2024年11月18-21日,第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS2024)&第二十一屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA2024)、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展(CASTAS)將在蘇州國(guó)際博覽中心舉辦。論壇融合聚集產(chǎn)、學(xué)、研、用、政、金多個(gè)層面的資源,將邀請(qǐng)最具代表性的行業(yè)專(zhuān)家、企業(yè)家?guī)?lái)最前沿趨勢(shì)的分享探討。目前,論壇正有序推進(jìn)中,眾多國(guó)際國(guó)內(nèi)重量級(jí)嘉賓將陸續(xù)亮相。
碳化硅具有優(yōu)越的材料特性,人們一直在努力提高商用SiC功率器件的競(jìng)爭(zhēng)力。在制造方面,SiC行業(yè)正在成功地利用傳統(tǒng)硅晶圓廠基礎(chǔ)設(shè)施,以相對(duì)較小的財(cái)務(wù)投資,使成熟的硅晶圓廠能夠加工SiC。因此,SiC芯片制造與硅一起已成為利用硅制造規(guī)模經(jīng)濟(jì)的成本效益模式。
據(jù)悉,美國(guó) Power America 執(zhí)行董事兼CTO, ICSCRM 2024 大會(huì)主席、北卡羅萊納州立大學(xué)教授Victor Veliadis將出席論壇并做大會(huì)報(bào)告,分享“加速碳化硅芯片和功率電子的商業(yè)化進(jìn)程”,并將在專(zhuān)題技術(shù)分會(huì)上,繼續(xù)分享“在硅晶圓廠中制造SiC”的研究成果。
嘉賓簡(jiǎn)介
美國(guó) Power America 執(zhí)行董事兼CTO, ICSCRM 2024 大會(huì)主席、北卡羅萊納州立大學(xué)教授 Victor Veliadis
Victor Veliadis博士是美國(guó) Power America 執(zhí)行董事兼CTO, ICSCRM 2024 大會(huì)主席、北卡羅萊納州立大學(xué)教授 ,PowerAmerica是一家由會(huì)員驅(qū)動(dòng)的美國(guó)工業(yè)、大學(xué)和國(guó)家實(shí)驗(yàn)室制造研究所,致力于加速節(jié)能碳化硅和氮化鎵功率半導(dǎo)體芯片和電子產(chǎn)品的商業(yè)化。在PowerAmerica,他管理著1.56億美元的預(yù)算,并將其戰(zhàn)略性地分配給210多個(gè)工業(yè)和大學(xué)項(xiàng)目,以促進(jìn)SiC和GaN半導(dǎo)體以及電力電子制造、勞動(dòng)力發(fā)展和創(chuàng)造就業(yè)機(jī)會(huì)。
2023年,Veliadis博士贏得了美國(guó)能源部6400萬(wàn)美元的PowerAmerica續(xù)約,以進(jìn)一步促進(jìn)WBG電力技術(shù)的發(fā)展。他也是耗資500萬(wàn)美元的美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究所“在美洲原住民社區(qū)建立流行病抵御能力”電氣化和應(yīng)急管理項(xiàng)目的首席研究員。Veliadis博士是北卡羅來(lái)納州立大學(xué)教授,也是IEEE Fellow和EDS杰出講師。他擁有27項(xiàng)美國(guó)專(zhuān)利、12本書(shū)的章節(jié)和163篇同行評(píng)審的出版物。Veliadis博士在半導(dǎo)體行業(yè)工作了21年,他的工作包括設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試SiC器件、軍用雷達(dá)放大器的GaN器件,以及商業(yè)半導(dǎo)體工廠的財(cái)務(wù)和運(yùn)營(yíng)管理。擁有約翰·霍普斯金大學(xué)電氣工程博士學(xué)位。
同時(shí),Victor Veliadis 教授作為ICSCRM 2024大會(huì)主席,也彰顯他在行業(yè)的地位和影響力。2024年碳化硅及相關(guān)材料國(guó)際會(huì)議(ICSCRM 2024)是今年規(guī)模最大的SiC領(lǐng)域國(guó)際頂會(huì),在美國(guó)北卡羅來(lái)納州羅利舉行,吸引力全球一千多人出席與參加。ICSCRM旨在探索、展示和討論SiC和其他寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的最新成果。此次會(huì)議吸引超過(guò)1200名來(lái)自業(yè)界、學(xué)術(shù)界和公共部門(mén)的代表參加。
