近年來，氧化鎵PECVD外延生長技術(shù)取得了顯著進展，為高性能器件的制備提供了重要支持。隨著薄膜質(zhì)量的提升和摻雜技術(shù)的進步，制備出高性能的電力電子器件和光電探測器將成為可能，進一步提升氧化鎵材料的應(yīng)用價值。

 近期，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。期間，“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù) I”分會上，南京郵電大學(xué)副教授、蘇州鎵和半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)李山做了“氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究”的主題報告，分享了PECVD 外延生長及調(diào)控、氧化鎵光電信息傳感器件等研究進展。涉及PECVD 外延生長的腔壓調(diào)控、溫度調(diào)控、生長模式、退火調(diào)控、合金摻雜調(diào)控，InGaO光電探測器，InGaO的PPC效應(yīng)，InGaO合金化合物薄膜，神經(jīng)形態(tài)視覺傳感器等內(nèi)容。

李山

南京郵電大學(xué)副教授、蘇州鎵和半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān) 

報告顯示，其研究團隊，從超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵的豐富物理特性中拓展出新穎信息感知應(yīng)用。報告指出，基于PECVD（調(diào)控腔壓、溫度）開發(fā)了2英寸氧化鎵薄膜外延生長技術(shù)，實現(xiàn)了氧化鎵薄膜島狀模式生。通過氧氣氛溫度退火有效降低PECVD氧化鎵外延薄膜的氧空位缺陷，光暗電流比提升2個數(shù)量級。In/Ga合金摻雜實現(xiàn)InGaO薄膜帶隙寬度從3.9~4.9 eV的連續(xù)性調(diào)控。摻雜0.02比例的InGaO MSM器件實現(xiàn)高質(zhì)量的光學(xué)成像。0.1摻雜比例的InGaO薄膜存在相分離，缺陷和晶界協(xié)同增強PPC效應(yīng)，實現(xiàn)神經(jīng)形態(tài)視覺傳感器的感存功能應(yīng)用。

嘉賓簡介

李山，南京郵電大學(xué)院副教授，碩士生導(dǎo)師，World's Top 2% Scientists (2023/2024)，江蘇省科協(xié)青年托舉人才。聚焦于超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料生長及信息感知器件研究，近五年來以第一作者或通訊作者發(fā)表高水平學(xué)術(shù)論文30余篇，包括IEEE TED/EDL/PTL、APL、JPCL等，被引2000余次。主持/參與課題10余項，包括國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學(xué)基金重點和青年項目、江蘇省雙創(chuàng)團隊項目、蘇州市揭榜掛帥項目等。

蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司

蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司是一家專業(yè)從事氧化鎵材料、相關(guān)器件及其應(yīng)用研發(fā)的高科技企業(yè)。公司的核心技術(shù)源于創(chuàng)始團隊十多年來在該領(lǐng)域的研究成果，我們提供一系列的服務(wù)，包括生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量單晶襯底和外延晶片、單晶及外延設(shè)備、高靈敏日盲紫外探測器件、高壓高溫高頻率大功率電力電子器件以及滿足特定要求的定制服務(wù)。 

（根據(jù)現(xiàn)場資料整理，僅供參考）