2024年4月27日，“2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2024）”在成都開幕。會議在電子科技大學(xué)和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)下，由電子薄膜與集成器件國家重點實驗室、電子科技大學(xué)集成電路研究中心、成都信息工程大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、中國電源學(xué)會元器件專業(yè)委員會共同主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦，成都氮矽科技有限公司協(xié)辦。論壇會議內(nèi)容涵蓋寬禁帶碳化硅和氮化鎵為代表的高壓及低壓等電力電子器件、功率集成電路、封裝等幾大主題，將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計、芯片加工、模塊封裝、測試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。
本次會議除開幕大會外，兩天時間里，還設(shè)置了兩大平行論壇，圍繞“硅基、化合物功率器件設(shè)計及集成應(yīng)用”、“高壓器件設(shè)計、集成及封裝應(yīng)用“等主題方向，來自高校科研院所以及產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)的實力派嘉賓代表將深入研討，攜手促進功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用發(fā)展。
日前，會議日程出爐，詳情如下：
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時間 |
主要安排 |
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4月27日 |
09:00-20:00 |
報到&資料領(lǐng)取 |
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13:30-17:30 |
開幕大會暨主旨報告 |
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19:00-21:00 |
歡迎晚宴 |
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4月28日 |
08:30-12:00 |
分論壇1：硅基、化合物功率器件設(shè)計及集成應(yīng)用 |
分論壇2：高壓器件設(shè)計、集成及封裝應(yīng)用 |
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12:00-13:30 |
自助午餐&交流 |
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13:30-18:00 |
分論壇1：硅基、化合物功率器件設(shè)計及集成應(yīng)用 |
分論壇2：高壓器件設(shè)計、集成及封裝應(yīng)用 |
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18:00-20:00 |
自助晚餐&交流 |
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備注：僅供參考，以現(xiàn)場為準。 |
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時間 |
題目 |
報告人 |
主持人 |
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4月27日13:30-18:00 開幕大會及主旨報告 |
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13:30-13:50 |
嘉賓致辭 |
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13:50-14:20 |
氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)、驅(qū)動和電源應(yīng)用 |
羅小蓉--成都信息工程大學(xué)副校長、電子科技大學(xué)教授 |
周 琦--電子科技大學(xué)教授 |
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14:20-14:50 |
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及展望 |
趙璐冰--第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長 |
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14:50-15:20 |
大規(guī)模碳化硅功率器件制造探索 |
相 奇--芯粵能半導(dǎo)體首席技術(shù)官 |
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15:20-15:35 |
Cofee break/茶歇 |
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15:35-16:05 |
硅基脈沖功率器件 |
陳萬軍--電子科技大學(xué) 集成電路科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授 |
趙璐冰--第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長 |
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16:05-16:35 |
碳化硅功率半導(dǎo)體器件與變換器封裝集成技術(shù)研究 |
王來利--西安交通大學(xué)系主任、教授 西安交通大學(xué)紹興市通越寬禁帶半導(dǎo)體研究院院長 |
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16:35-17:05 |
高密度IGBT實現(xiàn)技術(shù) |
孟繁新--成都森未科技有限公司首席專家、成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司CTO |
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17:05-18:00 Panel Discussion/圓桌對話 1. 在面臨寬禁帶半導(dǎo)體SiC/GaN等的競爭，傳統(tǒng)Si基功率半導(dǎo)體未來的方向在何方，未來是否還能持續(xù)現(xiàn)在霸主的地位？ 在此背景下SiC/GaN的機會又在哪里？ 2. SiC目前受到新能源汽車的帶動，發(fā)展迅速，下一個爆發(fā)點可能在哪個領(lǐng)域，何時會到來？在爆發(fā)前所面臨需要的突破的瓶頸是什么？目前， 這方面國內(nèi)和國際上的發(fā)展情況如何？ 3. 前有硅基功率器件，同時有SiC的競爭，請展望一下GaN的發(fā)展空間？除消費類電源適配器這個應(yīng)用，下一個可能大規(guī)模應(yīng)用的領(lǐng)域在哪里？ 4. 同是寬禁帶的GaO，金剛石，AlN等的機會在哪里？目前，國內(nèi)這方面很熱。然而國外的熱度反而沒有那么高，為什么 ?
