氮化鎵功率電子器件在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用前景，市場需求將持續(xù)增長。‌近期，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。 

期間，由北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、蘇州思體爾軟件科技有限公司、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）、深圳平湖實驗室協(xié)辦支持的”氮化鎵功率電子器件技術(shù) I“分會上，香港科技大學(xué)電子及計算機工程學(xué)系講座教授，IEEE Fellow陳敬，臺灣長庚大學(xué)可靠度科學(xué)和技術(shù)研究中心主任、教授陳始明，電子科技大學(xué)教授周琦，福州鎵谷半導(dǎo)體有限公司首席技術(shù)官梁琥，南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長、教授于洪宇，北京大學(xué)副教授王茂俊，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授黃偉，華南理工大學(xué)關(guān)晶允等嘉賓們齊聚一堂，共同探討氮化鎵功率電子器件技術(shù)發(fā)展。

陳敬

香港科技大學(xué)電子及計算機工程學(xué)系講座教授，IEEE Fellow

《釋放氮化鎵功率集成的潛能》

陳始明

臺灣長庚大學(xué)可靠度科學(xué)和技術(shù)研究中心主任、教授

臺灣長庚大學(xué)可靠度科學(xué)和技術(shù)研究中心主任、教授陳始明做了”硅基和氮化鎵基功率半導(dǎo)體的輻射效應(yīng)比較“的主題報告，報告顯示，研究看到看到GaN TIA在性能上優(yōu)越，并且對質(zhì)子輻射可靠。GaN基電子系統(tǒng)非常適合在輻射惡劣的環(huán)境中使用。通過GaN晶體管的 高頻開關(guān)，可以降低整個電子系統(tǒng)的成本。隨著GaN制造技術(shù)的日益成熟，其強度確實可以取代Si TIA用于傳感應(yīng)用。

周琦

電子科技大學(xué)教授

電子科技大學(xué)教授周琦做了”高性能增強型GaN p-MISFET先進制造技術(shù)與器件新結(jié)構(gòu)“的主題報告，分享了具有空穴遷移率調(diào)制（HMM）的GaN p-MISFET、埋入背柵GaN p-MISFET（BBG）等研究進展。報告顯示，單芯片CMOS集成是功率GaN進一步提高“功率密度和效率”的最佳途徑。高性能p溝道器件與n溝道器件的匹配要求很高。與工業(yè)化技術(shù)兼容的設(shè)備和工藝對于擬議的方案至關(guān)重要。

梁琥

福州鎵谷半導(dǎo)體有限公司首席技術(shù)官

《垂直結(jié)構(gòu)GaN在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用及其外延技術(shù)研究》

于洪宇

南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長、教授

南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長、教授于洪宇做了”Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景“的主題報告，分享了Si基GaN器件先進工藝、功率器件及其電源系統(tǒng)，Ga2O3器件及GaN氣體傳感器 ，Si基GaN射頻器件及其PA模塊等研究進展。報告顯示，研究取得了諸多成果。其中，開發(fā)一種基于Al:HfOx電荷捕獲層（CTL）的柵電荷存儲路線，制備出具有優(yōu)異電學(xué)性能的常關(guān)型GaN HEMT器件。創(chuàng)新性提出魚骨柵結(jié)構(gòu)設(shè)計，結(jié)合再生長技術(shù)，進一步提升常關(guān)型器件擊穿特性和閾值電壓穩(wěn)定性，最大柵極驅(qū)動電壓達9.2 V（10年可靠性）。首次提出了基于Pt柵極GaN HEMT氣體傳感器的感算一體系統(tǒng)。實現(xiàn)了時序氣體模式識別，具有低訓(xùn)練成本和低功耗。提出多感傳集成陣列用于復(fù)雜氣體混合物動態(tài)感知和識別，促進系統(tǒng)的小型化和單片集成。

王茂俊

北京大學(xué)副教授

《源對p-GaN柵HEMT關(guān)態(tài)阻斷特性的影響》

黃偉

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授黃偉做了”6英寸GaN/Si CMOS 1P2M單片異質(zhì)集成整套芯片工藝與平臺化器件研究“的主題報告，分享了工藝和平臺化設(shè)備、Epi-GaN材料和Si-MOS的應(yīng)力建模等研究進展。涉及到平臺式PMOS、扁平體PN二極管、平臺BJT、平臺GaN HEMT等。

關(guān)晶允  

華南理工大學(xué)

華南理工大學(xué)關(guān)晶允做了”基于ANN的GaN HEMT終端電荷物理模型“的主題報告，分享了相關(guān)研究進展。報告指出，當前研究中面臨著缺乏準確的實驗數(shù)據(jù)；其他復(fù)雜效應(yīng)，如極化效應(yīng)、寄生效應(yīng)等；缺乏標準化的模型框架；模型驗證和校準的難度等。機器學(xué)習(xí)具有捕捉并體現(xiàn)非線性關(guān)系、快速準確地對設(shè)備建模等優(yōu)勢。研究顯示，對于源終端費用，初步估計是數(shù)據(jù)不足或物理機制未得到補償?shù)脑?。對于漏極端子電荷，初步估計可能是由于數(shù)據(jù)偏差問題造成的。未來，要在2D模擬→3D模擬，從HEMT器件到FinFET器件的建模。使用更復(fù)雜的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)來完成具有更多特征的模型，如GAN和混合神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等方面開展工作。

會上，圍繞著“氮化鎵應(yīng)有的主要增長領(lǐng)域”、“氮化鎵功率器件有哪些可靠性、穩(wěn)定性和魯棒性的問題”、“氮化鎵功率器件是否需要集成”等當下行業(yè)熱點話題，與會嘉賓們展開深入的互動探討，觀點激蕩，現(xiàn)場熱烈。 

（根據(jù)現(xiàn)場資料整理，僅供參考）