2024年7月8日，“第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇”在上海新國(guó)際博覽中心開幕。 

本次論壇由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、慕尼黑展覽（上海）有限公司共同主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦，芯三代半導(dǎo)體科技(蘇州)股份有限公司協(xié)辦。論壇聚焦第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈“材料-裝備-襯底-外延-芯片-封裝及模組-應(yīng)用”等重點(diǎn)環(huán)節(jié)前沿技術(shù)進(jìn)展。來自第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、復(fù)旦大學(xué)、意法半導(dǎo)體、德州儀器、英飛凌、安世半導(dǎo)體、芯三代半導(dǎo)體、忱芯科技、納微半導(dǎo)體等產(chǎn)業(yè)鏈實(shí)力派嘉賓代表出席論壇，并帶來精彩報(bào)告。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長(zhǎng)耿博

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長(zhǎng)耿博論壇致辭時(shí)表示，當(dāng)前產(chǎn)業(yè)發(fā)展火熱，市場(chǎng)、價(jià)格、技術(shù)、應(yīng)用、投資等各個(gè)層面都在不斷變動(dòng)，競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈，機(jī)遇與壓力挑戰(zhàn)并存。行業(yè)發(fā)展需要秩序和健康集中度，從聯(lián)盟的角度，能看到近些年產(chǎn)業(yè)技術(shù)應(yīng)用的進(jìn)步與探索。行業(yè)企業(yè)還需要加強(qiáng)在應(yīng)用方面的創(chuàng)新合作，形成行業(yè)良性健康的生態(tài)有助于行業(yè)持久發(fā)展。當(dāng)前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)以應(yīng)用牽引帶動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新，如何向更大的尺寸，更低的成本，更高的性能邁進(jìn)是行業(yè)同仁共同的方向。聯(lián)盟也將聯(lián)合各方力量積極推動(dòng)第三代半導(dǎo)體在新能源、智能電網(wǎng)、射頻等領(lǐng)域的應(yīng)用，希望企業(yè)能把握發(fā)展機(jī)遇，也希望我國(guó)產(chǎn)學(xué)研用不同環(huán)節(jié)合力支撐我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展，共同創(chuàng)造發(fā)展的美好未來。

 論壇主題報(bào)告環(huán)節(jié)，九大報(bào)告從產(chǎn)業(yè)、技術(shù)、市場(chǎng)、應(yīng)用等不同角度，關(guān)注汽車&工業(yè)等應(yīng)用領(lǐng)域，分享探討產(chǎn)業(yè)鏈的前沿趨勢(shì)與最新進(jìn)展。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長(zhǎng)高偉

《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展報(bào)告解讀》

半導(dǎo)體新材料正在重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)新格局，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長(zhǎng)高偉做了“第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展報(bào)告解讀”的主題報(bào)告，詳細(xì)分享了產(chǎn)業(yè)發(fā)展背景形勢(shì)、第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)進(jìn)展、生產(chǎn)及投融資情況、技術(shù)及產(chǎn)品進(jìn)展等內(nèi)容，分享了當(dāng)前產(chǎn)業(yè)的諸多數(shù)據(jù)進(jìn)展。其中，2023年我國(guó)第三代半導(dǎo)體器件市場(chǎng)超千億元，第三代半導(dǎo)體總產(chǎn)值超7000億元，新能源汽車是第三代半導(dǎo)體功率電子最大的應(yīng)用領(lǐng)域。SiC產(chǎn)能供給仍顯不足，GaN功率產(chǎn)能保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。技術(shù)及產(chǎn)品進(jìn)展來看，8英寸是SiC襯底和外延趨勢(shì)，復(fù)合襯底技術(shù)備受期待。芯片器件制造專用高溫裝備國(guó)產(chǎn)化加速。超寬禁帶進(jìn)展- Ga₂O₃、金剛石備受關(guān)注。國(guó)內(nèi)Ga₂O₃相關(guān)產(chǎn)品僅有襯底和外延片，大電流和高壓器件、模塊正在開發(fā)中。工業(yè)級(jí)金剛石制備較為成熟，電子級(jí)金剛石尚處于基礎(chǔ)研究階段

