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CASICON晶體大會(huì)前瞻|北京化工大學(xué)張紀(jì)才:(11-22)AlN材料的HVPE生長(zhǎng)及其二極管制備研究

日期:2024-06-17 閱讀:420
核心提示:2024年6月21至23日,“新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將在山東濟(jì)南召開(kāi),北京化工大學(xué)教授張紀(jì)才受邀參加會(huì)議,并做《(11-22)AlN材料的HVPE生長(zhǎng)及其二極管制備研究》的主題報(bào)告,將分享最新研究報(bào)告。敬請(qǐng)關(guān)注!

頭圖

 AlN及其合金是深紫外光電子器件和高頻大功率微波器件的理想材料。纖鋅礦結(jié)構(gòu)AlN材料中沿c方向同時(shí)存在較大的自發(fā)極化效應(yīng)和壓電極化效應(yīng)。這種極化效應(yīng)產(chǎn)生的極化電荷會(huì)引發(fā)量子限制斯塔克效應(yīng),從而極大地限制AlN基光電子器件的發(fā)光效率,同時(shí)也影響了電力電子器件的性能。采用非極性或者半極性材料,則可以有效消除或者減少量子限制斯塔克效應(yīng)。 

2024年6月21至23日,“新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將在山東濟(jì)南召開(kāi),將邀請(qǐng)新一代半導(dǎo)體領(lǐng)域相關(guān)高校院所專家和知名企業(yè)代表出席,共同研討新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)進(jìn)展及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì),分享前沿研究成果,攜手助力我國(guó)新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。  

北京化工大學(xué)教授張紀(jì)才受邀參加會(huì)議,并做《(11-22)AlN材料的HVPE生長(zhǎng)及其二極管制備研究》的主題報(bào)告,將分享最新研究報(bào)告。相比于極性面上的電子器件,使用非極性面有利于電子器件實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)模式(、提高溫度穩(wěn)定性、減少滯后性和增加靈敏度等。然而,由于AlN本身的物理特性,導(dǎo)致其生長(zhǎng)制備比較困難,在AlN異質(zhì)外延生長(zhǎng)中,晶格失配和熱失配通常會(huì)導(dǎo)致AlN材料缺陷密度高,并且容易開(kāi)裂。其研究工作采用自主研制的高溫HVPE系統(tǒng),研究了M面藍(lán)寶石襯底上高溫外延生長(zhǎng)(11-22)半極性AlN材料的動(dòng)力學(xué)過(guò)程,探討了生長(zhǎng)條件的影響,獲得了AlN厚度達(dá)到8.5微米無(wú)微裂紋的2英寸(11-22)AlN/平面藍(lán)寶石模板,表面光滑,具有明顯臺(tái)階結(jié)構(gòu)。在此襯底上,開(kāi)展了AlN肖特基二極管的研究,獲得的器件理想因子n,從300 K時(shí)的6.5降低到450 K時(shí)的3.1。研究成果與進(jìn)展詳情,敬請(qǐng)關(guān)注會(huì)議!

 張紀(jì)才

張紀(jì)才,長(zhǎng)期從事III族氮化物半導(dǎo)體材料及相關(guān)器件的生長(zhǎng)及制備研究,在高溫氫化物氣象外延(HVPE)設(shè)備研制,GaN、AlN、BN的HVPE生長(zhǎng)制備,AlGaN基深紫外LED研究方面獲得了系列成果。在Phys. Rev. B、ACS AMI等SCI收錄期刊發(fā)表論文80余篇。申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利20余項(xiàng)。在國(guó)內(nèi)外會(huì)議上做邀請(qǐng)報(bào)告10余次。獲得中國(guó)科學(xué)院 “引進(jìn)杰出技術(shù)人才”、江蘇省“企業(yè)博士聚集計(jì)劃(創(chuàng)新類)”等人才稱號(hào)。主持了國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、北京市自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、江蘇省重點(diǎn)研發(fā)項(xiàng)目、江蘇省自然科學(xué)基金項(xiàng)目、廣西自治區(qū)自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、廣西自治區(qū)人才引進(jìn)項(xiàng)目等。

一、組織機(jī)構(gòu)

指導(dǎo)單位:

