培養(yǎng)對象、江蘇省科協(xié)青年科技人才托舉工程。擔任南京郵電大學南通研究院(有限公司)執(zhí)行副院長/總經理、南通市集成電路封裝設計重點實驗室主任。主要從事硅基、SOI基和SiC基新型功率器件的設計、建模、封裝、表征和測試研究，以及基于新型功率器件的匹配電路、驅動電路設計、版圖設計和封測研究。主持國家自然科學基金面上項目、國家自然科學基金青年基金項目、江蘇省自然科學基金面上項目、國家重點實驗室開放課題等項目15項，在TED、CPB等國內外高水平期刊上發(fā)表學術論文60余篇，申請專利60余項。
黃銘敏
四川大學物理學院微電子學系，
微電子技術四川省重點實驗室，副教授
報告主題：《碳化硅功率器件的輻射效應及抗輻射技術》
嘉賓簡介：黃銘敏，2016年6月博士畢業(yè)于電子科技大學。從事低功耗、高可靠、抗輻射功率半導體器件研究。主持國家自然科學基金青年基金項目、四川省科技計劃項目和多項橫向項目，參與國家自然科學基金面上項目、國防科技工業(yè)抗輻照中心創(chuàng)新基金等多個項目，研究涉及IGBT和超結MOSFET的新結構設計及開關可靠性優(yōu)化、碳化硅功率器件的輻射效應及抗輻射技術等。已在IEEE EDL、IEEE TED等知名期刊及國際會議發(fā)表論文40余篇，其中一作/通訊作者SCI論文15篇。已獲授權發(fā)明專利20余項，其中以第一發(fā)明人獲美國發(fā)明專利1項，中國發(fā)明專利14項。2019年12月發(fā)表論文被Electronics Letters評選為當期唯一的Feature Article。擔任IEEE TED、SST等多個SCI期刊審稿人。獲得四川大學教學成果一等獎1次，校級教學獎項10余次。
周賢達
廣東工業(yè)大學集成電路學院 副教授
報告主題：《非晶氧化物半導體功率器件：理論極限和初步實現(xiàn)》
嘉賓簡介：周賢達，電子科技大學本科（2005年）及碩士（2008年），2013年博士畢業(yè)于香港科技大學，隨后在香港工業(yè)界先后負責功率半導體器件的研發(fā)和生產，2017年至2022年擔任中山大學電子與信息工程學院副研究員，自2022年起擔任廣東工業(yè)大學集成電路學院副教授（青年百人A級）。周賢達博士成功推出過多款量產產品，累計獲中外發(fā)明專利授權18項，主持2項國家自然科學基金項目，以第一/通訊作者身份在行業(yè)頂級會議和權威期刊上發(fā)表學術論文12篇，并長期擔任《IEEE Electron Devices Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》的審稿人以及業(yè)界知名企業(yè)技術顧問。
蔣華平
重慶大學研究員
報告主題：《碳化硅MOSFET動態(tài)閾值漂移》
嘉賓簡介：蔣華平，博士，重慶大學“百人計劃”特聘研究員，博士生導師。專注于碳化硅功率半導體芯片、封裝、測試以及應用技術研究與開發(fā)10余年：中國中車2年、英國丹尼克斯（Dynex Semiconductor Ltd）4年、英國華威大學（University of Warwick）2年、重慶大學5年。發(fā)表學術論文共計70余篇，其中期刊論文40余篇、會議論文30余篇。中國發(fā)明專利40余項，其中已授權14項，英國發(fā)明專利2項。牽頭制定第三代半導體聯(lián)盟團體標準1項，參與制定美國JEDEC標準1項。最早于國際頂級期刊IEEE Electron Device Letter上報道碳化硅MOSFET動態(tài)閾值漂移問題。提出的局域電場增強理論，以及系列學術論文，被德國Infineon引用，作為JEDEC JEP195標準的制定依據(jù)。牽頭制定第三代半導體聯(lián)盟標準“碳化硅MOSFET開關運行條件下閾值穩(wěn)定性測試方法”。
劉 雯
西交利物浦大學高級副教授
報告主題：《用于功率轉換系統(tǒng)的氮化鎵單片集成》
