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國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(蘇州)邀您同聚11月IFWS & SSLCHINA2024

日期:2024-11-05 閱讀:394
核心提示:11月18-21日,IFWS2024&SSLCHINA2024、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展將在蘇州國際博覽中心舉辦。“國創(chuàng)中心(蘇州)”誠摯邀請(qǐng)產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇,蒞臨B08-B09號(hào)展位參觀交流、洽談合作。

頭圖

2024年11月18-21日,第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS2024)&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA2024)、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展(CASTAS)將在蘇州國際博覽中心G館舉辦。

作為此次論壇承辦支持單位之一,國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(蘇州)將亮相此次展會(huì),并誠摯邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇,蒞臨B08-B09號(hào)展位參觀交流、洽談合作。

邀請(qǐng)函

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(蘇州)面向第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主可控與高質(zhì)量發(fā)展目標(biāo),聚焦關(guān)鍵核心技術(shù)和重大應(yīng)用方向,協(xié)同市場(chǎng)創(chuàng)新要素和國際人才資源,建設(shè)體系化創(chuàng)新型開放研發(fā)大平臺(tái),致力突破產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸技術(shù)、推動(dòng)研究成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化,為產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供源頭技術(shù)供給,為科技型中小企業(yè)孵化、培育和發(fā)展提供創(chuàng)新服務(wù)。

 

國創(chuàng)中心(蘇州)于2021年3月獲科技部批復(fù)支持建設(shè)。國創(chuàng)中心(蘇州)圍繞國家重大發(fā)展戰(zhàn)略和產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求,聚焦“1~100”產(chǎn)業(yè)共性關(guān)鍵技術(shù),建設(shè)開放共享的公共研發(fā)大平臺(tái),以市場(chǎng)化機(jī)制協(xié)同優(yōu)勢(shì)創(chuàng)新資源開展聯(lián)合攻關(guān),推動(dòng)科技成果轉(zhuǎn)化和創(chuàng)新型企業(yè)孵化,促進(jìn)創(chuàng)新鏈、產(chǎn)業(yè)鏈、資金鏈、人才鏈的融合貫通,以新質(zhì)生產(chǎn)力服務(wù)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量創(chuàng)新發(fā)展。

國創(chuàng)中心(蘇州)的承建單位為江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司,研究院2019年7月注冊(cè)于蘇州工業(yè)園區(qū),以市場(chǎng)化機(jī)制運(yùn)行,是江蘇省批準(zhǔn)設(shè)立的新型研發(fā)機(jī)構(gòu),由江蘇省、蘇州市、蘇州工業(yè)園區(qū)、核心運(yùn)營團(tuán)隊(duì)聯(lián)合共建。目前,國創(chuàng)中心(蘇州)建有材料生長創(chuàng)新平臺(tái)、測(cè)試分析與服役評(píng)價(jià)平臺(tái)、器件工藝與封裝平臺(tái)、模塊設(shè)計(jì)與集成應(yīng)用平臺(tái)四大研發(fā)平臺(tái),逐步建成支撐第三代半導(dǎo)體材料創(chuàng)新、器件工藝、測(cè)試評(píng)價(jià)及系統(tǒng)應(yīng)用,具有國際先進(jìn)水平的、開放共享的研發(fā)平臺(tái)。

關(guān)于材料生長創(chuàng)新平臺(tái)

材料生長創(chuàng)新平臺(tái)面向新型顯示、電力電子、微波射頻、深紫外等應(yīng)用領(lǐng)域,聚焦GaN、AlN單晶同質(zhì)襯底和大尺寸異質(zhì)襯底的材料和器件的外延生長,提供專業(yè)的定制化服務(wù)。材料平臺(tái)擁有完善的設(shè)備和專業(yè)的研發(fā)團(tuán)隊(duì),承擔(dān)多項(xiàng)國家重點(diǎn)計(jì)劃和省重點(diǎn)項(xiàng)目,擁有核心發(fā)明專利165項(xiàng),發(fā)表及合作發(fā)表國際期刊20余篇。研發(fā)和生產(chǎn)了一系列應(yīng)用于高端光電子、微電子器件的外延片產(chǎn)品,已累計(jì)合作和服務(wù)國內(nèi)外高校、研究機(jī)構(gòu)和科創(chuàng)型企業(yè)約100余家。 

