Mini/Micro-LED及其他新型顯示技術(shù)在技術(shù)突破和市場需求方面均取得了顯著進(jìn)展，市場前景看好。近日，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。

期間，由國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、蘇州思體爾軟件科技有限公司、元旭半導(dǎo)體科技股份有限公司等協(xié)辦支持的“Mini/Micro-LED及其他新型顯示技術(shù)”分會上，南方科技大學(xué)納米科學(xué)與應(yīng)用研究院助理教授黃楊，南京大學(xué)助理教授莊喆，蘇州大學(xué)副教授王亞坤，中南大學(xué)林超宇，北京大學(xué)教授陳志忠，復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院教授田朋飛，中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所研究員呂順鵬，廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長、教授李澄，西安交通大學(xué)王旭正等嘉賓們齊聚，共同探討 Mini/Micro-LED及其他新型顯示技術(shù)的發(fā)展。福州大學(xué)教授嚴(yán)群，九峰山實驗室領(lǐng)域首席科學(xué)家閆春輝，北京工業(yè)大學(xué)教授郭偉玲共同主持了分會。

福州大學(xué)教授嚴(yán)群

九峰山實驗室領(lǐng)域首席科學(xué)家閆春輝

北京工業(yè)大學(xué)教授郭偉玲

黃楊

南方科技大學(xué)納米科學(xué)與應(yīng)用研究院助理教授

南方科技大學(xué)納米科學(xué)與應(yīng)用研究院助理教授黃楊做了“對PeLED和QLED的射線光學(xué)極限外耦合效率的再思考”的主題報告，分享了機器學(xué)習(xí)結(jié)合DFT設(shè)計新型空穴傳輸層材料、傳統(tǒng)空穴傳輸層NiO表面優(yōu)化、QD殼層摻雜提升空穴注入能力等研究進(jìn)展與成果。報告顯示，機器學(xué)習(xí)結(jié)合DFT設(shè)計新型空穴傳輸層材料方面，首先建立了帶隙預(yù)測模型，其預(yù)測結(jié)果與640種材料的計算結(jié)果高度一致；然后從5276種直接帶隙半導(dǎo)體中篩選出帶隙介于3.0-4.3 eV之間的518種寬帶隙半導(dǎo)體；經(jīng)過高通量密度泛函理論計算篩選，進(jìn)一步識別出其中有2（9）種潛在的p-（n-）型傳輸層，提出了此類材料的設(shè)計方案。傳統(tǒng)空穴傳輸層NiO表面優(yōu)化方面，基于NiO反鐵磁基態(tài)構(gòu)型，結(jié)合實驗和理論計算，我們發(fā)現(xiàn)SAM分子可以有效降低NiO表面O空位所引入深能級的影響，但并不能完全消除，為SAM分子提出進(jìn)一步的優(yōu)化建議。QD殼層摻雜提升空穴注入能力方面，對于殼層ZnS，Na元素是潛在的p型摻雜劑，可以有效提升ZnS的HOMO位置，加強空穴注入。

莊喆

南京大學(xué)助理教授

南京大學(xué)助理教授莊喆做了“基于有源TFT驅(qū)動的氮化鎵基Micro-LED顯示芯片研究”的主題報告，分享了帶TJ的InGaN紅色微型LED、靈活的RGB微型LED、柔性有源矩陣微型LED顯示屏等研究進(jìn)展，首次演示了InGaN RGB Micro LED顯示器。報告顯示，具有MBE再生TJ的InGaN基紅色微LED，與AlGaInP紅色LED相比，具有良好的溫度穩(wěn)定性。

王亞坤

蘇州大學(xué)副教授

《量子點序構(gòu)化調(diào)控助力高效電致發(fā)光器件》

林超宇

中南大學(xué)

《新型顯示用集成超表面光場調(diào)控Micro-LED器件》

陳志忠

北京大學(xué)教授

北京大學(xué)教授陳志忠做了“Micro-LED側(cè)壁刻蝕損傷：修復(fù)或隔離？”的主題報告，分享了氟等離子體處理減少Micro-LED側(cè)壁損傷、激子與激子局域化效應(yīng)減少Micro-LED側(cè)壁損傷等研究進(jìn)展，研究顯示，F(xiàn)離子注入使得小尺寸Micro-LED在小注入下的亮度得到明顯增加。其原因來自于載流子側(cè)壁的電場的排斥作用，從而減少載流子在側(cè)壁的復(fù)合。但是F離子注入會導(dǎo)致電壓的下降。F離子處理微觀作用機理和工藝優(yōu)化在進(jìn)一步的研究中。聲子伴線在小注入和低溫下出現(xiàn)，表明了激子和聲子在量子阱邊緣地區(qū)耦合。激子聲子的耦合有助于小注入下的EQE的提升。激子復(fù)合幾乎不受側(cè)壁缺陷的影響。黃里斯因子的增加不利于抑制俄歇復(fù)合，但似乎對EQE提升有幫助，進(jìn)一步的需要確認(rèn)激子的作用，或者激子聲子的耦合對EQE的影響。對于激子的作用，增加其結(jié)合能是根本的途徑，需要較低的溫度，較小的極化電場，更多的量子限制。而對于激子-聲子的耦合，則在于量子阱應(yīng)力的控制，這還需要和載流子的橫向輸運聯(lián)系在一起。

