據(jù)報(bào)道，7月30日，香港科技園公司與麻省光子技術(shù)(香港)有限公司簽署合作協(xié)議，將于香港科學(xué)園內(nèi)設(shè)立全香港首個(gè)第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延工藝全球研發(fā)中心，并于創(chuàng)新園開設(shè)首條超高真空量產(chǎn)型氮化鎵外延片中試線，預(yù)計(jì)將在香港投資至少2億港元。此次在港設(shè)立的研發(fā)中心，將聚焦開發(fā)8寸氮化鎵外延片工藝及設(shè)備平臺(tái)，用于制作氮化鎵光電子和功率器件。設(shè)立投產(chǎn)后，會(huì)進(jìn)行氮化鎵外延片的小批量生產(chǎn)。

當(dāng)天的活動(dòng)上，香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局局長孫東、副局長張曼莉、引進(jìn)重點(diǎn)企業(yè)辦公室副總裁(先進(jìn)制造及新能源科技)王國藩等見證合作協(xié)議簽署儀式。孫東在致辭中指出，特區(qū)政府以產(chǎn)業(yè)導(dǎo)向?yàn)樵瓌t，積極推進(jìn)微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展。香港微電子研發(fā)院將于今年內(nèi)成立，并設(shè)立碳化硅和氮化鎵兩條中試線，協(xié)助企業(yè)進(jìn)行試產(chǎn)、測(cè)試和認(rèn)證，促進(jìn)產(chǎn)、學(xué)、研合作。這次麻省光子技術(shù)落戶香港確切回應(yīng)了發(fā)展戰(zhàn)略，特區(qū)政府會(huì)繼續(xù)引入更多優(yōu)秀的科技企業(yè)來港發(fā)展和投資，發(fā)揮協(xié)同效應(yīng)。

作為首家進(jìn)駐香港的氮化鎵外延技術(shù)公司，麻省光子技術(shù)為何選擇香港?“我們希望在技術(shù)密集、人才密集以及資本密集的環(huán)境來求發(fā)展，香港非常好地滿足了這三個(gè)要素。”該公司行政總裁廖翊韜接受記者采訪時(shí)形容，香港擁有“世界頂尖的新技術(shù)孵化的環(huán)境”，對(duì)于專利技術(shù)的保護(hù)以及專利產(chǎn)權(quán)的稅務(wù)優(yōu)惠，可以說在全世界是獨(dú)一無二的。

此外，是香港的國際化特點(diǎn)和人才儲(chǔ)備。廖翊韜說，不管最后生產(chǎn)的是什么類型的產(chǎn)品，始終要面向全球化市場。而香港在這方面擁有不可替代的優(yōu)勢(shì)，因此無論是研發(fā)、產(chǎn)品開發(fā)和行銷等領(lǐng)域，公司都會(huì)特別關(guān)注香港的人才。
麻省光子技術(shù)目前在內(nèi)地設(shè)有工廠。廖翊韜說，來香港投放的中試線希望能在現(xiàn)有量產(chǎn)水平基礎(chǔ)上進(jìn)一步提升研發(fā)和中試能力，特別是結(jié)合香港微電子專家現(xiàn)有的技術(shù)進(jìn)行聯(lián)合研發(fā)，確保在全球市場的競爭力和技術(shù)領(lǐng)先性。

麻省光子技術(shù)將聯(lián)合香港微電子專家開發(fā)下游的氮化鎵光電子和功率半導(dǎo)體器件。通過新產(chǎn)品的中試研發(fā)和孵化，建立前沿、完整的超高真空氮化鎵外延技術(shù)和產(chǎn)品專利包，目標(biāo)是三年內(nèi)完成中試并啟動(dòng)在香港的氨化鎵外延量產(chǎn)產(chǎn)線建設(shè)，實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)1萬片8寸氨化鎵晶圓產(chǎn)能，將香港制造的外延片產(chǎn)品推向全球市場。孫東表示，香港要因地制宜發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力，須發(fā)揮好香港的國際化優(yōu)勢(shì)和雄厚的科研實(shí)力，支持優(yōu)勢(shì)科技產(chǎn)業(yè)在港發(fā)展，而第三代半導(dǎo)體就是香港近年來重點(diǎn)發(fā)展的科技領(lǐng)域。氮化鎵外延工藝是發(fā)展第三代半導(dǎo)體的關(guān)鍵技術(shù)，能夠優(yōu)化產(chǎn)品性能，提升穩(wěn)定性，為行業(yè)帶來革命性突破。香港科技園公司行政總裁黃克強(qiáng)也表示，此次合作將成為香港微電子產(chǎn)業(yè)及新型工業(yè)化發(fā)展的重要里程碑，帶動(dòng)整個(gè)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局，香港微電子創(chuàng)科生態(tài)會(huì)更為蓬勃。

來源：微電子制造