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)

主辦單位:

濟(jì)南市歷城區(qū)人民政府

山東中晶芯源半導(dǎo)體科技有限公司

山東華光光電子股份有限公司

山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院

山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(m.ybx365.cn)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

承辦單位:

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

協(xié)辦支持:

山東硅酸鹽學(xué)會(huì)新材料專委會(huì)

濟(jì)南晶谷研究院

北京中電科電子裝備有限公司

蘇州英谷激光科技股份有限公司

江蘇通用半導(dǎo)體有限公司

江蘇才道精密儀器有限公司

上海澈芯科技有限公司

顧問(wèn)委員會(huì):

陳良惠 鄭有炓 吳以成 褚君浩 祝世寧 李樹(shù)深 王立軍 黃如 楊德仁 葉志鎮(zhèn) 江風(fēng)益 劉益春 羅毅 金奎娟 劉紀(jì)美

大會(huì)主席:張榮 徐現(xiàn)剛 吳玲

大會(huì)副主席:陳秀芳 趙璐冰 王垚浩 吳德華

程序委員會(huì):

李晉閩 沈波 康俊勇 張清純 馮淦 盛況 邱宇峰 張波 柏松 陳彤 修向前 黃凱 胡卉 伊?xí)匝?黎大兵  孫濤 宋慶文 魏同波 張紫輝 鄧小川 劉斌 王曉亮 王新強(qiáng) 張進(jìn)成 吳軍 趙德剛 孫錢 楊學(xué)林 單崇新 于浩海 葉建東 王宏興 王篤福 王光緒 宋慶文 韓吉?jiǎng)?黃森 馮志紅 龍世兵 房玉龍 彭燕 徐明升 朱振 夏偉 楊祥龍 孫洪波  王成新 于國(guó)建 萬(wàn)成安 上官世鵬  

組織委員會(huì):

李樹(shù)強(qiáng) 李強(qiáng) 高娜 張雷 寧?kù)o 閆方亮 崔瀠心 謝雪健 肖龍飛 薛軍帥 王榮堃  劉鵬 王雨雷 王?,| 賈欣龍 王守志 崔鵬 鐘宇 李沛旭 沈燕 杜軍軍 任穎 許建華 等

二、主題方向

1. 碳化硅晶體技術(shù)及其應(yīng)用

·碳化硅晶錠激光剝離技術(shù)及其設(shè)備

·液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)

·碳化硅外延生長(zhǎng)技術(shù)

·先進(jìn)長(zhǎng)晶及外延碳材石墨技術(shù)

·碳化硅功率器件設(shè)計(jì)與制造技術(shù)

·先進(jìn)碳化硅長(zhǎng)晶爐及外延生長(zhǎng)裝備

·先進(jìn)晶體缺陷檢測(cè)技術(shù)及其設(shè)備

·先進(jìn)研磨設(shè)備及先進(jìn)拋光技術(shù)

·激光退火設(shè)備及技術(shù)

·先進(jìn)刻蝕設(shè)備及技術(shù)

·銀燒結(jié)封裝技術(shù)及先進(jìn)封裝設(shè)備

2. 氮化鎵、超寬禁帶晶體及其應(yīng)用

·氮化鎵單晶及外延生長(zhǎng)技術(shù)

·氮化鎵功率及射頻器件技術(shù)

·超寬禁帶半導(dǎo)體單晶技術(shù)

·鈮酸鋰晶體技術(shù)制備

·大尺寸金剛石單晶生長(zhǎng)技術(shù)

·氧化鎵單晶生長(zhǎng)技術(shù)

·氧化鎵外延及器件技術(shù)

·先進(jìn)AlN 單晶生長(zhǎng)技術(shù)及其應(yīng)用

·Micro LED 技術(shù)

3. 砷化鎵、磷化銦晶體及其應(yīng)用

·砷化鎵、磷化銦單晶及外延技術(shù)

·半導(dǎo)體激光器技術(shù)及應(yīng)用

·車用激光雷達(dá)技術(shù)及應(yīng)用

·光通信技術(shù)及應(yīng)用

·紅外LED及顯示照明技術(shù)