德州儀器系統(tǒng)工程師張宏亮

《德州儀器推出先進(jìn)的 GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)》

德州儀器系統(tǒng)工程師張宏亮做了“德州儀器推出先進(jìn)的 GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)“的主題報(bào)告，在不斷增加的能效需求下，在不增加系統(tǒng)成本的前提下設(shè)計(jì)更小巧、更高效、更經(jīng)濟(jì)實(shí)用的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)挑戰(zhàn)，報(bào)告分享了先進(jìn)的集成式 GaN 智能功率模塊 (IPM)DRV7308以及基于GaN的圖騰柱功率因數(shù)較正 (PFC) 參考設(shè)計(jì)TIDA-010236、TIDA-010255 2kW 電機(jī)逆變器、 650V 集成式 GaN IPM等產(chǎn)品，報(bào)告指出，650V 智能電源模塊 (IPM) 集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)，助力家電和暖通空調(diào) (HVAC)系統(tǒng)逆變器達(dá)到 99%以上效率。得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對(duì)外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸縮減多達(dá) 55%。

意法半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)部經(jīng)理孫君穎

《意法半導(dǎo)體碳化硅MOS的技術(shù)路線和中國(guó)市場(chǎng)策略》

意法半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)部經(jīng)理孫君穎做了”意法半導(dǎo)體碳化硅MOS的技術(shù)路線和中國(guó)市場(chǎng)策略“的主題報(bào)告，分享了SiC MOSFET最新技術(shù)發(fā)展優(yōu)勢(shì)圖，超結(jié)結(jié)構(gòu)中的MDSiC，SiC封裝技術(shù)、SiC MOSFET封裝技術(shù)等內(nèi)容。報(bào)告指出，意法半導(dǎo)體是全球知名的IDM模擬芯片廠商，一直在積極推進(jìn)碳化硅業(yè)務(wù)。中國(guó)是碳化硅的主要市場(chǎng)，并且與三安光電展開合作推動(dòng)碳化硅業(yè)務(wù)，并將擴(kuò)大SiC器件制造能力。

復(fù)旦大學(xué)青年研究員樊嘉杰

《SiC功率器件及模塊的先進(jìn)封裝及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)》

隨著電子封裝技術(shù)向微型化、高密度、集成化、高可靠方向發(fā)展，芯片級(jí)封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝、系統(tǒng)級(jí)芯片、三維立體封裝將陸續(xù)在碳化硅（SiC）功率模塊封裝中被采用。先進(jìn)封裝及可靠性技術(shù)是保證寬禁帶半導(dǎo)體性能優(yōu)勢(shì)并實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期有效服役的關(guān)鍵，屬于第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)亟待解決的卡脖子問題，因此，急需對(duì)復(fù)雜使役條件下SiC功率模塊新型封裝工藝、材料、失效機(jī)理和可靠性等基礎(chǔ)問題展開前瞻性探索。復(fù)旦大學(xué)青年研究員樊嘉杰做了”SiC功率器件及模塊的先進(jìn)封裝及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)“的主題報(bào)告，結(jié)合第三代半導(dǎo)體發(fā)展現(xiàn)狀，分享了功率器件及模塊封裝形式的發(fā)展趨勢(shì)、功率器件的板級(jí)扇出型封裝、封裝可靠性設(shè)計(jì)及優(yōu)化方法等內(nèi)容。其團(tuán)隊(duì)研究完成多款板級(jí)扇出型SiC MOSFET產(chǎn)品封裝，突破了1200V/136A SiC MOSFET板級(jí)扇出型封裝產(chǎn)品的關(guān)鍵工藝，完成了多款產(chǎn)品的封裝驗(yàn)證，正在基于半橋模塊驗(yàn)證金屬顆粒燒結(jié)技術(shù)以及芯片布局優(yōu)化設(shè)計(jì)方法的可行性等。報(bào)告認(rèn)為，SiC模塊封裝形式的發(fā)展趨勢(shì)來看，隨著系統(tǒng)級(jí)別要求的不斷提升，“定制化”成為“主流”。

