國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司、上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“集成半導(dǎo)體器件及其制備方法”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào) CN 119133083 A，申請(qǐng)日期為2024年8月。

專(zhuān)利摘要顯示，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N集成半導(dǎo)體器件及其制備方法，其中集成半導(dǎo)體器件的制備方法中，采用DTI(第一深溝槽隔離結(jié)構(gòu)、第二深溝槽隔離結(jié)構(gòu))和SOI(底層硅襯底、中間氧化層和頂層硅襯底)結(jié)合，形成全介質(zhì)隔離，從而完全隔離SOI上的CMOS器件(本實(shí)施例以NMOS器件為例)和LDMOS器件，提高了芯片整體的抗EMI能力，并完全杜絕寄生雙極效應(yīng)，消除了閂鎖的風(fēng)險(xiǎn)，從而提升了電路工作可靠性。