氮化物外延層中的大多數(shù)位錯是刃型穿透位錯（TD），這些位錯會降低氮化物器件的性能。由于缺乏可用的滑移系統(tǒng)，減少刃型TD是極其困難的。
2024年6月21至23日，“新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會”將在山東濟(jì)南召開，將邀請新一代半導(dǎo)體領(lǐng)域相關(guān)高校院所專家和知名企業(yè)代表出席，共同研討新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)進(jìn)展及未來發(fā)展趨勢，分享前沿研究成果，攜手助力我國新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所劉志強(qiáng)受邀將出席會議，并帶來《氮化物位錯演化及控制研究》的主題報告，分享最新研究成果，研究系統(tǒng)地研究了TD的形成機(jī)制，發(fā)現(xiàn)這些位錯除了起源于合并邊界外，還與界面處的幾何失配位錯密切相關(guān)?；谶@一認(rèn)識，研究將提出一種新的策略，并提供一種獨特的方法，從源頭直接抑制刃型TD的形成，可以提高光電和電子器件的性能。研究成果詳情，敬請關(guān)注會議！
劉志強(qiáng)、男，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所特聘研究員，博士生導(dǎo)師，從事寬禁帶半導(dǎo)體材料/器件研究，國家重點研發(fā)計劃首席科學(xué)家，國家“863”計劃項目負(fù)責(zé)人，重點研發(fā)計劃課題負(fù)責(zé)人，在Science Advances、AM、AFM、Nano Letters等期刊發(fā)表論文200余篇，入選第三批中國科學(xué)院人才項目“青年科學(xué)促進(jìn)會”，獲2019年國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎、2014年國家技術(shù)發(fā)明二等獎。國際AFEM會議指導(dǎo)委員會委員，國際APWS會議程序委員會委員，目前的研究領(lǐng)域包括半導(dǎo)體材料范德華外延，氮化物超高清顯示，氮化物電力電子器件，后摩爾時代半導(dǎo)體技術(shù)等。
一、組織機(jī)構(gòu)
指導(dǎo)單位：
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
主辦單位：
山東中晶芯源半導(dǎo)體科技有限公司
山東華光光電子股份有限公司
山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院
山東大學(xué)晶體材料國家重點實驗室
極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（m.ybx365.cn）
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
承辦單位：
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
協(xié)辦支持：
山東硅酸鹽學(xué)會新材料專委會
濟(jì)南晶谷研究院
江蘇通用半導(dǎo)體有限公司
北京中電科電子裝備有限公司
江蘇才道精密儀器有限公司
上海澈芯科技有限公司
顧問委員會：
陳良惠 鄭有炓 吳以成 褚君浩 祝世寧 李樹深 王立軍 黃如 楊德仁 葉志鎮(zhèn) 江風(fēng)益 劉益春 羅毅 金奎娟 劉紀(jì)美
大會主席：張榮 徐現(xiàn)剛 吳玲
大會副主席：陳秀芳 趙璐冰 王垚浩 吳德華
程序委員會：
李晉閩 沈波 康俊勇 張清純 馮淦 盛況 邱宇峰 張波 柏松 陳彤 修向前 黃凱 胡卉 伊?xí)匝?黎大兵 魏同波 張紫輝 鄧小川 劉斌 王曉亮 王新強(qiáng) 張進(jìn)成 吳軍 趙德剛 孫錢 楊學(xué)林 單崇新 于浩海 葉建東 王宏興 王篤福 王光緒 韓吉勝 黃森 馮志紅 龍世兵 房玉龍 彭燕 徐明升 朱振 夏偉 楊祥龍 孫洪波 王成新 于國建 萬成安 上官世鵬
組織委員會：
李樹強(qiáng) 李強(qiáng) 高娜 張雷 寧靜 閆方亮 崔瀠心 謝雪健 肖龍飛 薛軍帥 王榮堃 劉鵬 王雨雷 王?，| 賈欣龍 王守志 崔鵬 鐘宇 李沛旭 沈燕 杜軍軍 任穎 許建華 等
二、主題方向
1. 碳化硅晶體技術(shù)及其應(yīng)用
·碳化硅晶錠激光剝離技術(shù)及其設(shè)備
·液相法碳化硅單晶生長技術(shù)
·碳化硅外延生長技術(shù)