演講報(bào)告:《加速碳化硅芯片和功率電子的商業(yè)化進(jìn)程》
報(bào)告將討論Si, SiC和GaN的共存,并突出各自的競(jìng)爭(zhēng)應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。將介紹SiC制造基礎(chǔ)設(shè)施的晶圓廠模型,識(shí)別和分析SiC大規(guī)模商業(yè)化的障礙。包括高于硅的器件成本與面積不成比例地增加,限制產(chǎn)量和器件面積的缺陷,可靠性和堅(jiān)固性問(wèn)題等。
演講報(bào)告:《在硅晶圓廠中制造SiC》
報(bào)告將總結(jié)SiC制造技術(shù)的關(guān)鍵方面,重點(diǎn)介紹大規(guī)模SiC制造的非硅兼容工藝。后者包括干蝕刻SiC、襯底減薄、透明晶圓處理以及最大化阻塞電壓的邊緣終止技術(shù)等。
論壇介紹&參會(huì)聯(lián)系:
國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國(guó)地區(qū)的年度盛會(huì),是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。會(huì)議以促進(jìn)第三代半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)、移動(dòng)通信技術(shù)、紫外探測(cè)技術(shù)和應(yīng)用的國(guó)際交流與合作,引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向?yàn)榛顒?dòng)宗旨,全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展,聯(lián)結(jié)產(chǎn)、學(xué)、研、用,提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)。在過(guò)去的九年時(shí)間里,IFWS延請(qǐng)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)權(quán)威分享最前沿技術(shù)動(dòng)態(tài),已發(fā)展成具有業(yè)界影響力的綜合性專(zhuān)業(yè)論壇。
中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)是SSL國(guó)際系列論壇在中國(guó)地區(qū)的年度盛會(huì),SSLCHINA是半導(dǎo)體照明領(lǐng)域最具規(guī)模、參與度最高、口碑最好的全球性專(zhuān)業(yè)論壇。SSL國(guó)際系列論壇以促進(jìn)半導(dǎo)體照明技術(shù)和應(yīng)用的國(guó)際交流與合作,引領(lǐng)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向?yàn)榛顒?dòng)宗旨,全面覆蓋行業(yè)工藝裝備、原材料,技術(shù)、產(chǎn)品與應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展,提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái),致力于拓展業(yè)界所關(guān)注的目標(biāo)市場(chǎng),以專(zhuān)業(yè)精神恒久締造企業(yè)的商業(yè)價(jià)值。
今年,第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十一屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(IFWS&SSLCHINA2024)將于11月18-21日在蘇州國(guó)際博覽中心舉辦,國(guó)內(nèi)外院士專(zhuān)家齊聚,數(shù)十場(chǎng)會(huì)議活動(dòng),數(shù)百位報(bào)告嘉賓,全產(chǎn)業(yè)鏈知名企業(yè)參與&參展,內(nèi)容全面覆蓋行業(yè)工藝裝備、原材料、技術(shù)、產(chǎn)品與應(yīng)用各環(huán)節(jié),融合聚集產(chǎn)、學(xué)、研、用、政、金多個(gè)層面的資源,年度國(guó)際第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“風(fēng)向標(biāo)”盛會(huì),11月相聚蘇州,共襄盛會(huì),共謀發(fā)展!歡迎業(yè)界同仁咨詢參展參會(huì),免費(fèi)觀展交流合作!