近年來，GaN功率電子器件行業(yè)呈現(xiàn)出快速發(fā)展的態(tài)勢，在GaN量子光源芯片等領(lǐng)域取得重大突破，進(jìn)一步推動了GaN技術(shù)的應(yīng)用。近期，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。
期間，由北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、蘇州思體爾軟件科技有限公司、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）、深圳平湖實(shí)驗(yàn)室協(xié)辦支持的“氮化鎵功率電子器件技術(shù)II”分會上，珠海鎵未來科技有限公司總裁、IEEE Fellow吳毅鋒，大連理工大學(xué)副教授張賀秋，西安電子科技大學(xué)廣州研究院第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心副主任、特聘教授李祥東，弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子中心副教授張宇昊，西交利物浦大學(xué)副教授劉雯，廣東工業(yè)大學(xué)博士黃福平，深圳大學(xué)研究員、微電子研究院院長助理、IEEE Senior Member劉新科，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所蘇杭，南京大學(xué)王瀟男等嘉賓們帶來精彩報(bào)告，共同探討氮化鎵功率電子器件技術(shù)發(fā)展。
吳毅鋒
珠海鎵未來科技有限公司總裁、IEEE Fellow
珠海鎵未來科技有限公司總裁、IEEE Fellow吳毅鋒做了“氮化鎵功率器件的優(yōu)劣勢和發(fā)展方向探討”的主題報(bào)告，分享了相關(guān)研究進(jìn)展。報(bào)告指出，Si MOSFETs在20-200V市場保持優(yōu)勢。Si IGBTs仍用于低成本電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。SiC MOSFETs廣泛應(yīng)用于電動汽車動力總成電機(jī)驅(qū)動，擴(kuò)展到其他高功率/高壓（>1.2kV）應(yīng)用。GaN HEMTs在幾乎所有600-900V電源市場中更換硅MOSFET，將成為AI電源的主要參與者。
張賀秋
大連理工大學(xué)副教授
大連理工大學(xué)副教授張賀秋做了“氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）傳感器研究”的主題報(bào)告，分享了GaN HEMT傳感器制備及結(jié)構(gòu)優(yōu)化、GaN HEMT傳感器的特性等研究進(jìn)展。涉及AlGaN/GaN HEMT pH 傳感器、AlGaN/GaN HEMT葡萄糖傳感器、AlGaN/GaN HEMT CEA（癌坯抗原）傳感器、AlGaN/GaN HEMT 氨氣傳感器、AlGaN/GaN HEMT二氧化碳傳感器。其中，創(chuàng)新提出傳感器驅(qū)動LED發(fā)光信息讀出技術(shù)。獲得授權(quán)發(fā)明專利1項(xiàng)。
李祥東
西安電子科技大學(xué)廣州研究院第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心副主任、特聘教授
西安電子科技大學(xué)廣州研究院第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心副主任、特聘教授李祥東做了“藍(lán)寶石基GaN功率器件研究進(jìn)展”的主題報(bào)告，分享了藍(lán)寶石基氮化鎵中試技術(shù)進(jìn)展等內(nèi)容。報(bào)告指出，未來GaN將全面滲透30~3300V電力電子市場，有望占據(jù)功率半導(dǎo)體10%以上的市場份額。
張宇昊
弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子中心副教授
弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子中心副教授張宇昊做了“多維GaN功率器件：從器件物理到應(yīng)用”的主題報(bào)告，分享了相關(guān)研究進(jìn)展。報(bào)告指出，功率器件的進(jìn)步依賴于材料和器件架構(gòu)；多維結(jié)構(gòu)突破GaN極限，實(shí)現(xiàn)幾何縮放；使用p-NiO在GaN中的初步演示，突破了1-D GaN的極限；用于高壓橫向器件（如10 kV GaN）的新平臺；GaN器件具有動態(tài)無RON、雪崩和短路魯棒性；千伏、MHz轉(zhuǎn)換器，在系統(tǒng)中優(yōu)于SiC和Si。
劉雯
西交利物浦大學(xué)副教授
《基于E/ d模三柵極AlGaN/GaN MIS-HEMTs的單片電路》
黃福平
廣東工業(yè)大學(xué)博士
《Si基GaN功率器件中缺陷對載流子輸運(yùn)行為的影響》
劉新科
深圳大學(xué)研究員、微電子研究院院長助理、IEEE Senior Member
《具有PEALD-GaOx中間層的界面增強(qiáng)垂直Al2O3 GaN MOS電容器》
蘇杭
中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所蘇杭做了“寬禁帶半導(dǎo)體垂直功率器件的曲率自適應(yīng)端接”的主題報(bào)告，報(bào)告顯示，當(dāng)以相同的電壓水平施加時(shí)，與P-FLR相比，CAT結(jié)構(gòu)需要更少的外延層厚度，而不會增加器件面積。降低外延工藝要求，外延層厚度從10.5μm減小到9.5μm。器件的Ron降低了約9%（pn二極管）、7%（JBS）、4%（JFET）。
王瀟男
南京大學(xué)
《用于dv/dt串?dāng)_抑制的GaN高頻驅(qū)動電路設(shè)計(jì)與研究》
（根據(jù)現(xiàn)場資料整理，僅供參考）
