4月30日，深圳市科技創(chuàng)新局發(fā)布“關(guān)于征集2024年度科技重大專項(xiàng)備選課題的通知”，面向全市企業(yè)、高校、科研機(jī)構(gòu)征集2024年科技重大專項(xiàng)備選課題，征集時(shí)間為2024年4月30日起至2024年5月21日，征集的課題將作為2024年科技重大專項(xiàng)指南編制參考。
征集的專項(xiàng)包括半導(dǎo)體與集成電路、智能機(jī)器人、網(wǎng)絡(luò)與通信、低空經(jīng)濟(jì)與空天、新藥疫苗、健康診療、新材料、光載信息、合成生物、可持續(xù)發(fā)展（生態(tài)環(huán)境和雙碳技術(shù)、安全應(yīng)急技術(shù)、農(nóng)業(yè)、海洋、食品與化妝品技術(shù)）等10個(gè)專項(xiàng)，每個(gè)專項(xiàng)均設(shè)立具體的重點(diǎn)支持方向。
其中，半導(dǎo)體與集成電路專項(xiàng)重點(diǎn)支持方向包括開(kāi)源RISC-V處理器技術(shù)、新型AI計(jì)算芯片、新一代智能EDA、先進(jìn)IP技術(shù)、先進(jìn)工藝和先進(jìn)封裝、硅光芯片技術(shù)、新型光刻技術(shù)、CPU/DPU/FPGA等高端通用芯片、通信和物聯(lián)網(wǎng)芯片、存儲(chǔ)芯片相關(guān)技術(shù)、第三代半導(dǎo)體器件及車(chē)規(guī)級(jí)芯片、半導(dǎo)體核心設(shè)備，共12個(gè)方向。
據(jù)悉，科技重大專項(xiàng)單個(gè)項(xiàng)目資助強(qiáng)度最高不超過(guò)3000萬(wàn)元。受科技研發(fā)資金年度總額控制，各專項(xiàng)發(fā)布課題有數(shù)量限制，一般只設(shè)少量資助金額1000萬(wàn)元以上的課題、若干500萬(wàn)元（含）-1000萬(wàn)元（含）的課題、適量500萬(wàn)元以下的課題。
課題征集結(jié)束后，深圳市科技創(chuàng)新局將組織凝練，形成2024年科技重大專項(xiàng)申報(bào)項(xiàng)目指南，以“揭榜掛帥”形式發(fā)布。
以下為半導(dǎo)體與集成電路專項(xiàng)征集方向情況：
1.開(kāi)源RISC-V處理器技術(shù)
聚焦大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、服務(wù)器、人工智能等產(chǎn)業(yè)共性需求，開(kāi)發(fā)和完善RISC-V開(kāi)源硬件和軟件系統(tǒng)，支持RISC-V多核架構(gòu)、精準(zhǔn)評(píng)估模型、軟件工具鏈及生態(tài)等創(chuàng)新研發(fā)，鼓勵(lì)RISC-V架構(gòu)的相關(guān)軟硬件IP知識(shí)產(chǎn)權(quán)研發(fā)創(chuàng)新。研制面向數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、人工智能等產(chǎn)業(yè)的高端RISC-V處理器芯片產(chǎn)品。
2.新型AI計(jì)算芯片
開(kāi)展新型計(jì)算芯片架構(gòu)研究，研發(fā)存算一體、類腦計(jì)算等面向人工智能領(lǐng)域的原生芯片架構(gòu)；研究多源多模態(tài)感、存、算融合智能接口芯片技術(shù)；研究大陣列GPU流處理器體系架構(gòu)；聚焦智能城市、人形機(jī)器人、智能終端等典型人工智能應(yīng)用場(chǎng)景，布局異構(gòu)智能、異構(gòu)并行、邊緣計(jì)算等低功耗新型AI計(jì)算芯片，支持邊緣端萬(wàn)億參數(shù)模型推理和參數(shù)優(yōu)化訓(xùn)練。
3.新一代智能EDA
聚焦集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)需求，加強(qiáng)EDA企業(yè)與晶圓代工企業(yè)之間的合作，開(kāi)展數(shù)字、模擬、射頻、功率器件等領(lǐng)域EDA全鏈條工具研發(fā)，加速構(gòu)建具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的EDA技術(shù)體系；順應(yīng)芯片復(fù)雜度及設(shè)計(jì)效率提升的趨勢(shì)，運(yùn)用人工智能技術(shù)升級(jí)EDA工具，實(shí)現(xiàn)與國(guó)產(chǎn)計(jì)算架構(gòu)協(xié)同融合。
4.先進(jìn)IP技術(shù)
加強(qiáng)IP企業(yè)與設(shè)計(jì)、晶圓代工和封裝等企業(yè)之間的合作，開(kāi)展高速接口、處理器、模擬等領(lǐng)域IP研發(fā)；開(kāi)發(fā)SerDes、DDR5、HBM3E（第三代高帶寬內(nèi)存）、ONFi（Open NAND Flash Interface）、UCIe、Ethernet PHY等先進(jìn)高速接口IP，開(kāi)發(fā)高速度ADC/DAC IP等。