嘉賓簡介：劉雯博士，西交利物浦大學智能工程學院電子與電氣工程系高級副教授，博士生導師，英國高等教育協(xié)會會士，IEEE 電路與系統(tǒng)/電子器件學會蘇州分會主席，國家第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)青年創(chuàng)新促進委員會副主任委員，IEEE高級會員。2004年北京大學電子學系畢業(yè)，2008年取得新加坡南洋理工大學電子電氣工程學院博士學位；主要研究方向寬禁帶半導體氮化鎵、碳化硅電力電子器件及其單片集成電路設計與制備關鍵技術。發(fā)表學術論文80余篇，多次受邀發(fā)表國際會議報告。
葉懷宇
南方科技大學研究員
報告主題：《碳化硅先進封裝及全銅化技術》
嘉賓簡介：葉懷宇，南方科技大學正高級研究員，博士生導師。國際寬禁帶功率半導體技術藍圖委員會委員（ITRW），中國電機工程學會電力電子器件專業(yè)委員會第一屆委員會委員，國際學術會議ICEPT、CSEE、EuroSimE, China SSL & IFWS學術委員會成員，IEEE Senior Member。主要研究領域為先進封裝及測試技術，寬禁帶半導體封裝技術，功率器件全銅化互連技術，新型半導體材料和器件，先進封裝材料，納米金屬燒結機理分析等。參與及主持歐盟國家省市級等各類科研項目超過20項。已經申請專利160余項，在國際期刊和學術會議發(fā)表論文超過100篇。
母鳳文
北京青禾晶元半導體科技有限責任公司董事長
報告主題：《先進鍵合集成技術與應用》
嘉賓簡介：母鳳文，博士，曾任中科院研究員、東京大學助理教授、日本早稻田大學講師，從事低溫異質鍵合集成及器件制造封裝的研究十余年，精通半導體先進復合基板制造、先進封裝工藝整套流程及異質集成裝備。發(fā)表30余篇SCI收錄論文，曾主持國家自然科學基金、日本學術振興會科研項目和精密測量技術推廣基金會項目，并參與日本總務省的5G基礎技術研究項目，以及多項校企合作研究項目，有著豐富的產研合作經驗。曾獲得日本東京大學工學院院長獎、日本第29次電子封裝學會講演大會研究獎勵獎、4th IEEE LTB-3D國際研討會最佳發(fā)表獎、2019年度國家教育部科技獎二等獎和中科院海外高層次人才。
劉 勇
成都氮矽科技有限公司資深GaN器件總監(jiān)
報告主題：《PGaN增強型GaN功率器件設計與仿真技術》
嘉賓簡介：劉勇，博士，2020年12月畢業(yè)于電子科技大學電子科學與工程學院微電子學與固體電子學專業(yè)，期間參與“十二五”預研項目一項，負責耗盡型高壓GaN HEMT器件的工藝制備和測試表征。2021年1月至2022年6月就職于英諾賽科（珠海）科技有限公司，擔任低壓產品副主任工程師，負責40V~150V低壓產品的外延設計工作。2022年6月起就職于氮矽科技有限公司，擔任資深GaN器件總監(jiān)，主要負責低壓和高壓GaN HEMT器件設計。
劉 成
湖南三安半導體有限責任公司研發(fā)經理
報告主題：《應用于工業(yè)及汽車市場的GaN功率器件制造技術》
嘉賓簡介：劉成，香港科技大學電子及計算機工程博士，化合物半導體制造（CSMantech）技術委員會委員。現(xiàn)任湖南三安半導體有限責任公司GaN電力電子研發(fā)經理，專注于新型Si基GaN功率器件的結構設計、先進工藝以及可靠度加固等研究領域。帶領研發(fā)團隊于2017年在國內首次演示了具有自主知識產權的E-HEMT產業(yè)化技術，技水水平持平甚至部分關鍵技術指標領先于國際業(yè)界標桿，為國內設計公司提供了芯片制造的本土化選擇，填補了該領域的技術空白。截止目前，產品技術已完成超過60家客戶的系統(tǒng)驗證工作，其中24家已進入量產階段。累計發(fā)表國際期刊論文40余篇，獲發(fā)明專利授權10余項。
包琦龍
海思科技有限公司功率半導體器件部技術專家
報告主題：《ICT 場景下中低壓(<200V) GaN 器件應用挑戰(zhàn)》
林書勛
成都海威華芯科技有限公司博士 生產總監(jiān)
報告主題：《新型功率半導體器件在新基建中的應用》
嘉賓簡介：林書勛，男，高級工程師，1986年生，2016年獲得北京大學微電子學與固體電子學理學博士學位，同年加入成都海威華芯科技有限公司，現(xiàn)任海威華芯生產總監(jiān)。主要研究方向為化合物半導體器件及電路設計及制造，在半導體物理、器件物理方面有深厚的理論功底，以第一作者在國際著名微電子學期刊雜志IEEE EDL、JAP等上發(fā)表論文10余篇，在國際上首次使用氧化輔助濕法腐蝕的方法實現(xiàn)增強型氮化鎵功率器件，有10年以上化合物半導體研發(fā)及制造經驗，并擁有國內外專利20余項，參與中國第一條6英寸化合物半導體專用生產線的建設及投產，開發(fā)了多套量產化的化合物半導體工藝制程，承擔國家、省市級科研項目累計十余項。