田朋飛

復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院教授

復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院教授田朋飛做了“基于帶寬2GHz綠光micro-LED的9Gbps可見光通信系統(tǒng)”的主題報告，分享了Micro-LED高速紫光通信、高速藍(lán)光通信、高速綠光通信的研究進(jìn)展?？梢姽馔ㄐ偶夹g(shù)可同時實現(xiàn)照明、定位和通信三種功能，6G 通信中的光通信是對射頻通信的有力補充。6G 光通信應(yīng)用場景需要進(jìn)一步提高光通信速率。報告顯示，基于micro-LED的通信速率，單通道m(xù)icro-LED的高速通信可達(dá)11Gbps以上，結(jié)合波分復(fù)用可達(dá)25Gbps以上。串聯(lián)紫光micro-LED陣列實現(xiàn)13.4 mW光功率與10.23 Gbps通信。自支撐襯底micro-LED高速無線光通信，目前達(dá)到10 Gbps速率均為串聯(lián)器件，首次以單顆micro-LED器件超過10 Gbps。基于帶寬2GHz綠光micro-LED的9Gbps可見光通信系統(tǒng)，10微米單顆器件帶寬超過2GHz，20微米單顆器件帶寬超過1.3GHz，20微米八顆串聯(lián)與九顆串聯(lián)器件帶寬均超過800MHz。

呂順鵬

中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所研究員

《氮化物Micro-LED載流子輸運與光提取研究》

李澄

廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長、教授

廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長、教授李澄做了“實時原位觀測新型半導(dǎo)體光電材料中的缺陷“的主題報告，分享了表征方法相關(guān)的研究進(jìn)展。涉及原位溶液退火同步輻射表征、熒光成像顯微技術(shù)、Micro LED 尺寸效應(yīng)、FLIM 超快熒光壽命成像系統(tǒng)、多物理場下的熒光成像顯微技術(shù)等。報告顯示，通過原位觀測缺陷移動、構(gòu)建缺陷遷移模型、精準(zhǔn)調(diào)節(jié)缺陷等，實現(xiàn)高效穩(wěn)定光電器件。

郭偉玲

北京工業(yè)大學(xué)教授

北京工業(yè)大學(xué)教授郭偉玲做了”用于Micro-LED的無轉(zhuǎn)移圖像化石墨烯透明電極技術(shù)“的主題報告，分享了LED中的無轉(zhuǎn)移圖案化石墨烯透明電極，Micro-LED中的無轉(zhuǎn)移圖案化石墨烯透明電極等研究進(jìn)展。報告顯示，研究提出了一種無轉(zhuǎn)移圖案化石墨烯的制備技術(shù)，制備的多層石墨烯具有高質(zhì)量、高均勻性和高透射率，在電流擴散和改善電極接觸方面發(fā)揮了良好作用。制備了以石墨烯為透明電極的GaN基近紫外大尺寸LED，其光學(xué)性能優(yōu)于ITO透明電極的LED。制備了以石墨烯為透明電極的GaN基藍(lán)色Micro-LED，石墨烯顯著提高了LED的電學(xué)和光學(xué)性能。

王旭正

西安交通大學(xué)

西安交通大學(xué)王旭正做了”基于超表面的可應(yīng)用于裸眼3D顯示的Micro-LED顯示技術(shù)“的主題報告，分享了基于金屬納米錐超表面的SP增強線偏振微LED、集成雙功能元光柵的高效線偏振Micro LED等研究進(jìn)展。報告顯示，研究提出了一種基于金屬納米孔超表面的SP增強GaN基線偏振微LED，通過克服耦合距離的限制，顯著提高了QW-SP耦合效率。與平面結(jié)構(gòu)相比，PL光譜強度增加了3.17倍。此外，金屬納米酮超表面減少了蝕刻損傷，從而在不損失電性能的情況下提高了發(fā)光效率。通過采用元光柵結(jié)構(gòu)進(jìn)行損耗模式回收和基于激光干涉光刻的成本效益高的制造方法，還設(shè)計并制造了一種高效的GaN基線偏振微LED。該策略大大減少了能量損失，從而在LP LED的發(fā)光效率和偏振比方面實現(xiàn)了前所未有的提高。

（根據(jù)現(xiàn)場資料整理，僅供參考）