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中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗證

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗證

核能安全所在超寬禁帶材料半導(dǎo)體輻射探測器研制方面取得新進展

中南大學(xué)團隊研制出偏振、諧振腔等光場調(diào)控Micro-LEDs

中國科學(xué)院研制出新型鋯鈦酸鉛光子集成工藝開發(fā)套件

半導(dǎo)體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器

聯(lián)合攻關(guān)成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功

器件新突破！香港科技大學(xué)教授陳敬團隊成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點的實驗晶體管！

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在脈沖型人工視覺芯片研制取得新進展

日本團隊：金剛石MOSFET研制取得最新進展

廈大團隊研制成功拓撲自旋固態(tài)光源芯片

中科院科學(xué)家在8英寸碳化硅單晶研制中獲進展

上海光機所在特殊波長的飛秒超快光纖激光器研制方面獲進展

成果上新！8英寸導(dǎo)電型碳化硅研制獲得成功

半導(dǎo)體所成功研制一款極低電壓低抖動低功耗頻率綜合器芯片

中國科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管

蘇州納米所孫錢團隊研制出國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

中科院微電子所研制高功率密度5結(jié)級聯(lián)905nm VCSEL

山東大學(xué)成功研制高質(zhì)量4英寸氧化鎵晶體

郝躍院士團隊研制出國際最高功率優(yōu)值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實現(xiàn)空穴超注入效應(yīng)

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院成功研制新原理機器視覺增強芯片

中電科45所研制的雙8英寸全線自動化濕法整線設(shè)備進入國內(nèi)主流產(chǎn)線

大功率芯片研制獲突破

清華大學(xué)團隊研制出國際首款實時超光譜成像芯片

中科院半導(dǎo)體所趙德剛團隊研制出室溫連續(xù)功率2W的GaN基大功率紫外激光器

中科院物理所陸凌團隊研制出了性能指標具佳的拓撲腔面發(fā)射激光器

長光所在量子陀螺專用垂直腔面發(fā)射激光器研制和應(yīng)用方面取得進展

中電科二所研制出山西省首片碳化硅芯片

高壓大功率碳化硅電力電子器件研制進展

南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院研究團隊與華為合作成功研制智能表面新架構(gòu)助力5G網(wǎng)絡(luò)性能提升

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