唐高飛
杭州云鎵半導體科技有限公司研發(fā)總監(jiān)
報告主題：《氮化鎵功率器件與工業(yè)級應用前景》
嘉賓簡介：唐高飛，2010~2014畢業(yè)于電子科技大學微電子與固體電子學院，2014~2018于香港科技大學電子及計算機工程系攻讀博士學位，主要從事氮化鎵器件設計與單片集成技術開發(fā)。2018年加入華為技術有限公司數(shù)字能源產品線從事氮化鎵器件產品開發(fā)。2023年加入云鎵半導體，目前擔任公司研發(fā)總監(jiān)。
張亞民
北京工業(yè)大學微電子學院副教授
報告主題：《面向氮化鎵微波功率器件的異質界面溫升表征方法》
嘉賓簡介：張亞民，北京工業(yè)大學，微電子學院，副教授/博導。2015年6月畢業(yè)于北京工業(yè)大學微電子學與固體電子學專業(yè)，獲工學博士學位，同年留校從事教學科研工作。多年來一直致力于新型半導體器件及可靠性的研究。近5年，作為項目負責人先后主持國家自然科學基金青年基金、面上項目，北京市自然科學基金面上、小米創(chuàng)新聯(lián)合基金等項目14項；發(fā)表SCI論文50余篇，其中近五年以第一作者或通訊作者在IEEE TPE/TIM/TED/EDL、APL等雜志發(fā)表SCI論文20余篇；授權發(fā)明專利20余件，作為主要人員研制的熱特性分析儀器在30余家企事業(yè)單位應用，獲北京市科學技術獎-技術發(fā)明二等獎，中國電子學會技術發(fā)明二等獎。
代高強
成都復錦功率半導體技術發(fā)展有限公司
副總裁，電源系統(tǒng)BU負責人
報告主題：《高功率密度高壓DC方案改善算力系統(tǒng)配電效率》
嘉賓簡介：代高強，成都復錦功率半導體技術發(fā)展有限公司合伙人，電源系統(tǒng)BU負責人，電子科技大學微電子學與固體電子學專業(yè)碩士。從事功率半導體的研發(fā)、應用相關工作十余年。
蔣其夢
中國科學院微電子研究所 研究員
報告主題：《氮化鎵功率器件開關安全工作區(qū)的研究》
嘉賓簡介：蔣其夢，中國科學院微電子研究所研究員。2003年到2010年就讀于電子科技大學，2015年畢業(yè)于香港科技大學獲博士學位，同年加入國內Tier-1公司工作，2018年任氮化鎵（GaN）功率器件開發(fā)團隊帶頭人。2021年2月加入中科院微電子研究所，聘為研究員，獲中科院百人計劃擇優(yōu)支持。2010年以來一直致力于GaN基功率器件及集成電路的研究，在GaN-on-SOI襯底平臺，硅基GaN襯底交調效應，硅基GaN集成電路設計等研究方面取得一些較有國際影響力的創(chuàng)新成果。帶領研發(fā)團隊，從0到1實現(xiàn)了具有自主知識產權的氮化鎵器件及集成芯片的技術突破及產品量產。2013年獲得國際頂級會議ISPSD最佳青年口頭報告獎（Charitat Award）。
魏家行
東南大學集成電路學院副研究員
報告主題：《碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究》
嘉賓簡介：魏家行，博士，東南大學副研究員，主要從事功率半導體器件及其集成技術的研究工作。共發(fā)表權威期刊和國際會議論文40余篇，其中一作/通訊20篇；授權PCT專利2項，中國發(fā)明專利15項；主持/骨干參與國家自然科學基金、國家重點研發(fā)計劃等項目10余項；獲東南大學“至善青年學者”支持；獲2021年江蘇省科學技術二等獎。
鄭柘煬
中國科學技術大學國家示范性微電子學院特任教授、博士生導師
報告主題：《面向全GaN集成的互補型邏輯器件與電路》
嘉賓簡介：鄭柘煬博士現(xiàn)為中國科學技術大學微電子學院特任教授、博士生導師。主要研究興趣為半導體理論、器件物理、器件設計、器件-電路交互、以及器件與集成電路的制備工藝，尤其是寬禁帶半導體材料與電子器件在高效電能轉換（電力電子/功率電子）以及無線通信（射頻電路）的應用。研究工作發(fā)表于Nature Electronics, IEEE Electron Device Letters, Advanced Materials, Applied Physics Letters, IEDM 和 ISPSD等高水平國際期刊和會議，其中關于GaN CMOS IC的研究獲得2021年度中國半導體十大進展提名獎。
