‌氮化物半導(dǎo)體固態(tài)紫外技術(shù)‌，特別是基于AlGaN材料的固態(tài)紫外光源，是氮化物光電子發(fā)展的重要方向和熱點領(lǐng)域。在材料科學(xué)、光電子器件研究和應(yīng)用領(lǐng)域都取得了顯著進(jìn)展，但仍需進(jìn)一步解決一些技術(shù)瓶頸問題，以實現(xiàn)更廣泛的應(yīng)用。 

近日，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。 論壇期間，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、蘇州思體爾軟件科技有限公司協(xié)辦的“氮化物半導(dǎo)體固態(tài)紫外技術(shù)及應(yīng)用”上，日本三重大學(xué)教授三宅秀人，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院教授陸海，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員閆建昌，廈門大學(xué)副教授尹君，北京大學(xué)物理學(xué)院特聘副研究員王嘉銘，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授孫海定，南京大學(xué)助理教授蔡青，鄭州大學(xué)Muhammad Nawaz SHARIF，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所吳涵，華中科技大學(xué)、武漢優(yōu)煒芯科技有限公司、武漢紡織大學(xué)單茂誠等專家們帶來精彩報告，共同探討氮化物半導(dǎo)體固態(tài)紫外技術(shù)及應(yīng)用的最新進(jìn)展。廈門大學(xué)特聘教授康俊勇，中國科學(xué)院半導(dǎo)體所寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)中心主任、研究員王軍喜共同主持了本屆峰會。

康俊勇

廈門大學(xué)特聘教授

王軍喜

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)中心主任、研究員

三宅秀人

日本三重大學(xué)教授

日本三重大學(xué)教授三宅秀人做了“在面對面退火濺射沉積AlN模板上制備深紫外LED”的主題報告，分享了相關(guān)研究進(jìn)展。涉及面對面退火濺射沉積氮化鋁模板（FFA Sp AlN，薄膜位錯密度低/表面平整度優(yōu)越/制造工藝成本降低。研究顯示，F(xiàn)FA Sp AlN模板中TDDs的減少，研究發(fā)現(xiàn)AlN模板中的邊緣位錯密度和螺旋位錯密度分別為10⁷和103 cm^-2。報告演示了在FFA Sp AlN上制造的深UVC和遠(yuǎn)UVC LED，在FFA Sp AlN上展示了高效UV-C LED。在FFA-Sp AlN模板上制備m極性AlN和230nm MQW，PL效率顯著提高。

陸海

南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院教授

南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院教授陸海做了“寬禁帶半導(dǎo)體紫外光電探測器研究進(jìn)展與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用”的主題報告，分享了第三代半導(dǎo)體紫外探測器技術(shù)、紫外單光子探測技術(shù)、寬禁帶半導(dǎo)體軟X射線探測器等內(nèi)容。報告指出，近年來半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，為GaN基紫外探測器的產(chǎn)業(yè)化打下了良好的產(chǎn)業(yè)鏈基礎(chǔ)?；赟iC和GaN的常規(guī)結(jié)構(gòu)紫外探測器已經(jīng)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，被批量應(yīng)用于環(huán)境監(jiān)控、火焰探測、污染物檢測、紫外固化和紫外消毒設(shè)備的輻照劑量監(jiān)控等領(lǐng)域。半導(dǎo)體軟X射線探測器方面，現(xiàn)有商用Si基軟X射線探測器幾乎全部由國外2-3家公司所生產(chǎn)，已經(jīng)完成了多年的技術(shù)迭代；我國在這一領(lǐng)域開展的研究工作稀少，依靠國外產(chǎn)品；Si基軟X射線探測器應(yīng)用上受到自身性能限制：二級以上制冷、封裝成本高。

閆建昌

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員

《非極性面AlN與紫外LED》

 尹君

廈門大學(xué)副教授

廈門大學(xué)副教授尹君做了“微結(jié)構(gòu)光操控應(yīng)用于波長短于250nm深紫外LED光提取增強(qiáng)”“的主題報告，分享了用于DUV LED的等離子體耦合增強(qiáng)型LEE、用于高效亞250nm LED的等離子ODR焊盤等內(nèi)容。報告顯示，等離子體耦合是提高DUV LED EQE的有效方法，SP Exciton耦合與當(dāng)前工藝的兼容性較差，外耦合以低成本顯示出巨大的應(yīng)用前景。光子的波矢量由n接觸棒和等離子體墊操縱等。

王嘉銘

北京大學(xué)物理學(xué)院特聘副研究員

北京大學(xué)物理學(xué)院特聘副研究員王嘉銘做了”高效AlGaN基DUV發(fā)光二極管研究“的主題報告，分享了倒裝芯片DUV LED的研究進(jìn)展、垂直注入DUV LED的研究進(jìn)展等內(nèi)容。研究顯示，開發(fā)了一種由多級p-AlGaN層組成的集成p區(qū)，這有助于提高有源區(qū)中的空穴濃度，同時抑制DUV LED中的電子泄漏；提出了一種由圖案化ITO和Al反射器組成的復(fù)合p電極，確保了歐姆接觸的形成和DUV光的高反射率，提高了DUV LED的光提取效率；280nm倒裝芯片DUV LED實現(xiàn)了12.98%的最大WPE，這是迄今為止報告的最高值之一；提出了一種突破性的DUV LED路線圖，實現(xiàn)了2至4英寸垂直注入配置器件的晶圓級制造。

孫海定

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授

 《GaN基紫外光電集成器件》 

蔡青

南京大學(xué)助理教授

《高靈敏度寬禁帶半導(dǎo)體紫外探測器新結(jié)構(gòu)設(shè)計與器件物理研究》 

Muhammad Nawaz SHARIF

鄭州大學(xué)

鄭州大學(xué)Muhammad Nawaz SHARIF做了”基于高效n極AlGaN隧道結(jié)的254 nm DUV LED實現(xiàn)零效率下降“的主題報告，分享了AlGaN基紫外LED的挑戰(zhàn)和低空穴注入的挑戰(zhàn)，基于AlGaN的隧道結(jié)紫外LED和下劃線物理，基于AlGaN-TJ的DUV LED模型等研究u成果。報告指出，需要超過10%EQE的DUV 254nm LED的實際使用改進(jìn)降低了工作電壓（Vth）和注入電流密度（Jth）。結(jié)合高度透明的AlGaN隧道結(jié)（TJ）->更高的空穴注入和更高的載流子注入效率（CIE），->光提取效率（LEE），并最大限度地減少電子溢出->IQE?？珊雎缘碾娮有孤┖透呖昭ㄝ斶\到MQW中。

吳涵

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所吳涵做了”基于高溫退火AlN模板的低閾值A(chǔ)lGaN多量子阱激光器“的主題報告，分享了AlN模板的制備、AlN/AlGaN多量子阱的光泵浦等內(nèi)容。研究顯示，較厚的HTA-AlN基板在一定范圍內(nèi)具有較低的位錯密度。足夠的熱清洗時間有效去除AlON島。與MO AlN模板相比，Reg-HTA-AlN模板上的激光條具有較低的閾值和較窄的線寬。這是由于較低的位錯密度和更光滑的表面形態(tài)。隨著腔長的增加，激光閾值和線寬整體減小。（腔長=2mm，閾值=86 kW/cm2，線寬=0.22 nm，峰值波長=262 nm）。

單茂誠

華中科技大學(xué)、武漢優(yōu)煒芯科技有限公司、武漢紡織大學(xué)

《AlGaN基深紫外micro -LED和光泵浦激光器研究》

（根據(jù)現(xiàn)場資料整理，僅供參考）