江蘇第三代半導體研究院應用高質(zhì)量同質(zhì)外延技術，在攻克再生長界面問題、晶體質(zhì)量再提升、外延材料均勻性等方面做了大量的技術攻關，不斷深挖和優(yōu)化顯示應用Micro-LED外延結構。 

近期，南方科技大學劉召軍教授團隊在“超高分辨率Micro-LED顯示技術聯(lián)合研發(fā)中心”支持下，與王國斌博士團隊合作，在超高性能同質(zhì)外延Micro-LED取得新突破。通過零應力工程技術開發(fā)低極化效應同質(zhì)外延片，制造的相關器件和AR/MR顯示模組，實現(xiàn)了優(yōu)越的單色性和波長穩(wěn)定性，并在高電流密度下表現(xiàn)出優(yōu)越的發(fā)光特性。 

隨著材料科學和器件設計的不斷進步，同質(zhì)外延Micro-LED有望在提高亮度、降低功耗和擴展色域等方面取得更大突破。 “超高性能同質(zhì)外延Micro-LED”研發(fā)成果以《Ultra-low-defect homoepitaxial micro-LEDs with enhanced efficiency and monochromaticity for high-PPI AR/MR displays》為題發(fā)表于今年8月《PhotoniX》

 江蘇第三代半導體研究院材料生長創(chuàng)新平臺，面向產(chǎn)業(yè)需求，聚焦關鍵共性技術，著力布局同質(zhì)外延技術，深入開展Micro-LED和激光器，電力電子，微波射頻材料和器件技術攻關。研究院積極參與國家科技部、省科技廳、基礎研究計劃自然科學基金等“新型顯示與戰(zhàn)略電子材料”、“面向顯示與通信融合應用”等課題，在GaN 同質(zhì)藍綠光 Micro-LED 外延片及芯片工藝、GaNMicro-LED 結構外延及器件制備獲得系列研究成果。

研究院與深圳市思坦科技有限公司共建超高分辨率Micro-LED顯示技術聯(lián)合研發(fā)中心，共同解決Micro-LED器件開發(fā)的核心材料、芯片工藝等關鍵科學和共性技術問題，成功開發(fā)出藍、綠Micro-LED器件，單顆像素尺寸≤2μm。項目還創(chuàng)新性地采用微納加工技術提升器件的光電性能。“1+N+X”協(xié)同創(chuàng)新聯(lián)合共建模式進一步推動第三代半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。 

發(fā)表于：PhotoniX

論文鏈接：https://photonix.springeropen.com/articles/10.1186/s43074-024-00137-4

文獻檢索：PhotoniX 5, 23 (2024). https://doi.org/10.1186/s43074-024-00137-4

來源：江蘇第三代半導體研究院