嚴穎怡
電子科技大學教授
報告主題：《在功率變換器中電流檢測的挑戰(zhàn)》
嘉賓簡介：嚴穎怡，教授，國家級青年人才，IEEE高級會員，研究方向為功率變換系統(tǒng)設計和集成技術。在功率電子頂級期刊IEEE Transaction on Power Electronics、集成電路頂級期刊JSSC以及APEC、ECCE等國際會議上發(fā)表論文30篇。曾獲IEEE Transaction on Power Electronics優(yōu)秀論文獎及優(yōu)秀審稿專家獎。2013-2023年在Linear Technology/Analog Devices任功率集成電路芯片設計師和設計主管。擔任IEEE Transaction on Power Electronics和IEEE Open Journal of Power Electronics 副主編。獲授權美國專利14項，中國發(fā)明專利3項。
李俊宏
電子科技大學
集成電路科學與工程學院 副教授
報告主題：《基于傅里葉乘法特性的高可靠性無半橋直流無刷電機驅動電路研究》
嘉賓簡介：李俊宏，電子科技大學副教授，2013年獲電子科技大學微電子學與固體電子學博士學位，同年留校任教，主要研究方向為功率集成電路與功率集成器件，在國際上首次制備基于PZT高K介質的橫向硅基功率器件，提出并實現(xiàn)了基于氮化硅高K介質的無拖尾電流LIGBT器件，在國內完成量產了基于磁隔離微型變壓器的數(shù)字隔離器芯片，并成功作為驅動電路應用到半橋結構功率電路產品中。主持國家自然科學基金，總裝811二期重點工程項目，總裝預研項目，國防973二級子項目，電子薄膜與集成器件創(chuàng)新基金，四川省科技項目等二十多項科研項目。在IEEE EDL，IEEE TED上發(fā)表論文十余篇，授權兩項美國專利和十多項中國發(fā)明專利，其中一項美國專利和中國專利已實現(xiàn)技術轉讓。
化夢媛
南方科技大學 助理教授
報告主題：《Ga-O原子間勢函數(shù)及其應用研究》
嘉賓簡介：化夢媛，2013年本科畢業(yè)于清華大學物理系，2017年博士畢業(yè)于香港科技大學電子及計算機工程系，2018年至今為南方科技大學電子系助理教授，副研究員，博士生導師，致力于寬禁帶半導體器件與IC研究，共發(fā)表國際高水平期刊與會議論文100余篇，引用超3100次。成果包括國際頂會IEDM 7篇， ISPSD 11篇，IEEE EDL 16篇，IEEE TED 8篇等，主持國家及省部級項目5項。
王方洲
松山湖材料實驗室工程師
報告主題：《低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究》
嘉賓簡介：王方洲博士，松山湖材料實驗室公共技術平臺工程師，畢業(yè)于電子科技大學，專注于GaN功率半導體器件的理論模型、結構設計、器件工藝和測試表征等方面的研究。在博士期間，通過松山湖材料實驗室牽頭的“廣東省重點領域研發(fā)計劃”合作項目，完整經歷其公共技術平臺的GaN器件工藝能力建設進程，主導和完成全流程關鍵工藝技術開發(fā)，面向應用需求實現(xiàn)整片晶圓上的大柵寬器件工藝整合，獲得高性能和高一致性的增強型GaN功率器件。近年來，參與多項國家級和省部級項目，發(fā)表SCI期刊以及國際會議論文共20余篇，其中第一作者論文8篇，h-index為12，申請中國發(fā)明專利17項，其中授權7項。
孫佳慧
香港科技大學博士后
報告主題：《肖特基型p-GaN柵GaN HEMT的柵極抗靜電魯棒性》
嘉賓簡介：孫佳慧，師從碳化硅器件專家盛況教授。2018年獲得香港政府博士獎學金計劃（HKPFS）資助，于香港科技大學攻讀博士學位，師從氮化鎵器件專家陳敬教授（Kevin J. Chen，IEEE fellow）。2022年博士畢業(yè)后，作為博士后在陳敬教授課題組繼續(xù)從事研究工作。2024年5月將轉任香港科技大學研究助理教授。近年來，圍繞寬禁帶半導體功率器件可靠性的主題，作為第一作者或通訊作者在電力電子與電子器件兩大領域的頂級期刊發(fā)表論文11篇。作為第一作者，連續(xù)8年在功率半導體領域的頂級會議“功率半導體與集成電路國際會議” (ISPSD) 報道研究成果。申請了一項美國發(fā)明專利。作為第一作者發(fā)表的研究成果共獲得20位中國、美國、丹麥院士和IEEE fellow以及十余家著名企業(yè)的引用與正面評價。