芯三代半導(dǎo)體科技(蘇州)股份有限公司副總裁韓躍斌

《碳化硅垂直式6/8英寸兼容外延設(shè)備國(guó)產(chǎn)解決方案》

芯三代半導(dǎo)體科技(蘇州)股份有限公司副總裁韓躍斌做了“碳化硅垂直式6/8英寸兼容外延設(shè)備國(guó)產(chǎn)解決方案”的主題報(bào)告，分享了碳化硅外延、國(guó)產(chǎn)垂直式外延設(shè)備的最新進(jìn)展。碳化硅材料優(yōu)勢(shì)明顯，SiC必須利用外延膜生產(chǎn)器件，因此SiC外延在產(chǎn)業(yè)鏈中處于承上啟下的重要位置。國(guó)產(chǎn)襯底的快速增產(chǎn)和外延設(shè)備的快速國(guó)產(chǎn)化，支持了國(guó)產(chǎn)外延產(chǎn)能快速擴(kuò)張。一代裝備，一代材料，碳化硅外延，對(duì)設(shè)備提出了更高要求。臺(tái)階流生長(zhǎng)和快速外延技術(shù)等，推動(dòng)了SiC外延技術(shù)的成熟和產(chǎn)業(yè)化。國(guó)產(chǎn)垂直式SiC外延設(shè)備在8英寸上優(yōu)勢(shì)得到加強(qiáng)。芯三代實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體SiC垂直式外延設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化，2023年完成了8英寸設(shè)備設(shè)計(jì)和工藝驗(yàn)證，銷售10+頭部客戶，多家已簽署批量復(fù)購(gòu)訂單，已經(jīng)大批量發(fā)運(yùn)客戶現(xiàn)場(chǎng)。

英飛凌科技中國(guó)有限公司技術(shù)總監(jiān)郝欣

《SiC MOSFET技術(shù)創(chuàng)新，加速應(yīng)用領(lǐng)域變革》

英飛凌科技中國(guó)有限公司技術(shù)總監(jiān)郝欣做了“SiC MOSFET技術(shù)創(chuàng)新，加速應(yīng)用領(lǐng)域變革”的主題報(bào)告，分享了SiC技術(shù)與可靠性，SiC應(yīng)用狀況，英飛凌的相關(guān)進(jìn)展等內(nèi)容，涉及CoolSiCTM MOSFET 1200V M1H、CoolSiCTM MOSFET 非對(duì)稱溝槽柵結(jié)構(gòu)、1500VDC太陽能SiC解決方案、1500VDC 200kW PCS中的SiC MOSFET等。報(bào)告指出，SiC是應(yīng)對(duì)可持續(xù)能源生產(chǎn)和消費(fèi)關(guān)鍵市場(chǎng)趨勢(shì)的戰(zhàn)略核心。英飛凌完成收購(gòu) GaN Systems 公司，未來在氮化鎵、碳化硅等領(lǐng)域?qū)⒂懈喟l(fā)展。

安世半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品市場(chǎng)戰(zhàn)略副總監(jiān)王駿躍

《安世碳化硅-賦能電氣化和綠色節(jié)能的美好未來》

安世半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品市場(chǎng)戰(zhàn)略副總監(jiān)王駿躍分享了“安世碳化硅-賦能電氣化和綠色節(jié)能的美好未來”的主題報(bào)告，中國(guó)SiC器件市場(chǎng)增長(zhǎng)快速，市場(chǎng)機(jī)會(huì)在中國(guó)。對(duì)于碳化硅分立器件市場(chǎng)而言，對(duì)性能、可靠性，價(jià)格、供應(yīng)鏈都有相應(yīng)的需求，報(bào)告中介紹了1200v碳化硅MOSFET(To247-4L,40毫歐)等內(nèi)容。安世半導(dǎo)體具有深厚的積累，是行業(yè)老兵，擁有超過10000家國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體客戶服務(wù)經(jīng)驗(yàn)，在產(chǎn)品力、供應(yīng)、客戶、服務(wù)等方面具有優(yōu)勢(shì)，也在積極深耕中國(guó)市場(chǎng)，目前供應(yīng)鏈垂直整合，自有8寸溝槽產(chǎn)線建立中。

