亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<bdo id="0myai"></bdo>

<cite id="0myai"><source id="0myai"></source></cite>

首頁(yè) > 新聞資訊 > 搜索

中國(guó)科大在功率電子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動(dòng)態(tài)可靠性研究方面取得進(jìn)展

CASA發(fā)布《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)體系報(bào)告》

簡(jiǎn)述功率半導(dǎo)體器件之IGBT技術(shù)及市場(chǎng)發(fā)展概況

簡(jiǎn)述金剛石在 GaN 功率放大器熱設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

簡(jiǎn)述一種具有疊層鈍化結(jié)構(gòu)的高耐壓低功耗GaN功率器件

簡(jiǎn)述碳化硅功率器件封裝的三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)

簡(jiǎn)述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長(zhǎng)研究

上海光機(jī)所在高峰值功率皮秒深紫外光源方面取得研究進(jìn)展

簡(jiǎn)述通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)器提高開(kāi)關(guān)電源功率密度

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)研制出國(guó)際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

東風(fēng)汽車碳化硅功率模塊將于2023年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

SiC MOSFET功率模塊的各種參數(shù)電動(dòng)汽車

淺述GaN功率器件的發(fā)展

簡(jiǎn)述功率MOSFET電流額定值和熱設(shè)計(jì)

Nature Electronics 電力電子首篇綜述 - 功率器件的多維結(jié)構(gòu)

中科院微電子所研制高功率密度5結(jié)級(jí)聯(lián)905nm VCSEL

簡(jiǎn)述SiC功率器件的新發(fā)展和挑戰(zhàn)

簡(jiǎn)述碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

簡(jiǎn)述使用不同類型GaN FET 設(shè)計(jì)提高系統(tǒng)設(shè)計(jì)功率密度

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告征求意見(jiàn)

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告征求意見(jiàn)

金剛石在GaN功率放大器熱設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

一種基于基板埋入技術(shù)的新型SiC功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)方法

自研基于 6 寸碳化硅晶圓的 6.5kV MOSFET功率模塊測(cè)試分析

郝躍院士團(tuán)隊(duì)研制出國(guó)際最高功率優(yōu)值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實(shí)現(xiàn)空穴超注入效應(yīng)

一種基于基板埋入技術(shù)的SiC功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)

汽車功率器件的熱管理探討

Wolfspeed ：高功率應(yīng)用的可擴(kuò)展性設(shè)計(jì)

高功率大能量飛秒脈沖激光技術(shù)現(xiàn)狀和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

第2頁(yè)/共3頁(yè) 首頁(yè) 下一頁(yè) 上一頁(yè) 尾頁(yè)

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<pre id="kkwkc"></pre>