亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<button id="yclsl"><thead id="yclsl"><noframes id="yclsl"></noframes></thead></button>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

我國在太空成功驗證第三代半導體材料制造的功率器件

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗證

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗證

南京郵電大學研究團隊在用于低功率光通信的GaN/CuI異質(zhì)結構紫外光伏探測器取得進展

北京大學團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

北大集成電路學院研究團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

南京大學在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進展

脈沖模式下輸出功率超15 W的氮化鎵藍光激光器

西湖大學工學院仇旻團隊研究進展 | 4H-SiC超透鏡：抑制高功率激光輻照的熱漂移效應

廈門大學與三安光電關于大功率激光器壽命研究取得新進展

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術極限并提高能效

睿創(chuàng)微納在微波功率放大器研究中取得重要進展

從三種充電方式，解鎖不同功率電動汽車充電樁設計方案全攻略

中國科大微電子學院在GaN功率電子器件浪涌特性研究方向取得新進展

北京大學王新強教授團隊：推動高功率UVC-LED晶圓進入低成本4英寸時代！

英飛凌率先開發(fā)全球首項300mm氮化鎵功率半導體技術，推動行業(yè)變革

基本半導體銅燒結技術在碳化硅功率模塊中的應用

北京大學在GaN功率器件可靠性與集成技術方面取得系列進展

808nm高功率半導體激光芯片取得重大突破

復旦大學芯片院在高速低EMI功率集成電路設計領域取得重要進展

北京大學取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結構及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

半導體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器

日本初創(chuàng)公司開發(fā)功率半導體生產(chǎn)新材料成本降低75%

上海光機所在高重頻高功率超快激光器研究取得進展

山東大學彭燕、徐現(xiàn)剛團隊在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復合襯底的進展

嘉善復旦研究院與復旦大學科研團隊在低傳導損耗功率器件方面取得重大進展

我國取得深海大功率人工源電磁探測技術新突破

西安電子科技大學郝躍院士團隊：氧化鎵功率器件研究成果

電子科技大學羅小蓉課題組在超寬禁帶半導體氧化鎵功率器件領域取得研究進展

中山大學王鋼教授團隊在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結在功率器件領域的研究進展

第1頁/共3頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部