作為寬禁帶半導體材料的典型代表之一，碳化硅（SiC）在功率器件、光伏逆變器和電動汽車等大功率、高頻領域中具有廣泛應用場景。近年來，碳化硅功率器件的市場正在迅速擴大，因此對更大直徑、更高質(zhì)量外延層的需求也變得越來越迫切。

陳丹瑩

中微半導體設備（上海）股份有限公司主任工藝工程師

近期，第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。期間，“碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術”分會上，中微半導體設備（上海）股份有限公司主任工藝工程師陳丹瑩做了“PRISMO PDS8^TM – 用于SiC功率器件外延生長的CVD設備”的主題報告，分享了基于CFD模擬的SiC設備設計優(yōu)化、AMEC PRISMO PDS8^TM SiC外延工藝結果等內(nèi)容。

報告顯示，中微公司最新開發(fā)的可用于SiC外延生長的CVD平臺 – PRISMO PDS8^TM，能夠兼容6和8英寸SiC襯底進行同質(zhì)外延。結合數(shù)值模擬和實驗研究證明，氣相傳輸和反應前驅(qū)體的寄生沉積會導致晶圓表面上方氣相組分的重新分布。通過優(yōu)化工藝，在6英寸4H-SiC襯底上快速生長得到具有優(yōu)異厚度及摻雜濃度均勻性、表面光滑及低缺陷密度的外延層，其外延生長速率超過50 μm/h，厚度和摻雜濃度均勻性分別為1.03%和0.73%。

PRISMO PDS8^TM同樣能夠在8英寸SiC襯底上生長高質(zhì)量外延層，其厚度和摻雜濃度均勻性分別能夠控制在<1.5%和<3%。在此基礎上，成功實現(xiàn)了厚度超過50 μm的低缺陷密度SiC外延層在8英寸襯底上的快速外延生長，其厚度和濃度均勻性與13 μm外延層的水平相近。

嘉賓簡介

陳丹瑩，本科及碩士畢業(yè)于中山大學，2019年于法國格勒諾布爾大學取得博士學位，她的主要研究方向為氮化鋁薄膜的高溫化學氣相沉積。博士畢業(yè)后，她在法國國家科學研究中心-SIMaP實驗室繼續(xù)從事碳化硅薄膜CVD生長的科研工作。2021年加入中微半導體設備（上海）股份有限公司后主要從事AMEC MOCVD產(chǎn)品的工藝開發(fā)工作。憑借在化合物半導體技術、材料表征和數(shù)值模擬方面的扎實知識，她參與開發(fā)了AMEC用于碳化硅外延的CVD系統(tǒng)的工藝開發(fā)，主要負責實現(xiàn)低缺陷密度、高生長速率及摻雜控制。 

公司簡介

中微半導體設備（上海）股份有限公司（股票簡稱：中微公司，股票代碼：688012）是一家以中國為基地、面向全球的微觀加工高端設備公司。中微公司基于在半導體裝備產(chǎn)業(yè)多年耕耘積累的專業(yè)技術，跨足半導體芯片前端制造、先進封裝、發(fā)光二極管生產(chǎn)、MEMS制造以及其他微觀制程的高端設備領域，其集成電路制造設備已被廣泛應用于國際一線客戶從65納米到5納米及更先進的芯片加工工藝，中微公司開發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產(chǎn)的MOCVD設備在全球氮化鎵基LED MOCVD設備市場占據(jù)領先地位。中微公司的客戶遍布中國大陸和臺灣、新加坡、韓國、日本、德國、意大利等國家和地區(qū)。  

（根據(jù)現(xiàn)場資料整理，僅供參考）