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眾專家學(xué)者探討氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用的進展與趨勢 |IFWS&SSLCHINA2024

日期:2024-11-28 閱讀:415
核心提示:“氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”技術(shù)分會上,香港科技大學(xué)高通光學(xué)實驗室主任、教授、高武半導(dǎo)體(香港)有限公司創(chuàng)始人俞捷,小米通訊技術(shù)有限公司高級硬件研發(fā)工程師孫躍,中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院教授、安徽云塔電子科技有限公司創(chuàng)始人左成杰,西安電子科技大學(xué)教授薛軍帥,深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司、國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心副總經(jīng)理、CTO許明偉,蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)張新川,中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員張連,九峰山實驗室熊鑫,江南大學(xué)集成電路學(xué)院博士劉濤,中國科學(xué)院微電子研究所張國祥等嘉賓們帶來精彩報告

  氮化鎵射頻電子器件憑借其高功率、高頻率和高效率的特性,在無線通信、新能源汽車和光通信等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。近日,第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(IFWS&SSLCHINA2024)在蘇州召開。                             

 場景1

場景2

分會現(xiàn)場

論壇期間,由深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司/國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心,北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司,國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(蘇州),蘇州思體爾軟件科技有限公司,北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司協(xié)辦支持的“氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”技術(shù)分會上,香港科技大學(xué)高通光學(xué)實驗室主任、教授、高武半導(dǎo)體(香港)有限公司創(chuàng)始人俞捷,小米通訊技術(shù)有限公司高級硬件研發(fā)工程師孫躍,中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院教授、安徽云塔電子科技有限公司創(chuàng)始人左成杰,西安電子科技大學(xué)教授薛軍帥,深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司、國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心副總經(jīng)理、CTO許明偉,蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)張新川,中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員張連,九峰山實驗室熊鑫,江南大學(xué)集成電路學(xué)院博士劉濤,中國科學(xué)院微電子研究所張國祥等嘉賓們帶來精彩報告,共同探討氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用的進展與趨勢。蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司總裁張乃千,中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長、研究員張韻共同主持了分會。

張乃千-主持人 

張乃千

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司總裁

張韻 

張韻

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長、研究員

俞捷 

俞捷

香港科技大學(xué)高通光學(xué)實驗室主任、教授、高武半導(dǎo)體(香港)有限公司創(chuàng)始人

香港科技大學(xué)高通光學(xué)實驗室主任、教授、高武半導(dǎo)體(香港)有限公司創(chuàng)始人俞捷做了“賦能未來數(shù)據(jù)中心和6G網(wǎng)絡(luò)的下一代高端節(jié)能半導(dǎo)體芯粒”的主題報告,涉及高端生態(tài)半導(dǎo)體芯片的High5核心技術(shù),下一代通信市場機遇(2025-2035),企業(yè)光和無線通信市場趨勢,GaN充電器和高電源,技術(shù)發(fā)展路線圖,數(shù)據(jù)中心互連中下一代光通信的高性能驅(qū)動器,6G網(wǎng)絡(luò)和衛(wèi)星通信無線產(chǎn)品,High5半預(yù)期產(chǎn)品等內(nèi)容。

 孫躍

孫躍

小米通訊技術(shù)有限公司高級硬件研發(fā)工程師

小米通訊技術(shù)有限公司高級硬件研發(fā)工程師孫躍做了“移動終端射頻功放應(yīng)用問題探討”的主題報告,涉及移動通信中關(guān)鍵發(fā)射機特性的演變,手機功率放大器模塊的研制,手機功放在實際應(yīng)用中的問題,以及基于WBG的移動通信PA的探討等。報告指出,隨著移動通信的快速發(fā)展,手機需要高輸出功率、高階信號調(diào)制和高頻譜效率。這促使PA設(shè)計師開發(fā)先進的PA架構(gòu)和集成封裝模塊。非線性行為、輸出回退(OBO)效率、堅固性、穩(wěn)定性和封裝EMI屏蔽在PA器件設(shè)計中值得重視。寬禁帶半導(dǎo)體在移動通信領(lǐng)域仍有很大的增長空間。

