近日，西安電子科技大學廣州研究院第三代半導體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進成教授課題組李祥東團隊在藍寶石基增強型e-GaN（氮化鎵）電力電子芯片量產技術研發(fā)方面取得突破性進展。 

西安電子科技大學廣州研究院李祥東團隊與廣東致能科技公司聯合攻克了≥1200V超薄GaN緩沖層外延、p-GaN柵HEMTs設計與制造、可靠性加固、高硬度材料封測等整套量產技術，成功開發(fā)出閾值電壓超過2V、耐壓達3000V的6英寸藍寶石基增強型e-GaNHEMTs晶圓，展示了替代中高壓硅IGBT和SiC MOSFET的巨大潛力。相關研究內容刊發(fā)于新出版的由IEEE Electron Device Letters（國際電子技術與信息科學工程師協(xié)會）主辦的《電子器件通信》上，并入選封面highlight論文。 

在該項目的研究中，西安電子科技大學廣州研究院還研發(fā)成功了8英寸GaN（氮化鎵）電力電子芯片。其相關內容發(fā)表在由IEEE Transactions on Electron Devices主辦的《電子器件學報》上，并被國際著名半導體行業(yè)雜志Semiconductor Today（《今日半導體》）專題報道。該研究結果在國際上首次證明了8英寸藍寶石基GaNHEMTs晶圓量產的可行性，并打破了傳統(tǒng)GaN技術難以同時兼顧大尺寸、高耐壓、低成本的國際難題，將有望推動≥1200V中高壓氮化鎵電力電子技術實現變革。 

轉自：中國電子報