中國(guó)電子打造國(guó)家網(wǎng)信事業(yè)核心戰(zhàn)略科技力量、建設(shè)世界一流企業(yè)的偉大征程,離不開廣大青年人勠力同心、攻堅(jiān)克難。為進(jìn)一步發(fā)揮先進(jìn)典型示范帶動(dòng)作用,集團(tuán)公司官微推出《中電青年志》融媒體報(bào)道,以推動(dòng)高質(zhì)量發(fā)展為錨點(diǎn),以發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力為己任,照見中國(guó)電子與時(shí)代同行的青年力量,用炙熱的筆觸描繪科創(chuàng)青春的強(qiáng)國(guó)之志,捕捉實(shí)干道路的奮斗姿態(tài),刻畫中國(guó)電子的奔涌活力。
積塔半導(dǎo)體BCD復(fù)合高壓隔離器平臺(tái)開發(fā)青年突擊隊(duì):
積塔半導(dǎo)體BCD復(fù)合高壓隔離器平臺(tái)開發(fā)青年突擊隊(duì)是由一群朝氣蓬勃、敢于創(chuàng)新、勇于擔(dān)當(dāng)?shù)那嗄昕萍脊ぷ髡呓M成的,團(tuán)隊(duì)成員共12人,其中黨員8人,35周歲以下青年人數(shù)占比83%。團(tuán)隊(duì)主要負(fù)責(zé)高壓隔離器芯片的核心工藝開發(fā)以及平臺(tái)的搭建,工藝平臺(tái)覆蓋2kV~5kV的超高耐壓范圍,可提供多種工藝方案以滿足客戶不同耐壓的需求,為國(guó)內(nèi)高壓隔離器芯片的制造新增了一支主力軍。
BCD復(fù)合高壓隔離器芯片,簡(jiǎn)稱高壓隔離芯片,能夠保證強(qiáng)電電路和弱電電路之間信號(hào)傳輸?shù)陌踩?,避免?qiáng)電電路的電流直接流到弱電電路,主要應(yīng)用于工控、通信、新能源汽車等領(lǐng)域。隨著電子化和智能化的發(fā)展,高壓隔離芯片市場(chǎng)蓬勃發(fā)展。
積塔半導(dǎo)體迅速捕捉到高壓隔離芯片制造這片具有廣闊前景的市場(chǎng)。為了填補(bǔ)國(guó)內(nèi)高端高壓隔離芯片制造工藝的空白,解決車規(guī)級(jí)高壓隔離芯片制造工藝的關(guān)鍵性問題,2023年3月,積塔半導(dǎo)體組建了一支青年突擊隊(duì)進(jìn)行高壓隔離芯片工藝開發(fā),突擊隊(duì)針對(duì)高壓隔離芯片制造工藝進(jìn)行深入探討剖析和分解,歷時(shí)10個(gè)月實(shí)現(xiàn)了各關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)突破,完成BCD復(fù)合高壓隔離器平臺(tái)工藝開發(fā),為客戶提供一套完整的工藝設(shè)計(jì)包以支持芯片設(shè)計(jì)和產(chǎn)品導(dǎo)入。
從舉步維艱到技術(shù)突破
工藝開發(fā)進(jìn)入完成時(shí)
BCD復(fù)合高壓隔離器平臺(tái)開發(fā)包括工藝研發(fā)和制作工藝設(shè)計(jì)包兩大部分,平臺(tái)可以理解為“體系”。在工藝開發(fā)完成后,將工藝文件以及測(cè)試數(shù)據(jù)整理成一套完整的工藝設(shè)計(jì)包,才意味著平臺(tái)開發(fā)完成。而平臺(tái)開發(fā)的難點(diǎn)在于工藝研發(fā)。
高壓隔離芯片工藝研發(fā)以隔離柵高耐壓性能氧化層沉積技術(shù)開發(fā)為錨點(diǎn),并開發(fā)與之配套的高均勻性超深孔刻蝕,超深通孔金屬填充及平坦化工藝,對(duì)各模組工藝開發(fā)均提出了挑戰(zhàn)。比如厚氧化層生長(zhǎng)應(yīng)力控制、超深孔刻蝕片內(nèi)均勻性控制、超深通孔金屬化填充控制、平坦化工藝停止點(diǎn)及研磨均勻性控制等等。
