2025年1月8日，中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CSAS）秘書(shū)處組織召開(kāi)《異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測(cè)試 白光干涉法》標(biāo)準(zhǔn)起草小組第一次討論會(huì)，北京大學(xué)東莞光電研究院、東莞質(zhì)檢、中鎵半導(dǎo)體、普雷賽斯、中科院半導(dǎo)體所、京東方華燦光電、民爆光電、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟及CSAS技術(shù)咨詢委員等共計(jì)13位專家代表參會(huì)。

線上截圖｜TCSA 102團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)起草組第一次討論會(huì)

《異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測(cè)試 白光干涉法》由北京大學(xué)東莞光電研究院聯(lián)合南京大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、廣東省東莞市質(zhì)量監(jiān)督檢測(cè)中心四家單位提案，經(jīng)過(guò)CSAS管理委員會(huì)投票獲得批準(zhǔn)，2024年11月正式立項(xiàng)，標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)為：T/CSA 102。

針對(duì)異質(zhì)外延的氮化鎵膜層厚度的測(cè)試方法已被業(yè)界廣泛使用，但是相應(yīng)測(cè)試方法的缺失在一定程度上降低了上下游溝通效率，本標(biāo)準(zhǔn)的制定旨在方便各方進(jìn)行對(duì)標(biāo)，提高溝通協(xié)調(diào)效率。 

T/CSA 102起草組第一次討論會(huì)，北大東莞光電研究院劉強(qiáng)博士介紹了標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目背景、草案內(nèi)容，與會(huì)專家從標(biāo)準(zhǔn)的適用性、可操作性、規(guī)范性、立項(xiàng)投票管理委員意見(jiàn)等方面展開(kāi)了充分討論。會(huì)后，起草組將根據(jù)會(huì)上討論結(jié)果進(jìn)一步完善標(biāo)準(zhǔn)文本，并開(kāi)展試驗(yàn)驗(yàn)證以支撐標(biāo)準(zhǔn)的制定。