·先進(jìn)長晶及外延碳材石墨技術(shù)
·碳化硅功率器件設(shè)計與制造技術(shù)
·先進(jìn)碳化硅長晶爐及外延生長裝備
·先進(jìn)晶體缺陷檢測技術(shù)及其設(shè)備
·先進(jìn)研磨設(shè)備及先進(jìn)拋光技術(shù)
·激光退火設(shè)備及技術(shù)
·先進(jìn)刻蝕設(shè)備及技術(shù)
·銀燒結(jié)封裝技術(shù)及先進(jìn)封裝設(shè)備
2. 氮化鎵、超寬禁帶晶體及其應(yīng)用
·氮化鎵單晶及外延生長技術(shù)
·氮化鎵功率及射頻器件技術(shù)
·超寬禁帶半導(dǎo)體單晶技術(shù)
·鈮酸鋰晶體技術(shù)制備
·大尺寸金剛石單晶生長技術(shù)
·氧化鎵單晶生長技術(shù)
·氧化鎵外延及器件技術(shù)
·先進(jìn)AlN 單晶生長技術(shù)及其應(yīng)用
·Micro LED 技術(shù)
3. 砷化鎵、磷化銦晶體及其應(yīng)用
·砷化鎵、磷化銦單晶及外延技術(shù)
·半導(dǎo)體激光器技術(shù)及應(yīng)用
·車用激光雷達(dá)技術(shù)及應(yīng)用
·光通信技術(shù)及應(yīng)用
·紅外LED及顯示照明技術(shù)
三、會議概覽
會議時間：2024年6月21-23日
會議酒店：山東·濟(jì)南融創(chuàng)施柏閣酒店
四、擬參與單位
北方華創(chuàng)、百識電子、比亞迪半導(dǎo)體、長飛半導(dǎo)體、東莞天域、東尼電子、華大半導(dǎo)體、華虹半導(dǎo)體、海思半導(dǎo)體、海創(chuàng)光電、瀚天天成、國星光電、基本半導(dǎo)體、江蘇宏微、晶盛機(jī)電、晶湛半導(dǎo)體、科友半導(dǎo)體、山東華光、連城數(shù)控、理想汽車、麥科信、南砂晶圓、日立、三安半導(dǎo)體、山東華光、山東華云光電、山東中晶芯源半導(dǎo)體科技有限公司、是德科技、三環(huán)集團(tuán)、爍科晶體、士蘭微、STR、蘇州納維、泰克科技、同光半導(dǎo)體、泰科天潤、特思迪、ULVAC、先導(dǎo)新材、西門子、小鵬汽車、意法半導(dǎo)體、英飛凌、揚杰科技、英諾賽科、中博芯、中電化合物、中電科二所、中電科十三所、中電科四十六所、中電科四十八所、中電科五十五所、中鎵半導(dǎo)體、中微公司、瞻芯電子、中芯國際、北京大學(xué)、東南大學(xué)、電子科技大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、清華大學(xué)、南京大學(xué)、山東大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、西安交通大學(xué)、廈門大學(xué)、浙江大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所、中科院微電子所等
五、活動參與
1、注冊費2800元，6月10日前注冊報名2500元（含會議資料袋，6月22日午餐、歡迎晚宴，6月23日自助午餐、晚餐）。企業(yè)展位預(yù)定中，請具體請咨詢。
2、掃碼報名
掃碼完成預(yù)報名，然后再注冊繳費
六、繳費方式
①銀行匯款
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
②移動支付
備注：通過銀行匯款/移動支付，請務(wù)必備注：單位簡稱+姓名，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。
七、聯(lián)系方式
報告及論文投稿聯(lián)系：
賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
白女士18888840079，bailu@casmita.com
參會及商務(wù)合作：
賈先生 18310277858，jiaxl@casmita.com
張女士 13681329411，zhangww@casmita.com
段先生 13717922543，duanpf@casmita.com
八、協(xié)議酒店
1、會議酒店名稱：濟(jì)南融創(chuàng)施柏閣酒店（濟(jì)南市歷城區(qū)鳳鳴路5865號）
協(xié)議價格：大床/ 標(biāo)間 含早 500元/1-2份早餐
預(yù)訂方式：
發(fā)郵件到 預(yù)訂部 jnrcwlc@huazhu.com 抄送：victoria0001@hworld.com
郵件模本：晶體會議，姓名，電話，房型，入住時間，退房時間
酒店銷售經(jīng)理：謝文寧15966068948
2、周邊協(xié)議酒店
