氮化鎵射頻器件具有高功率、高效率、高可靠性等特點(diǎn)。已經(jīng)證明在雷達(dá)、衛(wèi)星、通信基站等領(lǐng)域具有非常大的優(yōu)勢(shì)，隨著5G通信、物聯(lián)網(wǎng)等新興應(yīng)用的發(fā)展，氮化鎵射頻器件市場(chǎng)需求不斷增長(zhǎng)，前景廣闊。
2024年11月18-21日，第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國(guó)際博覽中心舉辦。本屆論壇由蘇州實(shí)驗(yàn)室、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）(NCTIAS)、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。
論壇融合聚集產(chǎn)、學(xué)、研、用、政、金多個(gè)層面的資源，將邀請(qǐng)最具代表性的行業(yè)專家、企業(yè)家?guī)碜钋把刳厔?shì)的分享探討。除了重量級(jí)開幕大會(huì)，設(shè)有五大熱點(diǎn)主題技術(shù)分會(huì)，以及多場(chǎng)產(chǎn)業(yè)峰會(huì)和先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展，全面聚焦半導(dǎo)體照明及第三代半導(dǎo)體熱門領(lǐng)域技術(shù)前沿及應(yīng)用進(jìn)展。
目前，作為IFWS的重要分會(huì)之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”分會(huì)最新報(bào)告日程正式出爐，本屆分會(huì)得到了深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司 /國(guó)家5G中高頻器件創(chuàng)新中心的協(xié)辦支持。 中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十八所所長(zhǎng)蔡樹軍、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司總裁張乃千、江南大學(xué)教授/寧波錸微半導(dǎo)體總經(jīng)理敖金平將共同主持分會(huì)。
屆時(shí)，將有香港科技大學(xué)高通光學(xué)實(shí)驗(yàn)室主任、教授、高武半導(dǎo)體（香港）有限公司創(chuàng)始人俞捷，小米通訊技術(shù)有限公司高級(jí)硬件研發(fā)工程師孫躍，深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司 /國(guó)家5G中高頻器件創(chuàng)新中心張?zhí)斐?，中?guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院教授、安徽云塔電子科技有限公司創(chuàng)始人左成杰，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司副總裁裴軼，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員張連，九峰山實(shí)驗(yàn)室熊鑫，江南大學(xué)集成電路學(xué)院副教授李楊，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所張國(guó)祥等多位科研院校知名專家及實(shí)力派企業(yè)代表共同參與，將圍繞氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用發(fā)展分享主題報(bào)告，共同探討氮化鎵功率電子器件技術(shù)的前沿發(fā)展趨勢(shì)及最新動(dòng)向，敬請(qǐng)關(guān)注！
分會(huì)日程詳情如下：
|
技術(shù)分會(huì)：氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用 Technical Sub-Forum：RF Electronic Devices |
|
|
時(shí)間：2024年11月21日08:30-12:00 地點(diǎn)：蘇州國(guó)際博覽中心G館 • G107 Time: Nov 21, 08:30-12:00 Location: Suzhou International Expo Centre • G107 |
|
|
協(xié)辦單位： 深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司 /國(guó)家5G中高頻器件創(chuàng)新中心 |
|
|
主持人 蔡樹軍-中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十八所所長(zhǎng) 張乃千-蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司總裁 Moderator 敖金平-江南大學(xué)教授，寧波錸微半導(dǎo)體總經(jīng)理 |
|
|
08:25-08:30 |
嘉賓致辭 & 合影 / Opening Address & Group Photo Shooting |
|
09:00-09:20 |
面向未來數(shù)據(jù)中心和6G網(wǎng)絡(luò)的下一代高端生態(tài)半導(dǎo)體 Next-Gen High-End Eco-Semiconductors for Tomorrow’s Data Centers and 6G Networks 俞 捷——香港科技大學(xué)高通光學(xué)實(shí)驗(yàn)室主任、教授、高武半導(dǎo)體（香港）有限公司創(chuàng)始人 Patrick Yue——Professor, ECE Department,HKUST Director, HKUST-Qualcomm Optical Wireless Lab (OWL) Founder of High5 Semiconductor (Hong Kong) Ltd. |
|
09:20-09:40 |
移動(dòng)終端射頻功放應(yīng)用問題探討 Discussion on RF Power Amplifiers for Handset Applications 孫躍——小米通訊技術(shù)有限公司高級(jí)硬件研發(fā)工程師 SUN Yue——Senior Hardware Engineer of Xiaomi Communications Co., Ltd， |
|
09:40-10:00 |
同質(zhì)外延氮化鎵射頻電子器件研究進(jìn)展 薛軍帥——西安電子科技大學(xué)教授 XUE Junshuai——Professor Xidian University |
|
10:00-10:20 |
FLAB：特色射頻半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新模式探索 張?zhí)斐?mdash;—深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司 /國(guó)家5G中高頻器件創(chuàng)新中心研究員 ZHANG Tianchen |
|
10:20-10:35 |
茶歇 / Coffee Break |
|
10:35-10:55 |
面向6G和Wi-Fi 7 的高頻和寬帶射頻濾波器 High-Frequency and Wideband RF Filters for 6G and Wi-Fi 7 左成杰——中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院教授、安徽云塔電子科技有限公司創(chuàng)始人 ZUO Chengjie——Professor of School of Microelectronics at University of Science and Technology of China |
|
10:55-11:15 |
先進(jìn)射頻氮化鎵制造中心支持DC-40GHz MMIC代工 Advanced GaN RF Manufacturing Center supports DC-40GHz MMIC foundry 裴軼——蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司副總裁 PEI Yi Vice president of Dynax Semi-conductor Inc |
|
11:15-11:30 |
fT/fmax=10.4/7.1GHz 的藍(lán)寶石上AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistors On Sapphire With record fT/fmax=10.4/7.1GHz 張連——中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員 ZHANG Lian——Associate Professor of Institute of Semiconductor, CAS |
|
11:30-11:45 |
3-20 GHz碳化硅基氮化鎵超寬帶威爾金森功分器 3-20 GHz Ultra-wideband Wilkinson Power DividerCombiner Using GaN on SiC 熊 鑫——九峰山實(shí)驗(yàn)室 XIONG Xin JFS Laboratory |
|
11:45-12:00 |
基于氮化鎵肖特基二極管的微波無線能量收集 Recent progress on GaN Schottky barrier diode based microwave energy harvesting 李 楊——江南大學(xué)集成電路學(xué)院副教授 LI Yang , Associate Professor, School of Integrated Circuits, Jiangnan University |
|
12:00-12:15 |
基于GaN SBD技術(shù)的具有快速恢復(fù)性能的大功率微波限幅器High power microwave limiter with fast recovery performance based on GaN SBD technology 張國(guó)祥——中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 ZHANG Guoxiang Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences |
