半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：據(jù)“ 鎵仁半導(dǎo)體”公號(hào)消息，2024年10月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司在氧化鎵晶體的直拉法生長(zhǎng)與電學(xué)性能調(diào)控方面實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，成功生長(zhǎng)出2英寸N型氧化鎵單晶并制備出2英寸晶圓級(jí)N型(010)晶面氧化鎵單晶襯底。襯底平均電阻率＜30mΩ·cm，電阻率均勻性＜5%，標(biāo)志著公司在超寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。

2英寸N型氧化鎵單晶晶錠與晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底

鎵仁半導(dǎo)體一直致力于直拉法氧化鎵晶體生長(zhǎng)技術(shù)的研發(fā)，于今年相繼完成2英寸UID和半絕緣直拉晶體的技術(shù)突破，并成功解決了（010）晶面襯底加工技術(shù)難題，成為國(guó)際上首個(gè)也是目前唯一的2英寸（010）晶面襯底產(chǎn)品供應(yīng)商。（詳情可點(diǎn)擊新聞查閱）。在2英寸UID和半絕緣直拉法晶錠的中試階段，鎵仁半導(dǎo)體通過(guò)工藝革新，提高放肩和等徑生長(zhǎng)的穩(wěn)定性，于近期實(shí)現(xiàn)一次成晶的技術(shù)，從而克服Sn摻高揮發(fā)的缺陷，成功制備出導(dǎo)電型氧化鎵單晶。

在氧化鎵單晶襯底的主流晶面中，（010）晶面因其卓越的物理特性和外延表現(xiàn)而備受青睞。（010）晶面熱導(dǎo)率最高，有利于提升功率器件性能；（010）晶面外延容許生長(zhǎng)速率最快，符合產(chǎn)業(yè)化需求；且基于（010）晶面制備的器件性能相較于其它晶面更為優(yōu)異。但受限于襯底尺寸、性能及加工難度，無(wú)法在科研和產(chǎn)業(yè)中得到充分應(yīng)用。

目前鎵仁半導(dǎo)體制備的導(dǎo)電型襯底，突破了（010）晶圓尺寸的桎梏，豐富了公司的襯底產(chǎn)品線，夯實(shí)了氧化鎵外延和器件的科研基礎(chǔ)，也滿足了氧化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展的迫切需求。

杭州鎵仁半導(dǎo)體致力于解決國(guó)家重大需求，將持續(xù)深耕氧化鎵上游產(chǎn)業(yè)鏈的創(chuàng)新，為我國(guó)電力電子等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品保障。公司此次技術(shù)突破，不僅推動(dòng)了氧化鎵材料的商業(yè)化進(jìn)程，也為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)了中國(guó)力量。

杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司成立于2022年9月，是一家專注于氧化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。公司開(kāi)創(chuàng)了氧化鎵單晶生長(zhǎng)新技術(shù)，擁有國(guó)際、國(guó)內(nèi)發(fā)明專利十余項(xiàng)，突破了美國(guó)、日本等西方國(guó)家在氧化鎵襯底材料上的壟斷和封鎖。鎵仁半導(dǎo)體立足于解決國(guó)家重大需求，將深耕于氧化鎵上游產(chǎn)業(yè)鏈的持續(xù)創(chuàng)新，努力為我國(guó)的電力電子等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供產(chǎn)品保障。