三、會(huì)議概覽

會(huì)議時(shí)間:2024年6月21-23日

會(huì)議酒店:山東·濟(jì)南融創(chuàng)施柏閣酒店

日程概覽 

四、擬參與單位

北方華創(chuàng)、百識(shí)電子、比亞迪半導(dǎo)體、長(zhǎng)飛半導(dǎo)體、東莞天域、東尼電子、華大半導(dǎo)體、華虹半導(dǎo)體、海思半導(dǎo)體、海創(chuàng)光電、瀚天天成、國(guó)星光電、基本半導(dǎo)體、江蘇宏微、晶盛機(jī)電、晶湛半導(dǎo)體、科友半導(dǎo)體、山東華光、連城數(shù)控、理想汽車、麥科信、南砂晶圓、日立、三安半導(dǎo)體、山東華光、山東華云光電、中晶芯源、是德科技、三環(huán)集團(tuán)、爍科晶體、士蘭微、STR、蘇州納維、宇晶股份、艾姆希半導(dǎo)體、晶工半導(dǎo)體、賽爾科技、通用半導(dǎo)體、泰克科技、安儲(chǔ)科技、華林嘉業(yè)、聯(lián)盛電子、厚德鉆石、博宏源、昂坤視覺(jué)、瑞霏光電、中科漢達(dá)、上海央米智能、同光半導(dǎo)體、泰科天潤(rùn)、特思迪、ULVAC、先導(dǎo)新材、西門子、小鵬汽車、意法半導(dǎo)體、英飛凌、揚(yáng)杰科技、英諾賽科、中博芯、中電化合物、中電科二所、中電科十三所、中電科四十六所、中電科四十八所、中電科五十五所、中鎵半導(dǎo)體、中微公司、瞻芯電子、中芯國(guó)際、北京大學(xué)、東南大學(xué)、電子科技大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、清華大學(xué)、南京大學(xué)、山東大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、西安交通大學(xué)、廈門大學(xué)、浙江大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所、中科院微電子所等

五、活動(dòng)參與

1、注冊(cè)費(fèi)2800元,6月10日前注冊(cè)報(bào)名2500元(含會(huì)議資料袋,6月22日午餐、歡迎晚宴,6月23日自助午餐、晚餐)。企業(yè)展位預(yù)定中,請(qǐng)具體請(qǐng)咨詢。

2、掃碼報(bào)名

活動(dòng)行報(bào)名二維碼

掃碼完成預(yù)報(bào)名,然后再注冊(cè)繳費(fèi)

六、繳費(fèi)方式

①銀行匯款

開(kāi)戶行:中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行

賬 號(hào):336 356 029 261

名 稱:北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

②移動(dòng)支付

麥肯橋收款碼

備注:通過(guò)銀行匯款/移動(dòng)支付,請(qǐng)務(wù)必備注:?jiǎn)挝缓?jiǎn)稱+姓名,以便后續(xù)查詢及開(kāi)具發(fā)票。若需開(kāi)具發(fā)票請(qǐng)將報(bào)名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開(kāi)票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。

七、聯(lián)系方式

報(bào)告及論文投稿聯(lián)系:

賈先生18310277858,jiaxl@casmita.com

白女士18888840079,bailu@casmita.com

參會(huì)及商務(wù)合作:

賈先生 18310277858,jiaxl@casmita.com

張女士 13681329411,zhangww@casmita.com

段先生 13717922543,duanpf@casmita.com 

中晶芯源 聯(lián)系人 :

王先生   15811352980

 八、協(xié)議酒店

1、會(huì)議酒店名稱:濟(jì)南融創(chuàng)施柏閣酒店(濟(jì)南市歷城區(qū)鳳鳴路5865號(hào))

 協(xié)議價(jià)格:大床/ 標(biāo)間  含早  500元/1-2份早餐

預(yù)訂方式:

發(fā)郵件到 預(yù)訂部  jnrcwlc@huazhu.com  抄送:victoria0001@hworld.com

郵件模本:晶體會(huì)議,姓名,電話,房型,入住時(shí)間,退房時(shí)間

酒店銷售經(jīng)理:謝文寧15966068948 

2、周邊協(xié)議酒店

濟(jì)南會(huì)議協(xié)議酒店

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