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瞻芯電子推出1200V SiC 半橋1B封裝模塊,助力高頻高效應(yīng)用

日期:2025-03-11 閱讀:213
核心提示:3月11日,瞻芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲能和充電樁等應(yīng)用場景,提供

 3月11日,瞻芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲能和充電樁等應(yīng)用場景,提供了高效、低成本的解決方案。該產(chǎn)品已通過工業(yè)級可靠性測試。

這款模塊產(chǎn)品(IV1B12009HA2L) 尺寸與標(biāo)準(zhǔn)的Easy 1B封裝相同,其殼體緊湊,高度僅12mm。該模塊內(nèi)部芯片布置于陶瓷覆銅基板(DCB)上,具有內(nèi)絕緣功能,可直接緊貼散熱器,無需外加陶瓷絕緣墊片,安全可靠,散熱更好;同時,模塊采用彈簧安裝座,組裝方便,集成的安裝夾使安裝牢固。

模塊電路拓?fù)?/b>

該模塊產(chǎn)品內(nèi)置1200V 9mΩ SiC MOSFET芯片組成半橋電路,具有較低的雜散電感,簡化了應(yīng)用電路的設(shè)計,相對于分立器件方案,提升了功率密度。同時集成熱敏電阻(NTC)以監(jiān)測溫度。

該產(chǎn)品具有開爾文源極引腳,能在SiC MOSFET高速開關(guān)時,抑制驅(qū)動電壓尖峰,保障高頻開關(guān)應(yīng)用的安全和可靠。

SiC MOSFET芯片

這款模塊采用瞻芯電子第二代平面柵1200V SiC MOSFET芯片,兼有良好性能和可靠性表現(xiàn),支持+15V至+18V開通電壓和-3.5V至-2V關(guān)斷電壓,額定電流100A。

應(yīng)用場景

該產(chǎn)品適用于高頻、高效率功率變換系統(tǒng),具有安全可靠、尺寸緊湊、安裝方便等特點,典型應(yīng)用場景如下:

1.高頻開關(guān)應(yīng)用

2.高壓直流變換器(DC-DC)

3.直流充電樁

4.不間斷電源(UPS)

( 來源:瞻芯電子)

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