化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是一個(gè)高度專業(yè)化和技術(shù)密集型的領(lǐng)域，它專注于制造由兩種或更多種元素組成的半導(dǎo)體材料。這些材料通常包括第三族至第五族元素（如砷化鎵GaAs、氮化鎵GaN）或第二族至第六族元素（如碲化鎘CdTe），它們擁有比硅更優(yōu)的電子特性，例如更高的電子遷移率、更好的熱導(dǎo)率和直接帶隙，這使得它們?cè)诟哳l、高速、高功率及光電器件應(yīng)用中表現(xiàn)卓越。

目前，化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是一個(gè)迅速走向成熟的產(chǎn)業(yè)，涵蓋從晶體生長(zhǎng)、晶圓制造、前端工藝處理直至測(cè)試與封裝設(shè)備等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中重要的襯底市場(chǎng)為例，據(jù)國(guó)際研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，在2023年至2029年間，其價(jià)值預(yù)計(jì)將以17%的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）攀升，至2029年，該市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到33億美元。這一顯著的增長(zhǎng)勢(shì)頭得到了不斷升級(jí)的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施的支持。

在工藝流程方面，化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈可以分為三個(gè)主要部分：

上游材料環(huán)節(jié)，包括襯底和外延；

中游的設(shè)計(jì)制造環(huán)節(jié)，涵蓋了設(shè)計(jì)、代工及集成器件制造商（IDM）活動(dòng)；

下游的應(yīng)用環(huán)節(jié)，即最終產(chǎn)品和服務(wù)的提供。

此結(jié)構(gòu)不僅體現(xiàn)了行業(yè)的復(fù)雜性，也反映了其高度專業(yè)化和技術(shù)密集型的特點(diǎn)。

典型化合物半導(dǎo)體器件

在SiC方面，國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，并且正在加速布局。中國(guó)在SiC襯底和外延片制造方面取得了顯著進(jìn)展，部分企業(yè)如天科合達(dá)、山東天岳等6英寸襯底已經(jīng)批量生產(chǎn)并占據(jù)一定市場(chǎng)份額，8英寸襯底開始小規(guī)模發(fā)貨，多家企業(yè)更是相繼公布12英寸樣片。中游的器件和模塊制造環(huán)節(jié)也逐漸成熟，多家公司正在擴(kuò)大其SiC功率器件的產(chǎn)能。下游應(yīng)用市場(chǎng)主要集中在新能源汽車、充電樁、光伏逆變器等領(lǐng)域，隨著政策支持和技術(shù)進(jìn)步，SiC器件的應(yīng)用前景廣闊。

GaN在中國(guó)的發(fā)展勢(shì)頭迅猛，尤其是在快充技術(shù)和5G通信基站建設(shè)的推動(dòng)下。上游材料企業(yè)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了GaN單晶襯底的小批量產(chǎn)業(yè)化，并且正在進(jìn)行更大尺寸襯底的研發(fā)。中游制造方面，廠商專注于GaN功率器件、射頻器件和光電器件的開發(fā)與生產(chǎn)。下游應(yīng)用場(chǎng)景主要包括消費(fèi)電子產(chǎn)品中的快速充電器、無線充電設(shè)備，電信基礎(chǔ)設(shè)施中的高頻放大器以及LED照明顯示和藍(lán)綠激光器等。此外，由于GaN在軍事和航空航天領(lǐng)域的特殊性能需求，該領(lǐng)域也是重要的發(fā)展方向之一。

GaAs作為第二代半導(dǎo)體材料，在中國(guó)的產(chǎn)業(yè)鏈相對(duì)成熟，特別是在光電器件和無線通信組件方面有著廣泛應(yīng)用。近年來，隨著5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)和物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的擴(kuò)張，對(duì)于高性能GaAs器件的需求持續(xù)增長(zhǎng)。InP在國(guó)內(nèi)的發(fā)展雖然起步較晚，但因其優(yōu)異的電學(xué)特性而在某些特定應(yīng)用中顯示出巨大潛力。目前，國(guó)內(nèi)少數(shù)幾家科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)掌握了2-6英寸InP襯底的生產(chǎn)工藝。InP主要用于高端光通信產(chǎn)品，如高速激光器、探測(cè)器及調(diào)制器，特別是在數(shù)據(jù)中心內(nèi)部連接和長(zhǎng)途傳輸網(wǎng)路中有重要地位。