5.先進(jìn)工藝和先進(jìn)封裝
研究5nm以下環(huán)柵晶體管（GAA）器件工藝，研究新型垂直互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFFT）等新型器件結(jié)構(gòu)和工藝。攻堅(jiān)異質(zhì)異構(gòu)集成、高密度垂直互聯(lián)、晶圓級(jí)封裝（WCP）微凸點(diǎn)、芯粒（Chiplet）、混合鍵合、高速互聯(lián)等先進(jìn)封裝工藝技術(shù)。
6.硅光芯片技術(shù)
聚力發(fā)展光電融合芯片技術(shù)，研究探測(cè)器材料機(jī)理和結(jié)構(gòu)，開(kāi)發(fā)中紅外光電探測(cè)器和太赫茲探測(cè)器；開(kāi)展基于硅光集成的光電芯片、片上光互聯(lián)等技術(shù)研究；開(kāi)展光電混合計(jì)算、全模擬光電智能計(jì)算、全光神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（ONN）、集成光學(xué)計(jì)算架構(gòu)等光子計(jì)算技術(shù)研究。
7.新型光刻技術(shù)
面向14nm及以下工藝的光刻技術(shù)需求，開(kāi)展EUV光源、雙重成像、浸沒(méi)式光刻、近場(chǎng)光刻、電子束光刻（EBL）、離子束光刻（IBL）、X射線光刻（XRL）等各種光刻關(guān)鍵技術(shù)研究。研究面向14nm及以下工藝的掩模版制作技術(shù)。
8.CPU/DPU/FPGA等高端通用芯片
研究基于自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)指令集研發(fā)CPU/DPU/FPGA等高性能通用芯片產(chǎn)品，重點(diǎn)支持高性能計(jì)算/服務(wù)器CPU、大型數(shù)據(jù)中心/邊緣計(jì)算DPU、千萬(wàn)級(jí)以上邏輯單元的FPGA等，突破軟硬件、IP知識(shí)產(chǎn)權(quán)和工具鏈等關(guān)鍵技術(shù)。
9.通信和物聯(lián)網(wǎng)芯片
聚焦移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、5G/6G通信、云計(jì)算等應(yīng)用需求，研究5G以上基帶芯片、Wi-Fi 7芯片、射頻前端芯片等產(chǎn)品；研發(fā)支持泛物聯(lián)網(wǎng)通信模組的物聯(lián)網(wǎng)芯片，解決大容量數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)、新一代通信系統(tǒng)和高性能計(jì)算機(jī)中高速互連通信的關(guān)鍵技術(shù)。
10.存儲(chǔ)芯片相關(guān)技術(shù)
聚焦企業(yè)級(jí)、工業(yè)級(jí)用戶數(shù)據(jù)中心對(duì)海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和傳輸應(yīng)用需求，研究HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)，研究高傳輸速率、延遲低存儲(chǔ)主控芯片。研究3D NAND堆疊等存儲(chǔ)芯片封裝核心工藝技術(shù)。研究電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM)、相變存儲(chǔ)器（PCM）、磁阻存儲(chǔ)器(MRAM)、鐵電存儲(chǔ)器（FeRAM）等新型存儲(chǔ)器件。
11.第三代半導(dǎo)體器件及車(chē)規(guī)級(jí)芯片
布局氮化鎵、氮化鋁、金剛石等為代表超寬禁帶半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā);研究第三代半導(dǎo)體新型器件結(jié)構(gòu)、封裝和集成冷卻技術(shù);開(kāi)發(fā)IGBT/MOSFET器件。聚焦汽車(chē)核心器件需求，研究E/E架構(gòu)區(qū)域處理芯片、高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）算力芯片、電池監(jiān)測(cè)和管理BMS（電池管理系統(tǒng)）芯片等。
12.半導(dǎo)體核心設(shè)備
鼓勵(lì)引導(dǎo)具有一定基礎(chǔ)的泛半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)轉(zhuǎn)型布局半導(dǎo)體設(shè)備，重點(diǎn)圍繞14nm以下工藝需求的沉積、刻蝕系統(tǒng)、離子注入機(jī)、PVD/CVD設(shè)備、擴(kuò)散設(shè)備等前道設(shè)備，固晶機(jī)、倒裝封裝等關(guān)鍵封裝設(shè)備，28nm以下工藝需求的檢測(cè)量測(cè)設(shè)備進(jìn)行攻關(guān)。
（來(lái)源：集微）