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19:00-21:00 歡迎晚宴 |
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4月28日 8:30-12:00 13:30-18:00 分論壇1：硅基、化合物功率器件設(shè)計及集成應(yīng)用 |
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08:30-08:50 |
ICT場景下中低壓(<200V) GaN器件應(yīng)用挑戰(zhàn) |
包琦龍--海思半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體器件部技術(shù)專家 |
周琦--電子科技大學(xué)教授 |
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08:50-09:10 |
PGaN增強型GaN功率器件設(shè)計與仿真技術(shù) |
劉 勇--成都氮矽科技有限公司資深GaN器件總監(jiān) |
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09:10-09:30 |
GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究 |
張紫輝--廣東工業(yè)大學(xué)教授 |
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09:30-09:50 |
氮化鎵功率器件開關(guān)安全工作區(qū)的研究 |
蔣其夢--中國科學(xué)院微電子所研究員 |
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09:50-10:10 |
氮化鎵異質(zhì)界面溫升表征方法 |
張亞民--北京工業(yè)大學(xué)副教授 |
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10:10-10:25 |
茶歇-Coffee break |
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10:25-10:55 |
高速低損耗SOI LIGBT新結(jié)構(gòu)與機理研究 |
魏 杰--電子科技大學(xué)研究員 |
周弘--西安電子科技大學(xué)教授 |
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10:55-11:15 |
非晶氧化物半導(dǎo)體功率器件：理論極限和初步實現(xiàn) |
周賢達--廣東工業(yè)大學(xué)副教授 |
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11:15-11:35 |
Ga-O原子間勢函數(shù)及其應(yīng)用研究 |
化夢媛--南方科技大學(xué)助理教授 |
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11:35-11:50 |
高功率氧化鎵肖特基二極管研究 |
韓仕達--中國電子科技集團公司第十三研究所 工程師 |
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11:55-12:10 |
一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管：面向高分辨率顯示與高速光通信 |
任開琳--上海大學(xué)副教授 |
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12:00-13:30 午餐自助 |
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13:30-13:50 |
金剛石半導(dǎo)體材料及功能器件研究 |
朱嘉琦--哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授 |
羅鵬--氮矽半導(dǎo)體總經(jīng)理 |
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13:50-14:10 |
金剛石半導(dǎo)體器件可靠性新機制 |
徐躍杭--電子科技大學(xué)教授、電子科技大學(xué)長三角研究院（湖州）集成電路與系統(tǒng)中心主任 |
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14:10-14:30 |
高K介質(zhì)在橫向功率器件中的應(yīng)用 |
姚佳飛--南京郵電大學(xué)南通研究院執(zhí)行副院長姚佳飛 |
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14:30-14:50 |
新型功率半導(dǎo)體器件在新基建中的應(yīng)用 |
林書勛--成都海威華芯科技有限公司生產(chǎn)總監(jiān) |
潘嶺峰--萊普科技副總經(jīng)理 |
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14:50-15:10 |
用于功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的氮化鎵單片集成 |
劉 雯--西交利物浦大學(xué)高級副教授 |
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15:10-15:30 |
肖特基型p-GaN柵HEMT的柵極抗靜電魯棒性 |
孫佳慧--香港科技大學(xué)助理教授 |
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15:30-15:45 |
Coffee Break/茶歇 |
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15:45-16:05 |
如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡單易用？ |
魏 進--北京大學(xué)研究員 |
黃義--重慶郵電大學(xué)教授
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16:05-16:25 |
基于化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的高性能器件設(shè)計與制備 |
巫 江--電子科技大學(xué)基礎(chǔ)與前沿研究院副院長 |
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16:25-16:45 |
應(yīng)用于工業(yè)及汽車市場的GaN功率器件制造技術(shù) |
劉 成--湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 研發(fā)經(jīng)理 |
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16:45-17:00 |
氮化鎵功率器件與工業(yè)級應(yīng)用前景 |
唐高飛--云鎵半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)
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明鑫--電子科技大學(xué)教授 |
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17:00-17:15 |
低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究 |
王方洲--松山湖材料實驗室工程師 |
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17:15-17:30 |
氧化鎵垂直功率半導(dǎo)體器件 |
徐光偉--中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)研究員 |
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17:30-17:45 |
高壓大功率氧化鎵晶體管研究 |
王晨璐--西安電子科技大學(xué)博士后 |