 左成杰

左成杰

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院教授、安徽云塔電子科技有限公司創(chuàng)始人

射頻濾波器主導(dǎo)射頻前端市場。中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院教授、安徽云塔電子科技有限公司創(chuàng)始人左成杰做了“面向6G和Wi-Fi 7 的高頻和寬帶射頻濾波器”的主題報告,結(jié)合目前發(fā)展趨勢,分享了相關(guān)研究進展與成果。涉及蘭姆波諧振器、耦合SAW諧振器等。

 薛軍帥

薛軍帥

西安電子科技大學(xué)教授

《同質(zhì)外延氮化鎵射頻電子器件研究進展》

許明偉

許明偉

深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司、國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心副總經(jīng)理、CTO

《FLAB:特色射頻半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新模式探索》

 能訊代替裴軼?

張新川   

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)

氮化鎵非常適合于制造5G毫米波射頻前端集成。蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司副總裁裴軼做了“先進射頻氮化鎵制造中心支持DC-40GHz MMIC代工”的主題報告,6英寸GaN HEMT、高級過程控制、先進的熱解決方案、高功率高效率PA等內(nèi)容。

 張連

張連

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員

《fT/fmax=10.4/7.1GHz 的藍寶石上AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管》

 熊鑫

熊鑫

九峰山實驗室

九峰山實驗室熊鑫做了“高性能、低成本、小型化集成無源器件技術(shù)”的主題報告,分享了集成無源器件IPD技術(shù)、九峰山實驗室IPD_PDK技術(shù),基于IPD_PDK設(shè)計的超寬帶功分器等內(nèi)容。報告顯示,基于九峰山實驗室工藝平臺和自研的IPD工藝Flow,開發(fā)了IPD的背孔工藝、空氣橋等關(guān)鍵工藝,實現(xiàn)IPD無源器件包括電阻、電容、圓形電感、方形電感等器件。3-20 GHz超寬帶功分器采用威爾金森功分器架構(gòu),采用三級級聯(lián)結(jié)構(gòu)拓展帶寬,電阻采用TFR電阻,JFS IPD_PDK通過功分器、巴倫等電路設(shè)計已完成原理圖仿真、版圖EM仿真、調(diào)諧優(yōu)化等功能性驗證,PDK功能完善且使用便捷,設(shè)計的無源電路性能突出,該功分器在超寬帶范圍內(nèi)具有良好的回波損耗與插入損耗,以及隔離度,尺寸為1.2 mm*3 mm。

 代替李楊-江南大學(xué)

劉濤

江南大學(xué)集成電路學(xué)院博士

江南大學(xué)集成電路學(xué)院副教授李楊做了“基于氮化鎵肖特基二極管的微波無線能量收集”的主題報告,涉及整流損耗計算、氮化鎵肖特基二極管、氮化鎵微波整流器及其應(yīng)用等內(nèi)容。

報告顯示,研究提出了一種用于預(yù)測微波整流二極管效率的新型等效電流模型?;谒崮P偷姆治?,并結(jié)合氮化鎵二極管的工藝設(shè)計,已經(jīng)設(shè)計和制造了多種高性能的氮化鎵肖特基二極管。展示了基于氮化鎵的微波整流器,適用于常見的ISM頻段,包括900 MHz、2.4 GHz和5.8 GHz,并介紹了它們的應(yīng)用,分別實現(xiàn)了最大整流效率92.3%、91%和80%。特別是,GaN-SBD首次應(yīng)用于微瓦級整流,在0 dBm和-10 dBm時的效率與現(xiàn)有技術(shù)水平相比最高。這展示了氮化鎵材料在微波無線輸電領(lǐng)域巨大的潛力。

 張國祥

張國祥

中國科學(xué)院微電子研究所

中國科學(xué)院微電子研究所張國祥做了“基于GaN SBD技術(shù)的具有快速恢復(fù)性能的大功率微波限幅器”的主題報告,分享了GaN SBD技術(shù)、GaN SBD MMIC特性等相關(guān)研究進展。報告顯示,在不同頻率下,快速恢復(fù)時間在100 W下小于39 ns。由于SBD的多數(shù)載流子導(dǎo)通機制,該限制器不僅具有設(shè)計方法簡單、閾值設(shè)計自由度高的優(yōu)點,而且具有無尖峰泄漏和易于集成的特點。 

(根據(jù)現(xiàn)場資料整理,僅供參考)  

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