據(jù)國家知識產(chǎn)權局公告，北京大學申請一項名為“一種多溝道GaN基HEMT器件及其制備方法“，公開號CN117954476A，申請日期為2022年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種多溝道GaN基HEMT器件及其制備方法，該器件包括自下而上依次層疊的襯底層、過渡層、高阻層，在高阻層上的溝道區(qū)多個溝道層和勢壘層依次交疊形成多個并列溝道，頂端溝道層和頂端勢壘層則覆蓋包括溝道區(qū)在內(nèi)的整個器件表面；柵源區(qū)和漏區(qū)分別位于溝道區(qū)的兩端，源極、柵極、漏極兩兩之間由鈍化層隔開。本發(fā)明的多個并聯(lián)溝道設計可以降低耐高壓GaN基HEMT導通電阻，進而降低損耗。這種多溝道結構可以廣泛適用于基于pGaN帽層或MIS結構的增強型HEMT器件以及傳統(tǒng)的耗盡型HEMT器件，可以優(yōu)化耐壓與導通的折中關系，有利于近一步提高現(xiàn)有器件的優(yōu)值。