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17:45-18:00 |
氫處理p-GaN柵器件開發(fā)與單片集成電路共設(shè)計流程 |
李 帆--西交利物浦大學(xué) |
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備注：最終以現(xiàn)場為準。 |
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時間 |
題目 |
報告人 |
主持人 |
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4月27日13:30-18:00 開幕大會及主旨報告 |
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13:30-13:50 |
嘉賓致辭 |
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13:50-14:20 |
氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)、驅(qū)動和電源應(yīng)用 |
羅小蓉--成都信息工程大學(xué)副校長、電子科技大學(xué)教授 |
周 琦--電子科技大學(xué)教授 |
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14:20-14:50 |
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及展望 |
趙璐冰--第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長 |
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14:50-15:20 |
大規(guī)模碳化硅功率器件制造探索 |
相 奇--芯粵能半導(dǎo)體首席技術(shù)官 |
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15:20-15:35 |
Cofee break/茶歇 |
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15:35-16:05 |
硅基脈沖功率器件 |
陳萬軍--電子科技大學(xué) 集成電路科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授 |
趙璐冰--第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長 |
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16:05-16:35 |
碳化硅功率半導(dǎo)體器件與變換器封裝集成技術(shù)研究 |
王來利--西安交通大學(xué)系主任、教授 西安交通大學(xué)紹興市通越寬禁帶半導(dǎo)體研究院院長 |
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16:35-17:05 |
高密度IGBT實現(xiàn)技術(shù) |
孟繁新--成都森未科技有限公司首席專家、成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司CTO |
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17:05-18:00 Panel Discussion/圓桌對話 1. 在面臨寬禁帶半導(dǎo)體SiC/GaN等的競爭，傳統(tǒng)Si基功率半導(dǎo)體未來的方向在何方，未來是否還能持續(xù)現(xiàn)在霸主的地位？ 在此背景下SiC/GaN的機會又在哪里？ 2. SiC目前受到新能源汽車的帶動，發(fā)展迅速，下一個爆發(fā)點可能在哪個領(lǐng)域，何時會到來？在爆發(fā)前所面臨需要的突破的瓶頸是什么？目前， 這方面國內(nèi)和國際上的發(fā)展情況如何？ 3. 前有硅基功率器件，同時有SiC的競爭，請展望一下GaN的發(fā)展空間？除消費類電源適配器這個應(yīng)用，下一個可能大規(guī)模應(yīng)用的領(lǐng)域在哪里？ 4. 同是寬禁帶的GaO，金剛石，AlN等的機會在哪里？目前，國內(nèi)這方面很熱。然而國外的熱度反而沒有那么高，為什么 ?
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19:00-21:00 歡迎晚宴 |
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4月28日 8:30-12:00 13:30-18:00 分論壇1：硅基、化合物功率器件設(shè)計及集成應(yīng)用 |
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08:30-08:50 |
ICT場景下中低壓(<200V) GaN器件應(yīng)用挑戰(zhàn) |
包琦龍--海思半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體器件部技術(shù)專家 |
周琦--電子科技大學(xué)教授 |
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08:50-09:10 |
PGaN增強型GaN功率器件設(shè)計與仿真技術(shù) |
劉 勇--成都氮矽科技有限公司資深GaN器件總監(jiān) |
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09:10-09:30 |
GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究 |
張紫輝--廣東工業(yè)大學(xué)教授 |
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09:30-09:50 |
氮化鎵功率器件開關(guān)安全工作區(qū)的研究 |
蔣其夢--中國科學(xué)院微電子所研究員 |
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09:50-10:10 |
氮化鎵異質(zhì)界面溫升表征方法 |
張亞民--北京工業(yè)大學(xué)副教授 |
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茶歇-Coffee break |
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10:25-10:55 |
高速低損耗SOI LIGBT新結(jié)構(gòu)與機理研究 |
魏 杰--電子科技大學(xué)研究員 |
周弘--西安電子科技大學(xué)教授 |
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10:55-11:15 |
非晶氧化物半導(dǎo)體功率器件：理論極限和初步實現(xiàn) |
周賢達--廣東工業(yè)大學(xué)副教授 |
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11:15-11:35 |
Ga-O原子間勢函數(shù)及其應(yīng)用研究 |
化夢媛--南方科技大學(xué)助理教授 |
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11:35-11:50 |
高功率氧化鎵肖特基二極管研究 |
韓仕達--中國電子科技集團公司第十三研究所 工程師 |
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11:55-12:10 |
一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管：面向高分辨率顯示與高速光通信 |
任開琳--上海大學(xué)副教授 |
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12:00-13:30 午餐自助 |
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13:30-13:50 |
金剛石半導(dǎo)體材料及功能器件研究 |