忱芯科技(上海)有限公司創(chuàng)始人毛賽君

《碳化硅功率半導(dǎo)體器件KGD和晶圓級(jí)可靠性測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)和解決方案》

忱芯科技(上海)有限公司創(chuàng)始人毛賽君做了“碳化硅功率半導(dǎo)體器件KGD和晶圓級(jí)可靠性測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)和解決方案”的主題報(bào)告，詳細(xì)分享了SiC MOSFET精確靜態(tài)特性測(cè)試、SiC MOSFET精確動(dòng)態(tài)特性測(cè)試、SiC MOSFET可靠性測(cè)試、SiC MOSFET在電動(dòng)汽車應(yīng)用中動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試、SiC MOSFET在電動(dòng)汽車應(yīng)用中的功率循環(huán)測(cè)試等面臨的挑戰(zhàn)，以及SiC MOSFET柵極氧化物的可靠性因素，SiC MOSFET的FBSOA測(cè)試，電動(dòng)汽車應(yīng)用中SiC MOSFET的KGD測(cè)試儀，用于電動(dòng)汽車應(yīng)用的SiC MOSFET晶片級(jí)燒入測(cè)試儀等內(nèi)容。報(bào)告指出，SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的大規(guī)模應(yīng)用正在成為一種不可抗拒的趨勢(shì)。柵極氧化物缺陷隱藏在器件級(jí)；封裝不是問題。通過不同階段的測(cè)試篩選合格的SiC MOSFET，以滿足日益嚴(yán)格的汽車等級(jí)需求是面臨的挑戰(zhàn)。

納微半導(dǎo)體高級(jí)技術(shù)營(yíng)銷經(jīng)理祝錦

《GaN&SiC開啟車載電源設(shè)計(jì)新篇章》

納微半導(dǎo)體高級(jí)技術(shù)營(yíng)銷經(jīng)理祝錦做了“GaN&SiC開啟車載電源設(shè)計(jì)新篇章”的主題報(bào)告,EV OBC發(fā)展趨勢(shì)涉及針對(duì)新功能和需求改進(jìn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以及功率密度不斷提高，以降低尺寸和總成本。報(bào)告分享了GaN和SiC在高功率密度OBC中的優(yōu)勢(shì)，6.6kW雙DC/DC充電、放電模式，6.6kW雙DC/DC測(cè)試效率，創(chuàng)新GaN+SiC OBC解決方案以及單級(jí)OBC雙向開關(guān)等內(nèi)容。報(bào)告指出，GaN&SiC車載電源設(shè)計(jì)未來將向著高開關(guān)頻率,減小變壓器、電感器EMI濾波器的尺寸，創(chuàng)新拓?fù)涞确较虬l(fā)展。

本次論壇與慕尼黑上海電子展同期同地舉行，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合。慕尼黑上海電子展(electronica China)展示領(lǐng)域緊跟行業(yè)重點(diǎn)，并根據(jù)行業(yè)實(shí)時(shí)熱點(diǎn)融入新的展示領(lǐng)域。今年，展會(huì)重點(diǎn)梳理電子行業(yè)年度脈絡(luò)，打造半導(dǎo)體、傳感器、無源器件、連接器及線束線纜、電源、測(cè)試測(cè)量、印刷電路板、顯示、分銷商、電子制造服務(wù)、智能制造等眾多主題展區(qū)，匯聚國(guó)內(nèi)外優(yōu)質(zhì)電子企業(yè)，打造從產(chǎn)品設(shè)計(jì)到應(yīng)用落地的橫跨產(chǎn)業(yè)上下游的專業(yè)展示平臺(tái)。論壇與展攜手，優(yōu)勢(shì)疊加效應(yīng)明顯。 

論壇為期兩天，9日圍繞著第三代半導(dǎo)體材料、裝備等主題，精彩分享將繼續(xù)。更多論壇信息，敬請(qǐng)關(guān)注第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)！