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氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)專利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷專利技術(shù)之臺(tái)達(dá)電子篇

硅基氮化鎵Micro-LED，實(shí)現(xiàn)高速可見光通信信號(hào)探測(cè)

氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)專利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷技術(shù)之松下篇

長平時(shí)代發(fā)布用于車載電子的900V硅基氮化鎵外延片

半導(dǎo)體所等研究團(tuán)隊(duì)合作在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列進(jìn)展

技術(shù)分享：基于氮化鎵單晶襯底的增強(qiáng)型氮化鎵HEMTs

研究人員利用氮化鎵開發(fā)新型電子設(shè)備

蘇州納米所器件部樊士釗等JAP：利用電子通道襯度成像方法分析氮化鎵異質(zhì)結(jié)中的穿透位錯(cuò)和失配位錯(cuò)

中科院半導(dǎo)體所在氮化物材料生長界面研究方面取得新進(jìn)展

北大材料學(xué)院劉磊課題組在六方氮化硼材料的制備及其同位素效應(yīng)研究中取得系列進(jìn)展

中科院微電子研究所在氮化鎵—金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展

中科院微電子所在氮化鎵—金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展

北大物理學(xué)院高鵬課題組揭示氮化物異質(zhì)結(jié)界面聲子輸運(yùn)機(jī)制

中科院蘇州納米所團(tuán)隊(duì)在石墨烯調(diào)控的氮化鎵遠(yuǎn)程外延機(jī)理研究獲新進(jìn)展

氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET

南科大馬俊在新型多溝道氮化鎵電力電子器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

玻璃襯底上首次“異質(zhì)外延”出準(zhǔn)單晶氮化鎵薄膜

鄭州大學(xué)物理學(xué)院在半導(dǎo)體光電器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

33W GaN快充“殺”出江湖國內(nèi)氮化鎵IDM企業(yè)加速布局

奧趨光電：氮化鋁單晶生長技術(shù)進(jìn)展及其未來挑戰(zhàn)

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)研制出一種新型氮化鎵半導(dǎo)體激光器

5分鐘充50%！騰訊紅魔游戲手機(jī)6將標(biāo)配120W氮化鎵充電器

第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵發(fā)展歷程及制備工藝

用氮化鎵消除激光雷達(dá)的障礙

蘋果推出氮化鎵快充，釋放了哪些信號(hào)？

海特高新：海威華芯已完成包括砷化鎵、氮化鎵、碳化硅等在內(nèi)的6大類工藝產(chǎn)品的研發(fā)

氮化鎵挑起半導(dǎo)體界的大梁，進(jìn)入倒計(jì)時(shí)？

大口徑無曲翹！日本開發(fā)出有助于節(jié)能的氮化鎵單晶基板量產(chǎn)法

碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC助力降低5G基站成本

美研發(fā)出新型氮化鎵器件！5G技術(shù)峰值速率超預(yù)期

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