在工藝整合初期,團(tuán)隊(duì)遇到各種新的工藝問題,特別是超厚介電層材料的引入,由此導(dǎo)致的晶圓翹曲而無法流片的問題給項(xiàng)目研發(fā)進(jìn)度帶來很大的困難和挑戰(zhàn)。針對(duì)該技術(shù)瓶頸,團(tuán)隊(duì)隊(duì)員每天定時(shí)定點(diǎn)開會(huì)研討工藝方案,集思廣益,并利用6sigma設(shè)計(jì)方法制定出一套最優(yōu)的實(shí)驗(yàn)方案,歷時(shí)2個(gè)月探索出了一條可行的工藝流程,完美解決了晶圓翹曲度太大帶來的無法流片問題。“這支隊(duì)伍雖然資歷尚淺,但是研發(fā)能力和團(tuán)隊(duì)協(xié)作能力很強(qiáng),是一支非常優(yōu)秀的青年團(tuán)隊(duì)。”高壓隔離器平臺(tái)開發(fā)技術(shù)副總監(jiān)黃永彬介紹到。
在整個(gè)隔離器工藝流程通線之后,隊(duì)員們沒有絲毫懈怠,迅速開展各關(guān)鍵工藝模塊的優(yōu)化,形成高效的工作機(jī)制。團(tuán)隊(duì)定期召開技術(shù)交流會(huì),分享最新研究成果和經(jīng)驗(yàn),針對(duì)工藝整合產(chǎn)生的新問題不斷優(yōu)化工藝條件。此外,團(tuán)隊(duì)還積極查找業(yè)內(nèi)相關(guān)技術(shù)問題的文獻(xiàn),進(jìn)行頭腦風(fēng)暴,對(duì)各關(guān)鍵模塊技術(shù)問題各個(gè)擊破。
2023年7月,在經(jīng)過近30次的技術(shù)交流會(huì)和數(shù)次內(nèi)部研討會(huì)后,團(tuán)隊(duì)成功攻克9項(xiàng)技術(shù)難題,并且順利通過6項(xiàng)專利申請(qǐng),按時(shí)完成項(xiàng)目各項(xiàng)關(guān)鍵任務(wù),為客戶的隔離器產(chǎn)品流片和驗(yàn)證打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
從技術(shù)突破到客戶認(rèn)可
為行業(yè)發(fā)展提供新動(dòng)能
BCD復(fù)合高壓隔離器平臺(tái)的開發(fā)完成,意味著公司具備生產(chǎn)BCD復(fù)合高壓隔離器芯片的能力,可以支持客戶進(jìn)行芯片設(shè)計(jì)和制造。
為深入了解客戶對(duì)高壓隔離芯片產(chǎn)品的需求,團(tuán)隊(duì)積極與多家客戶開展了深入的溝通和交流。在高壓隔離芯片研發(fā)過程中,考慮到隔離柵介質(zhì)層材料對(duì)耐壓性能的影響,團(tuán)隊(duì)積極探索各種材料組合,設(shè)計(jì)試驗(yàn)方案,圍繞相關(guān)指標(biāo)對(duì)BCD復(fù)合高壓隔離器平臺(tái)進(jìn)行技術(shù)改造,最終提升了高壓隔離芯片的耐壓性能和穩(wěn)定性。在高壓隔離芯片制造效率方面,雖然整個(gè)高壓隔離芯片工藝流程有七百多道工藝步驟,但是僅歷時(shí)一個(gè)多月就完成了晶圓工藝流片,比預(yù)期流片時(shí)間縮短了1/5。
這些突破達(dá)成了高壓隔離芯片開發(fā)關(guān)鍵性能指標(biāo),為行業(yè)的發(fā)展提供了新的動(dòng)力,提升了我國(guó)高壓隔離芯片制造的整體水平。
目前已經(jīng)有多家客戶的高壓隔離芯片在積塔進(jìn)行產(chǎn)品導(dǎo)入,他們表示積塔制造的高壓隔離芯片耐壓超過國(guó)外代工廠的水準(zhǔn),在傳輸延遲和帶寬等關(guān)鍵性能指標(biāo)上均能滿足其應(yīng)用需求。
在芯片行業(yè)快速發(fā)展的時(shí)代,積塔半導(dǎo)體BCD復(fù)合高壓隔離器平臺(tái)開發(fā)青年突擊隊(duì)成員始終保持著對(duì)技術(shù)的熱情和追求,堅(jiān)守崗位默默耕耘,不斷創(chuàng)新,以卓越的技術(shù)和無私的奉獻(xiàn),奏響“請(qǐng)黨放心,強(qiáng)國(guó)有我”的青春強(qiáng)音。
來源:積塔半導(dǎo)體