李 旭
電子科技大學博士
報告主題：《碳化硅MOSFET的第三象限特性研究》
嘉賓簡介：李旭，電子科技大學，博士研究生，一直從事寬禁帶半導體SiC功率器件理論、模型、可靠性機理及其加固新結構研究，近五年主要進行高功率密度平面柵和溝槽柵SiC MOSFET在瞬態(tài)極端應力下的性能退化與失效機理研究。參與了國家自然科學基金重點/面上項目、國家重點研發(fā)計劃子課題、以及省部級基金和企業(yè)橫向項目等多項SiC功率器件領域的課題研究，在功率半導體領域頂級期刊IEEE Trans. Power Electronics、IEEE Electron Device Letter、 IEEE Trans. Electron Device 以及 ISPSD、ICSCRM 等國際學術會議上發(fā)表論文10余篇，申請中國發(fā)明專利10余項。通過與國內科研院所和企業(yè)合作，基于國內碳化硅芯片制造平臺，開發(fā)出650V~10kV不同電壓系列的SiC MOSFET芯片和二極管。
崔鵬飛
大連理工大學博士
報告主題：《SiC MOS器件偏壓溫度應力可靠性劣化的缺陷物理機制》
嘉賓簡介：崔鵬飛，大連理工大學博士，師從王德君教授。研究方向半導體缺陷物理。當前研究集中在偏壓溫度應力下SiC 柵氧界面缺陷與MOS器件可靠性劣化的物理機制研究。
更多報告嘉賓將持續(xù)公布，敬請期待！
擬參與單位：
電子科技大學、成都信息工程大學、中芯國際、三安半導體、浙江大學、中國科學技術大學、東南大學、西安電子科技大學、西安交通大學、清華大學、山東天岳、科友半導體、國星光電、ULVAC、華虹半導體、斯達半導體、蓉矽半導體、陽光電源、揚杰科技、英飛凌、北京大學、廈門大學、中科院半導體所、南京大學、中科院微電子所、長飛半導體、華為、海思半導體、鍇威特、基本半導體、中電科四十六所、中電科五十五所、天津大學、華大九天、西門子、博世、三環(huán)集團、中科院微電子所、中鎵半導體、日立、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、國家電網、華大半導體、意法半導體、中博芯、西安愛科賽博 、小鵬汽車、復旦大學、東莞天域、比亞迪半導體、西安西馳電氣、理想汽車、英諾賽科、士蘭微、芯邁半導體、中國科學院電工所、立昂微電子、長川科技、眾硅電子、萊普科技、海威華芯、麥科信、安徽大學、云鎵半導體……
活動參與：
注冊費2800元，4月18日前注冊報名2500元（含會議資料袋，27日歡迎晚宴、28日自助午餐、晚餐）。
2、繳費方式
①銀行匯款
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
②移動支付
備注：通過銀行匯款/移動支付，請務必備注：單位簡稱+姓名+成都，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報名信息、轉賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。
③現(xiàn)場繳費（接受現(xiàn)金和刷卡）
報告及論文投稿聯(lián)系：
賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
白女士18888840079，bailu@casmita.com
參會及商務合作：
賈先生 18310277858，jiaxl@casmita.com
張女士 13681329411，zhangww@casmita.com
段先生 13717922543，duanpf@casmita.com
協(xié)議酒店：
酒店名稱：成都金韻酒店（成都金府路668號）
聯(lián)系人 何經理 13548180263，2569807009@qq.com
協(xié)議價格：400 元/每晚（含早）
