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標準 | 賽邁科牽頭2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標準征求意見

日期:2024-08-02 閱讀:243
核心提示:由賽邁科先進材料股份有限公司牽頭起草的標準T/CASAS 036202X《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨構件純度測定輝光放電質譜法》、T/CAS

 由賽邁科先進材料股份有限公司牽頭起草的標準T/CASAS 036—202X《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨構件純度測定  輝光放電質譜法》、T/CASAS 048—202X《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨》已完成征求意見稿的編制,該項標準征求意見稿按照CASAS標準制定程序,反復斟酌、修改、編制而成,起草組召開了多次正式或非正式的專題研討會。根據聯盟標準化工作管理辦法,2024年7月25日起開始征求意見,截止日期2024年8月24日。征求意見稿已經由秘書處郵件發(fā)送至聯盟成員單位;非聯盟成員單位如有需要,可發(fā)郵件至:casas@casa-china.cn。

T/CASAS 036—202X《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨構件純度測定  輝光放電質譜法》規(guī)定了采用輝光放電質譜法測定等靜壓石墨構件純度的方法,包括術語和定義、試驗原理、試驗環(huán)境、儀器設備、試劑與材料、試樣、試驗步驟、試驗結果及試驗報告。

本文件適用于單個雜質元素含量范圍為0.01mg/kg~5mg/kg的碳化硅單晶生長用等靜壓石墨構件純度的測定,所述構件包括碳化硅單晶生長爐中的加熱器、坩堝、籽晶托等內部構件。碳化硅粉體合成用加熱器、坩堝等石墨熱場部件,以及碳化硅外延生長用石墨基材的純度測定可參考本文件。 

T/CASAS 048—202X《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨》描述了碳化硅單晶生長用等靜壓石墨的技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標識、包裝、運輸和貯存等。

本文件適用于純度要求達到5N5(質量分數99.9995%)以上的碳化硅單晶生長用或碳化硅粉體合成用等靜壓石墨,包括碳化硅單晶生長用加熱器、坩堝、籽晶托等內部構件,以及碳化硅粉體合成用加熱器、坩堝等石墨熱場部件。

 來源:第三代半導體產業(yè)技術戰(zhàn)略聯盟

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