2025年化合物半導(dǎo)體行業(yè)趨勢(shì)研判

展望2025年，化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)計(jì)將迎來持續(xù)的增長(zhǎng)和技術(shù)革新。盡管SiC在電動(dòng)車市場(chǎng)增長(zhǎng)放緩的背景下承受一定壓力，但隨著電力建設(shè)項(xiàng)目的持續(xù)推動(dòng)，庫存問題有望得到緩解，市場(chǎng)將繼續(xù)保持增長(zhǎng)。氮化鎵GaN則憑借其高頻高效的優(yōu)勢(shì)，在數(shù)據(jù)中心和衛(wèi)星通信領(lǐng)域展現(xiàn)出強(qiáng)勁的發(fā)展勢(shì)頭，成為新一代無線基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的首選材料。

政府對(duì)化合物半導(dǎo)體行業(yè)的支持一如既往地堅(jiān)定，通過實(shí)施稅收減免、提供研發(fā)資金等政策措施，積極促進(jìn)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步。這不僅激發(fā)了國(guó)內(nèi)企業(yè)的創(chuàng)新活力，還吸引了大量資本投入，加速了技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品商業(yè)化的步伐。

隨著產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)不斷優(yōu)化，設(shè)計(jì)與制造環(huán)節(jié)的專業(yè)分工趨勢(shì)愈發(fā)明顯，專業(yè)代工廠數(shù)量預(yù)期將有所增加，從而提升了行業(yè)的靈活性和響應(yīng)速度。

此外，區(qū)域集中度的提升也將是2025年的顯著特征之一。這些因素綜合作用，鞏固了中國(guó)在全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)中的重要地位，為行業(yè)未來的蓬勃發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

當(dāng)前化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局

01產(chǎn)業(yè)鏈基本成型

中國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)基本形成，具備了一定的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。特別是在光電子領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了自主發(fā)展，微波射頻技術(shù)開始國(guó)產(chǎn)化，功率電子領(lǐng)域也推動(dòng)了產(chǎn)業(yè)鏈能力的提升。并且，在全產(chǎn)業(yè)鏈上無明顯卡點(diǎn)，在裝備方面國(guó)產(chǎn)化發(fā)展空間更大。

02區(qū)域發(fā)展與產(chǎn)業(yè)集群初見規(guī)模中部快速崛起

國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成了五大重點(diǎn)區(qū)域，包括京津冀魯、長(zhǎng)三角、珠三角、閩三角和中部地區(qū)。這些區(qū)域的布局有助于分散風(fēng)險(xiǎn)并促進(jìn)產(chǎn)業(yè)的均衡發(fā)展。京津冀魯?shù)貐^(qū)是技術(shù)創(chuàng)新的重要策源地，長(zhǎng)三角地區(qū)成為化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)重鎮(zhèn)，珠三角以其開放的市場(chǎng)環(huán)境和強(qiáng)大的資金支持，吸引著國(guó)內(nèi)外資本和技術(shù)的匯聚，閩三角地區(qū)通過獨(dú)特的地理位置優(yōu)勢(shì)，促進(jìn)了海峽兩岸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的合作交流；而中部地區(qū)，則以其較低的運(yùn)營(yíng)成本和政策優(yōu)惠，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了廣闊的空間。例如，處于中部的武漢光谷等地區(qū)通過九峰山論壇等活動(dòng)，積極推動(dòng)化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展，形成了較為完善的科研、中試和生產(chǎn)基地。這些區(qū)域努力打造化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，吸引國(guó)內(nèi)外企業(yè)合作。

03市場(chǎng)需求持續(xù)增長(zhǎng)