平臺(tái)規(guī)劃五年投入人民幣5億元,建設(shè)30臺(tái)套外延裝備,形成小規(guī)模研發(fā)、中試線,打造國際一流水準(zhǔn)、專業(yè)化、綜合型的公共研發(fā)平臺(tái)。

 2車間一角 

車間一角

3專業(yè)團(tuán)隊(duì) 

專業(yè)團(tuán)隊(duì)

4大尺寸異質(zhì)外延片 

大尺寸異質(zhì)外延片

5高質(zhì)量同質(zhì)外延片 

高質(zhì)量同質(zhì)外延片 

關(guān)于測(cè)試分析與服役評(píng)價(jià)平臺(tái)

測(cè)試分析與服役評(píng)價(jià)平臺(tái)旨在建成第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的國家級(jí)創(chuàng)新型測(cè)試分析中心,推動(dòng)我國第三代半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)、測(cè)試裝備、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和認(rèn)證體系邁向國際一流水平,加快新質(zhì)生產(chǎn)力成果轉(zhuǎn)化,助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新突破。

平臺(tái)現(xiàn)有大型專業(yè)設(shè)備30多臺(tái)套,具備材料分析、顯微結(jié)構(gòu)、光電性能、失效分析等測(cè)試功能;擁有一支30多人的技術(shù)專家團(tuán)隊(duì),自主開發(fā)包括顯微缺陷、微納結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)成分、光電特性、失效模式和失效機(jī)制的系統(tǒng)性解決方案,具有出具包括 CNAS、CMA 和第三方檢測(cè)報(bào)告的資質(zhì)能力,可為客戶提供專業(yè)、可靠的一站式解決方案。平臺(tái)在支撐自身研發(fā)任務(wù)及合作項(xiàng)目的基礎(chǔ)上,已累計(jì)為200余家企業(yè)、高校和研發(fā)機(jī)構(gòu)提供專業(yè)高效的測(cè)試分析服務(wù)。

關(guān)于器件工藝與封裝平臺(tái)

器件工藝與封裝平臺(tái)旨在構(gòu)建國產(chǎn)化裝備和工藝技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)體系,建成國內(nèi)首個(gè)第三代半導(dǎo)體器件工藝和裝備公共驗(yàn)證平臺(tái),支撐新型顯示、微波射頻、電力電子等器件工藝的研究與工程化,實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化成套裝備和工藝技術(shù)成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化。平臺(tái)匯聚國內(nèi)優(yōu)勢(shì)資源,聯(lián)合共建光刻、刻蝕、鍍膜、離子注入、晶圓鍵合加工等關(guān)鍵工藝技術(shù)公共驗(yàn)證平臺(tái),攻克 UV-LED、Micro-LED、HEMT 和 MOSHFET 等寬禁帶半導(dǎo)體芯片核心工藝技術(shù),逐步實(shí)現(xiàn) GaN 基半導(dǎo)體器件工藝裝備國產(chǎn)化、量產(chǎn)化、標(biāo)準(zhǔn)化;開展GaNSiC等寬禁帶半導(dǎo)體器件工藝技術(shù)開發(fā)及驗(yàn)證,支撐光電子工藝、微電子工藝、光機(jī)電集成工藝技術(shù)和裝備技術(shù)驗(yàn)證。

 

關(guān)于模塊設(shè)計(jì)與集成應(yīng)用平臺(tái)

模塊設(shè)計(jì)與集成應(yīng)用平臺(tái)以市場(chǎng)需求為導(dǎo)向,攜手龍頭企業(yè)共建探索支撐未來智能時(shí)代的半導(dǎo)體綜合平臺(tái)。平臺(tái)以項(xiàng)目為單元,進(jìn)行開放式建設(shè),專注于新型顯示、射頻功放、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域,推動(dòng)后端產(chǎn)品和技術(shù),專用化設(shè)備模塊設(shè)計(jì)與集成應(yīng)用等項(xiàng)目研發(fā)。

 

 參會(huì)聯(lián)系

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