朱嘉琦--哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授 |
羅鵬--氮矽半導(dǎo)體總經(jīng)理 |
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13:50-14:10 |
金剛石半導(dǎo)體器件可靠性新機制 |
徐躍杭--電子科技大學(xué)教授、電子科技大學(xué)長三角研究院（湖州）集成電路與系統(tǒng)中心主任 |
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14:10-14:30 |
高K介質(zhì)在橫向功率器件中的應(yīng)用 |
姚佳飛--南京郵電大學(xué)南通研究院執(zhí)行副院長姚佳飛 |
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14:30-14:50 |
新型功率半導(dǎo)體器件在新基建中的應(yīng)用 |
林書勛--成都海威華芯科技有限公司生產(chǎn)總監(jiān) |
潘嶺峰--萊普科技副總經(jīng)理 |
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14:50-15:10 |
用于功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的氮化鎵單片集成 |
劉 雯--西交利物浦大學(xué)高級副教授 |
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15:10-15:30 |
肖特基型p-GaN柵HEMT的柵極抗靜電魯棒性 |
孫佳慧--香港科技大學(xué)助理教授 |
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15:30-15:45 |
Coffee Break/茶歇 |
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15:45-16:05 |
如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡單易用？ |
魏 進--北京大學(xué)研究員 |
黃義--重慶郵電大學(xué)教授
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基于化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的高性能器件設(shè)計與制備 |
巫 江--電子科技大學(xué)基礎(chǔ)與前沿研究院副院長 |
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16:25-16:45 |
應(yīng)用于工業(yè)及汽車市場的GaN功率器件制造技術(shù) |
劉 成--湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 研發(fā)經(jīng)理 |
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16:45-17:00 |
氮化鎵功率器件與工業(yè)級應(yīng)用前景 |
唐高飛--云鎵半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)
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明鑫--電子科技大學(xué)教授 |
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低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究 |
王方洲--松山湖材料實驗室工程師 |
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氧化鎵垂直功率半導(dǎo)體器件 |
徐光偉--中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)研究員 |
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高壓大功率氧化鎵晶體管研究 |
王晨璐--西安電子科技大學(xué)博士后 |
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17:45-18:00 |
氫處理p-GaN柵器件開發(fā)與單片集成電路共設(shè)計流程 |
李 帆--西交利物浦大學(xué) |
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備注：最終以現(xiàn)場為準。 |
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會議時間：2024年4月27-28日
會議地點：四川·成都·成都金韻酒店六層
組織機構(gòu)：
指導(dǎo)單位：
電子科技大學(xué)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
主辦單位：
電子薄膜與集成器件全國重點實驗室
成都信息工程大學(xué)
電子科技大學(xué)集成電路研究中心
極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（m.ybx365.cn）
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
中國電源學(xué)會元器件專業(yè)委員會
承辦單位
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司
協(xié)辦支持：
成都氮矽科技有限公司
程序委員會：
大會主席：張波
程序委員會主席：羅小蓉
副主席：趙璐冰 周琦
程序委員會：鄧小川 龍世兵 王來利 明鑫 楊樹 劉斯揚 郭清 魏進 金銳 周春華 劉成 蔣其夢 高巍 包琦龍 潘嶺峰 葉懷宇 劉雯 張召富 李虞鋒 魏杰等
擬參與單位：
電子科技大學(xué)、成都信息工程大學(xué)、中芯國際、三安半導(dǎo)體、浙江大學(xué)、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、東南大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、西安交通大學(xué)、清華大學(xué)、西安理工大學(xué)、山東天岳、科友半導(dǎo)體、國星光電、ULVAC、華虹半導(dǎo)體、斯達半導(dǎo)體、蓉矽半導(dǎo)體、陽光電源、揚杰科技、英飛凌、北京大學(xué)、廈門大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所、南京大學(xué)、中科院微電子所、長飛半導(dǎo)體、華為、海思半導(dǎo)體、鍇威特、基本半導(dǎo)體、中電科四十六所、中電科五十五所、天津大學(xué)、華大九天、西門子、博世、三環(huán)集團、中科院微電子所、中鎵半導(dǎo)體、日立、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、國家電網(wǎng)、華大半導(dǎo)體、意法半導(dǎo)體、中博芯、西安愛科賽博 、小鵬汽車、復(fù)旦大學(xué)、東莞天域、比亞迪半導(dǎo)體、西安西馳電氣、理想汽車、英諾賽科、士蘭微、芯邁半導(dǎo)體、中國科學(xué)院電工所、立昂微電子、長川科技、眾硅電子、萊普科技、海威華芯、麥科信、安徽大學(xué)、云鎵半導(dǎo)體， 高芯（河南）半導(dǎo)體……
活動參與：
注冊費2800元，4月18日前注冊報名2500元（含會議資料袋，27日歡迎晚宴、28日自助午餐、晚餐）。
2、繳費方式
①銀行匯款
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司
②移動支付
備注：通過銀行匯款/移動支付，請務(wù)必備注：單位簡稱+姓名+成都，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。
③現(xiàn)場繳費（接受現(xiàn)金和刷卡）
報告及論文投稿聯(lián)系：
賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
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協(xié)議價格：400 元/每晚（含早）
