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中國科大楊樹教授和龍世兵教授課題組在垂直型GaN功率晶體管研究方向取得重要進展

北京大學(xué)王劍威、龔旗煌課題組在連續(xù)變量光量子芯片領(lǐng)域取得重大突破

香港科技大學(xué)陳敬教授課題組發(fā)布多項氮化鎵、碳化硅的最新研究進展

黃維院士團隊在柔性聚合物發(fā)光二極管應(yīng)變穩(wěn)定性方面取得重要進展

南開大學(xué)研發(fā)光學(xué)焦平面陣列堆疊芯片，實現(xiàn)毫米波高速成像

KAUST實現(xiàn)千伏級藍寶石襯底AlN肖特基二極管

武漢大學(xué)聯(lián)合中科大iGaN實驗室與工信部電子五所在GaN基HEMTs的溝道溫度監(jiān)測研究領(lǐng)域取得新進展

北大楊學(xué)林、沈波團隊在氮化鎵外延材料中位錯的原子級攀移動力學(xué)研究上取得重要進展

我國在太空成功驗證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件

中科院理化所&吉大&中科大Nature Nano.：用于超高分辨率micro-LED顯示器的遠(yuǎn)程外延晶體鈣鈦礦

Nature Review EE：第三代半導(dǎo)體和電力電子是實現(xiàn)碳中和的關(guān)鍵路徑

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗證

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗證

KAUST AM論文：Ga2O3 晶相異質(zhì)結(jié)

電子科技大學(xué)朱慧慧、劉奧教授在Nature Protocols上發(fā)表新型半導(dǎo)體薄膜電子器件研究成果

南科大深港微電子學(xué)院于洪宇、王中銳、汪青研究團隊在LiNbO3壓電聲表面波相移器領(lǐng)域取得新進展

北京工業(yè)大學(xué)郭偉玲課題組聯(lián)合閩都創(chuàng)新實驗室、福州大學(xué)孫捷課題組：局域表面等離子體增強納米柱Micro-LED發(fā)光

紅光對干眼癥的干預(yù)與治療概述

西安電子科技大學(xué)保宏教授團隊在《Advanced Materials》上發(fā)表科研成果

從安森美幾款最新品發(fā)布看電源技術(shù)的綠色變革路線圖

西安電子科技大學(xué)集成電路學(xué)部科研團隊在《Advanced Materials》發(fā)表科研成果

核能安全所在超寬禁帶材料半導(dǎo)體輻射探測器研制方面取得新進展

臺積電亞利桑那州工廠已開始生產(chǎn)4nm芯片

西安電子科技大學(xué)蘇杰副教授以共同第一作者在Science發(fā)表研究成果

美國實驗室研發(fā)新型激光技術(shù)，有望大幅提升芯片制造效率

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院超寬帶高速電路取得多項成果

南京郵電大學(xué)研究團隊在用于低功率光通信的GaN/CuI異質(zhì)結(jié)構(gòu)紫外光伏探測器取得進展

半導(dǎo)體所在基于氧化鎵的日盲紫外偏振光探測器方面取得新進展

中南鉆石聯(lián)合中國電科第十三研究所在金剛石NV色心領(lǐng)域取得重要進展

寧波材料所與鄭州大學(xué)實現(xiàn)金剛石/氧化鎵異質(zhì)結(jié)器件突破

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