隨著化合物半導(dǎo)體技術(shù)在新能源汽車、光電存儲(chǔ)與充電系統(tǒng)（光儲(chǔ)充）、軌道交通、以及新型顯示科技等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的應(yīng)用不斷深化和擴(kuò)展，市場(chǎng)需求呈現(xiàn)出快速增長(zhǎng)的趨勢(shì)。特別是在國(guó)內(nèi)新能源乘用車市場(chǎng)，這一趨勢(shì)尤為顯著。根據(jù)最新數(shù)據(jù)，在2024年的前三個(gè)季度里，支持800V平臺(tái)的新能源車輛中，采用SiC器件的車型比例已經(jīng)攀升至74%，較上一年度提升了15個(gè)百分點(diǎn)。這一顯著增長(zhǎng)不僅體現(xiàn)了行業(yè)對(duì)高效能、高性能組件需求的提升，也彰顯了化合物半導(dǎo)體技術(shù)在推動(dòng)綠色能源轉(zhuǎn)型中的重要作用。

04政策、資金雙加持，重大項(xiàng)目取得進(jìn)展

2024年，各地政府積極響應(yīng)國(guó)家戰(zhàn)略部署，紛紛出臺(tái)了一系列鼓勵(lì)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策措施，旨在促進(jìn)技術(shù)革新、加速產(chǎn)業(yè)升級(jí)，并構(gòu)建更加完善的產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。在資本市場(chǎng)上，化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的投資熱度持續(xù)高漲，多家企業(yè)成功完成超過5億元人民幣的大額融資?；谡吆唾Y金支持，產(chǎn)內(nèi)多個(gè)標(biāo)志性項(xiàng)目取得了顯著進(jìn)展。例如，重慶三安的8英寸SiC襯底工廠于9月成功點(diǎn)亮并通線，士蘭微電子位于廈門的8英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線也在10月進(jìn)入了土方工程的收尾階段。這些項(xiàng)目的順利推進(jìn)，不僅體現(xiàn)了國(guó)內(nèi)企業(yè)在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域不斷攀升的技術(shù)實(shí)力，也為未來市場(chǎng)的供應(yīng)穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量提升提供了強(qiáng)有力的支撐。05技術(shù)創(chuàng)新與突破

國(guó)內(nèi)科研團(tuán)隊(duì)在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域取得多項(xiàng)技術(shù)突破。例如，芯聯(lián)集成在5月宣布成功下線8英寸碳化硅工程批次，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)邁入國(guó)產(chǎn)化階段。三安光電與廈門大學(xué)合作，成功研發(fā)出超8瓦大功率InGaN藍(lán)光激光器，應(yīng)用于顯示、材料加工、通信等領(lǐng)域。九峰山實(shí)驗(yàn)室成功點(diǎn)亮集成到硅基芯片內(nèi)部的激光光源，為智能設(shè)備和數(shù)據(jù)中心的未來發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。這些成就不僅展示了中國(guó)科研人員的創(chuàng)新能力，也標(biāo)志著中國(guó)在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)中的地位得到了顯著提升?！疽陨蟽?nèi)容僅供參考】

CSE 2025

2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)將于4月23-25日在武漢光谷科技會(huì)展中心啟幕，本屆論壇將延續(xù)“1個(gè)主論壇+N個(gè)專題論壇+N個(gè)特色活動(dòng)”的多元化架構(gòu)，為參會(huì)者提供全方位、多層次的交流體驗(yàn)，化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)也將首次超過2萬平方米，擬邀展商數(shù)量超過300家，規(guī)模創(chuàng)新高！

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*4月22日下午至4月25日均可線下報(bào)到取證，報(bào)名者有機(jī)會(huì)獲得精美禮品。

期待與您攜手，共同迎接化合物半導(dǎo)體行業(yè)的全新機(jī)遇與挑戰(zhàn)。讓我們相約2025年4月23-25日·武漢光谷科技會(huì)展中心，共同見證盛會(huì)的精彩綻放！

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