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比利時(shí)氮化鎵制造商BelGaN破產(chǎn)，中國(guó)買家競(jìng)購(gòu)設(shè)備資產(chǎn)

《異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測(cè)試白光干涉法》CSA團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)第一次討論會(huì)召開(kāi)

北京航天賽德申請(qǐng)氮化鎵襯底拋光液專利，極大提升氮化鎵襯底表面特性

南京集芯光電取得一種氮化鎵生長(zhǎng)加熱爐專利，解決氮化鎵采取和附著問(wèn)題，提高產(chǎn)量

浙之芯申請(qǐng)一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（三）?|IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（二）|IFWS&SSLCHINA2024

先導(dǎo)激光氮化鎵藍(lán)光裝備全鏈條國(guó)產(chǎn)化項(xiàng)目順利立項(xiàng)

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（一） |IFWS&SSLCHINA2024

脈沖模式下輸出功率超15 W的氮化鎵藍(lán)光激光器

王新強(qiáng)、王濤團(tuán)隊(duì)在褶皺二維氮化鎵聲子研究中取得重要進(jìn)展

氮化鎵龍頭英諾賽科，通過(guò)上市備案！

眾專家學(xué)者探討氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用的進(jìn)展與趨勢(shì) |IFWS&SSLCHINA2024

氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會(huì)日程出爐|IFWS 2024前瞻

國(guó)星光電子公司風(fēng)華芯電成功開(kāi)發(fā)出扇出型D-mode氮化鎵半橋模塊

IFWS2024：氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會(huì)日程出爐

臨沂：加快氮化鎵新材料項(xiàng)目建設(shè)

氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會(huì)日程出爐 | IFWS2024 前瞻

德州儀器擴(kuò)大氮化鎵半導(dǎo)體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來(lái)的四倍

一文解開(kāi)遠(yuǎn)山氮化鎵功率器件實(shí)現(xiàn)耐高壓的秘密

德州儀器新氮化鎵工廠投產(chǎn)

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件

臺(tái)灣8英寸氮化鎵功率廠商投資案通過(guò)

榮盛晶科技氮化鎵材料產(chǎn)業(yè)基地投產(chǎn)

新鎵能半導(dǎo)體氮化鎵項(xiàng)目落戶無(wú)錫惠山

冠鼎半導(dǎo)體1.055億元新建氮化鎵項(xiàng)目

英飛凌率先開(kāi)發(fā)全球首項(xiàng)300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動(dòng)行業(yè)變革

氮化鎵名企BelGaN宣告破產(chǎn)，潛在競(jìng)購(gòu)者報(bào)價(jià)1.3億歐元

香港首個(gè)第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延工藝研發(fā)中心將成立

香港將建設(shè)首條第三代半導(dǎo)體氮化鎵晶圓生產(chǎn)線目標(biāo)2027年產(chǎn)能1萬(wàn)片

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